Jfet y Mosfet

➔ Características y parámetros
del JFET
➔ MOSFET de tipo incremental y
decremental
Integrantes:
Jorge Alberto Rocha Olivera
Luis Olguín Flores
José Andrés Castañeda Santana
Victor Eduardo Anguiano Gutierrez
Junction Field-Effect Transistor
El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en

el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los JFET pueden plantearse como resistencias controladas por
diferencia de potencial.
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en función
de las variaciones que experimenta la tensión de puerta-fuente (VGS) para valores de
VDS ctes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una

parábola, tal como se muestra en la gráfica, que corresponde a las curvas del drenaje del
JFET.
DONDE:
ID= corriente de drenaje.
IDSS = corriente drenaje-fuente saturación.
VGS= voltaje puerta-fuente.
VGS(off) = voltaje de estrangulamiento.

Características de los JFET
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente.
Parámetros del JFET
El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la

temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la
temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
características de los distintos dispositivos.
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en función
de las variaciones que experimenta la tensión de puerta-fuente (VGS) para valores de
VDS constantes.
1.-Zona Lineal: el transistor se comporta como una resistencia variable
2.-Zona de Saturación: el transistor amplifica y se comporta como una fuente de

corriente gobernada por VGS (aportados por el fabricante).
3.-Zona de Corte: la intensidad de drenador es nula (ID=0)

Construcción y características del JFET
Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el canal
entre las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n está
conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como drenaje (D), en
tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante un contacto
óhmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p están
conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G).
¿Qué es un MOSFET?
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un

semiconductor óxido (óxido ferroso) que se usa como dieléctrico. De otra
forma, es un transistor (conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza
un campo eléctrico para controlar su conducción y que su dieléctrico es un
metal de óxido. Se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P.
Ventajas del transistor MOSFET
La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja

potencia para llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía
en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace que sea un
componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos
electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños
juguetes de robot y calculadoras.
MOSFET Decremental: se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con
dos regiones de silicio n- muy dopado, para formar conexiones de baja
resistencia. La compuerta está aislada del canal por una capa muy delgada
de óxido. En función de si la VGS es positiva o negativa, el canal se
ensanchará o estrechará permitiendo el paso o no de corriente.
MOSFET Incrementales: no tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje

inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie.
Si VGS es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral, se acumula una
cantidad suficiente de electrones para formar un canal N virtual, y la corriente
circula del drenaje a la fuente.
MOSFET Incremental
MOSFET Decremental
Bibliografía
➔ Mrelbernitutorialescom. (2018). Mrelbernitutorialescom. Retrieved 20 April, 2018, from

http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/
➔ Electronicproyectga. (2018). Electronicproyectga. Retrieved 20 April, 2018, from

http://electronicproyect.ga/materia/contenido/mosfet-decremental-tipo-n-y-p/22
➔ Electronicproyectga. (2018). Electronicproyectga. Retrieved 20 April, 2018, from

http://electronicproyect.ga/materia/contenido/mosfet-incremental-tipo-n-y-p/21

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El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en

En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una

ID= corriente de drenaje.

IDSS = corriente drenaje-fuente saturación.

VGS= voltaje puerta-fuente.

VGS(off) = voltaje de estrangulamiento.

El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la

2.-Zona de Saturación: el transistor amplifica y se comporta como una fuente de

3.-Zona de Corte: la intensidad de drenador es nula (ID=0)

Un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja

MOSFET Incrementales: no tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje

➔ Mrelbernitutorialescom. (2018). Mrelbernitutorialescom. Retrieved 20 April, 2018, from

➔ Electronicproyectga. (2018). Electronicproyectga. Retrieved 20 April, 2018, from

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