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    FET

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    jose maiz
    Este documento describe el transistor FET, un dispositivo semiconductor controlado por un campo eléctrico que regula el flujo de corriente a través de un canal. Existen dos tipos de FET, de canal n y de canal p, que difieren en la configuración de las regiones dopadas. A diferencia de los BJT, los FET son controlados por voltaje y la corriente de salida varía no linealmente con la tensión de entrada. Los FET tienen aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores y más debido a su alta impedancia de entrada

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    FET

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    Este documento describe el transistor FET, un dispositivo semiconductor controlado por un campo eléctrico que regula el flujo de corriente a través de un canal. Existen dos tipos de FET, de canal n y de canal p, que difieren en la configuración de las regiones dopadas. A diferencia de los BJT, los FET son controlados por voltaje y la corriente de salida varía no linealmente con la tensión de entrada. Los FET tienen aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores y más debido a su alta impedancia de entrada

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    FET.pptx

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    Este documento describe el transistor FET, un dispositivo semiconductor controlado por un campo eléctrico que regula el flujo de corriente a través de un canal. Existen dos tipos de FET, de canal n y de canal p, que difieren en la configuración de las regiones dopadas. A diferencia de los BJT, los FET son controlados por voltaje y la corriente de salida varía no linealmente con la tensión de entrada. Los FET tienen aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores y más debido a su alta impedancia de entrada

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    Este documento describe el transistor FET, un dispositivo semiconductor controlado por un campo eléctrico que regula el flujo de corriente a través de un canal. Existen dos tipos de FET, de canal n y de canal p, que difieren en la configuración de las regiones dopadas. A diferencia de los BJT, los FET son controlados por voltaje y la corriente de salida varía no linealmente con la tensión de entrada. Los FET tienen aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores y más debido a su alta impedancia de entrada

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    • El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla

    un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un


    campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

    • El transistor FET de canal n esta compuesto de una parte de


    silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
    impurezas tipo P llamadas compuerta y que están unidas entre
    si; Mientras que el transistor FET de canal p, esta compuesto
    de una región tipo P que se le añaden 2 regiones tipo N unidas
    entre si.
    • Los terminales de este tipo de transistor se llaman drenador,
    fuente y el tercer terminal es la compuerta.

    • La región que existe entre el drenador y la fuente es el camino


    obligado de los electrones se llama «canal». La corriente circula
    del drenaje(D) a fuente(S).
    • Este tipo de transistor se polariza de manera diferente a un BJT. El
    terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al
    terminal de fuente(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente
    con respecto a la fuente

    • A mayor voltaje –Vgs, mas angosto es el canal y mas difícil para la


    corriente pasar del terminal drenador al terminal fuente. La tensión
    –Vgs para que el canal quede cerrado se llama «punch off» y es
    diferente para cada FET
    • El transistor FET es controlado
    por tensión y los cambios en la
    tensión de puerta a fuente
    (Vgs) modifican la región de
    empobrecimiento y causan que
    varié el ancho del canal

    • Las uniones Puerta-Drenador,


    Surtidor-Puerta están
    polarizadas en inversa de tal
    forma que no existe otra
    corriente que la inversa de
    saturación de la unión PN
    Se puede observar que en este
    grafico al aumentar el voltaje Vds
    para un Vgs fijo, la corriente
    aumenta rápidamente, hasta llegar
    a un punto conocido como voltaje
    de estricción donde la corriente se
    mantiene constante, hasta llegar a
    la región de ruptura donde la
    corriente aumenta
    exponencialmente
    DIFERENCIAS ENTRE
    TRANSISTORES BJT Y FET
    • Los transistores FET son dispositivos controlados por voltaje

    • Son dispositivos unipolares (depende del canal n y del canal p)

    • Alta impedancia de entrada (MΩ)

    • Baja ganancia de voltaje

    • Muy estables a altas temperaturas y mucho mas pequeños que


    sus contrapartes BJT

    • Pueden ser usados como dispositivos de almacenamiento de


    energía
    A diferencia de los transistores BJT la relación entre la
    corriente de salida y la corriente de entrada de un
    transistor FET es una relación no lineal, que viene dada
    por la siguiente ecuación
    FET

    MOSFET JFET MESFET

    Empobrecimiento
    EMPROBECIMIENTO ENRIQUECIMIENTO

    Enriquecimiento

    JFET
    APLICACIONES TRANSISTORES FET
    PRINCIPAL
    APLICACIÓN USOS
    VENTAJA
    Aislador o Impedancia de
    separador entrada alta y de Uso general, equipo de medida, receptores
    (buffer) salida baja
    Amplificador
    Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
    de RF

    Baja distorsión de
    Mezclador Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
    intermodulación

    Facilidad para
    Amplificador
    controlar Receptores, generadores de señales
    con CAG
    ganancia
    Amplificador Baja capacidad
    Instrumentos de medición, equipos de prueba
    cascodo de entrada
    Ausencia de
    Troceador Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección
    deriva

    Resistor
    Se controla por Amplificadores operacionales, órganos electrónicos,
    variable por
    voltaje controlas de tono
    voltaje

    Amplificador Capacidad
    de baja pequeña de Audífonos para sordera, transductores inductivos
    frecuencia acoplamiento
    Mínima variación
    Oscilador Generadores de frecuencia patrón, receptores
    de frecuencia
    Circuito MOS
    Pequeño tamaño Integración en gran escala, computadores, memorias
    digital

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