Chime

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Université Mohamed Khider-Biskra
Faculté des Sciences Exactes et Sciences de la Nature et la Vie
Département des Sciences de la Matière
N° d’ordre :
THESE
Pour Obtenir
Le Diplôme de Doctorat en Sciences

Option : Sciences des Matériaux
Filière : Chimie
Présenté Par
Bounab Karima
Thème :
Elaboration, caractérisation et étude des propriétés

diélectriques d’une solution solide de type PZT.
Soutenu le : 03 /06 / 2015 devant la commission d’examen :
Mr. A. MEGHEZZI Professeur Univ.Biskra Président

Mr. A. BOUTARFAIA Professeur Univ.Ouargla Rapporteur
Mr. C. BOUDAREN Professeur Univ.Constantine Examinateur
Mr. B. BOUDINE Professeur Univ. Constantine Examinateur
Melle. F. Z. SRITI Maître de Conférence Univ.Biskra Examinateur
Mr. M. OMARI Professeur Univ.Biskra Examinateur
Remerciements
Cette étude a été réalisée au laboratoire de chimie appliquée de

l’université Mohamed Kheider-Biskra dirigé par Monsieur le professeur
Ahmed Boutarfaia.
Je remercie vivement mon directeur de thèse Monsieur le

professeur Ahmed Boutarfaia, qui a encadré mes travaux. Je tiens à
exprimer ma profonde gratitude pour son dévouement, ses conseils
éclairés, et son suivi universitaire. Malgré ses lourdes responsabilités, il a
su répondre à toutes mes sollicitations, l’aide et la confiance qu’il a su
m’accorder ont largement contribué à l’avancement de mes travaux.
Je tiens à exprimer mes plus profonds et sincères remerciements à

Mr. A. Meghazzi, Professeur à l'université de Biskra, pour l’honneur
qu’il me fait en acceptant de présider le jury de cette thèse.
Que Monsieur C. Boudaren, professeur à l’université Constantine,

Monsieur M. Omari, Professeur à l’université Biskra, Monsieur B.
Boudine, professeur à l’université Constantine, trouvent ici toute
l’expression de ma reconnaissance pour avoir accepté d’être examinateurs
de ce travail.
Mes vifs remerciements et ma profonde gratitude s’adressent à
Melle F. Z. Sriti, Maître de conférences à l'université de Biskra, pour
avoir consacré de son temps et de ses compétences entant qu’examinateur,
à juger minutieusement ce mémoire et participer au jury.
Je remercie Melle S. Seghirou, H. Benmachiche, responsables

de laboratoire de physique, et de chimie de l’université de Biskra, pour
leur aide matérielle et moyens qu’ils ont mis à ma disposition, leur
disponibilité et leur encouragement.
Mon plus grand merci revient naturellement à mes collègues

Necira. Z, H. Menasra, F. Lehraki , M. Abba et A. Meklid pour
leur aide et leurs encouragements.
Résumé
Ce travail a pour objectif, la synthèse, l’élaboration et l’étude des propriétés
diélectriques et piézoélectriques d’un nouveau matériau en céramique de type PZT de
structure pérovskite dans le système 0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-
x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 avec x = 0.00 , 0.01, 0.03, 0.05, 0.07. Une substitution en site B a été
réalisée afin d’améliorer ses propriétés physiques. Les échantillons choisis pour cette étude
ont été préparés par la méthode de synthèse à voie solide. Les échantillons ont subi un frittage
: 1100, 1150,1180 °C successivement, afin d’optimiser la température de frittage. Différentes
techniques de caractérisation ont été utilisées pour cette étude telle que, la diffraction des
rayons X, la granulométrie, la microscopie électronique à balayage MEB et les mesures
électriques. Les diagrammes de diffraction des rayons X ont indiqué que tous les
compositions dopées sont prés de la FMP et l’étude morphologique des différents
échantillons a montré que la céramique PZT-PMF-PZN ou x= 0.07 fritté à 1180 °C a favorisé
la croissance des grains. L’étude des propriétés diélectriques de tous les échantillons a montré
une forte permittivité diélectrique pour l’échantillon ou x= 0.07, et un faible facteur de
dissipation. L’étude des propriétés piézoélectrique de l’échantillon x=0.07 a montré
également une valeur maximale du facteur de couplage électromécanique planaire.
Mots clés : Propriétés piézoélectrique / PZT / Structure pérovskite / Diffraction des rayons X
/ Frontière morphotropique de phase / Permittivité diélectrique / Facteur de dissipation.
Summary
This work has for objective, the syntheses and development, the survey of the
dielectric and piezoelectric properties of a new material made by ceramics PZT type of
structure perovskite in the system 0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-
x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 with x = 0.00 , 0.01, 0.03, 0.05, 0.07. A substitution in site B was carried
out in order to ameliorate its physical properties The samples chosen for this survey have been
prepared by a synthesis method in solid way. The samples have undergoes a sintering: 1100,
1150, 1180 °C successively, in order to optimize the temperature. Different techniques of
characterization have been used for this survey as, the diffraction of the X-rays, laser particle
size analysis, the scan electronic microscopy (SEM) and the electric measures. the diagrams
of diffraction of the X-rays indicated that all compositions near to the MPB and the
morphological survey of the different samples showed that the ceramics PZT-PMF-PZN with
x= 0.07 sintered 1180 °C favored the growth of the grains. The survey of the dielectric
properties of all samples showed a maximal value of constant dielectric for the samples with
x=0.07, and lower loss constant. The survey of the piezoelectric properties of the sample also
showed a maximal value of the planar electromechanical coupling factor with x=0.07.
Key words : Piezoelectric proprties /PZT Pervskite structure / X-rays diffraction by the
powder / Morphotropic phase boundary / Dielectric constant / loss constant.
‫الملخص‬
‫يھدف ھذا العمل إلى تحضير و دراسة الخصائص العازلة و البيزو كھربائية لمحلول صلب من‬
‫السيراميك من الصنف ‪ PZT‬ذي البنية البيروفسكية و قد قمنا باستبدال في الموقع ‪ B‬فأصبحت‬
‫الصيغة الكيميائية الجديدة‪0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 :‬‬
‫العينات المختارة تم تحضيرھا بواسطة التفاعل الصلب ثم تم تعريضھا إلى درجات حرارة مختلفة و ھي ‪ ‬‬
‫)‪1100‬م‪1150 ،‬م و ‪1180‬م(‪ .‬عدة تقنيات للفحص استعملت لھذه الدراسة مثل ‪ :‬انعراج األشعة‬
‫الصينية‪ ،‬المجھر االلكتروني الماسح‪ ،‬تحليل حجم الجسيمات و القياسات الكھربائية ‪.‬‬
‫نتائج تحاليل األشعة السينية بينت أن كل العينات التي جرى فيھا االستبدال قريبة من الحدود‪ ‬‬
‫المورفوتروبية للطور‪ .‬الدراسة المورفولوجية و الكھربائية و البيزو كھربائية لمختلف العينات بينت أن‬
‫العينة التي توافق ‪ X=0.07‬و المقاسة في درجة الحرارة ‪ 1180‬م كانت اإلجابة فيھا عالية‪ .‬‬
‫الكلمات المفتاحية ‪ :‬الخصائص البيزوكھربائية ـ ‪ PZT‬ـ بنية البيروفسكيت ـ انعراج األشعة الصينية ـ‬
‫الحدود المورفوتروبية للطور ـ ثابت العزل الكھربائي ـ معامل الضياع‪.‬‬
Sommaire
SOMMAIRE
Liste des figures
Liste des tableaux
INTRODUCTION GÉNÉRALE
Introduction 1
Bibliographie 3
Chapitre I
Généralités
I.1. Historique 4
I.2. Définitions 4
I.2.1 isolant 4
I.2.2 céramique 4
I.2.3 Les matériaux paraélectriques 5
I.2.4 diélectrique 5
a. La permittivité diélectrique (εr) 6
b-L'angle de perte 7
c- L'élasticité 7
d- La résistivité et la conductibilité électrique 7
e- La rigidité diélectrique 8
I.2.5 La piézoélectricité 8
I.2.5.1 Symétrie et piézoélectricité 9
I.2.5.2 Coefficients piézoélectriques 10
I.2.5.2.1 La constante piézoélectrique de charge dmn 10
I.2.5.2.2 La constante piézoélectrique de tension g mn 11
I.2.5.2.3 Coefficient de couplage électromécanique K 11
I.2.6 La pyroélectricité 12
I.2.7 La ferroélectricité 12
I.2.7 .1 Mécanisme de la polarisation 13
I.2.7.2. Cycle d’hystérésis 14
I.2.7.3 Le point de Curie ferroélectrique Tc 15
Sommaire
I.2.7 .4 Transition de phase 15

I.2.8 Vieillissement 16
I.3. La structure pérovskite 17
I.3.1. Conditions de stabilité 18
I.3.1.1. Condition d’éléctroneutralité 18
I.3.1.2. Condition stœchiométrique 18
I.3.1.3. Condition géométrique 19
I.4. Les céramiques piézoélectriques de type PZT 19
I.4.1 Diagramme de phase des solutions solides de Pb(Zrx,Ti1-x)O3 19
I.4.2 Domaines ferroélectriques dans les PZT 20
I.5 Classification des dopants 22
I.5.1 Dopants isovalents 23
I.5.2 Dopants accepteurs 23
I.5.3 Dopants donneurs 23
I.5.4 Dopants polyvalents 24
I.6 Applications des matériaux ferroélectriques 24
Bibliographie 26
Chapitre II
Techniques expérimentales
II.1 Introduction 29
II.2. Synthèse par la voie solide 30
II.3. Procédure expérimentale 30
II.3.1. Mode de préparation des échantillons 30
II.3.2. Mélangeage et broyage 31
II.3.3. Traitement thermique 31
II.3.4. Second broyage 32
II.3.5. Mise en forme 32
II.3.6. Frittage 32
II.4. Techniques de caractérisations et appareillages 36
II.4.1 La diffraction de rayon X 36
II.4. 2 Caractérisation texturale de la poudre et de la céramique 38
II.4. 2.1 Analyse granulométrique 38
Sommaire
II.4. 2.2 L’analyse par microscopie électronique à balayage (MEB) 38

II.5. Mesure de la densité 40
II.6. Mesure de la porosité 40
II.7. Caractérisations diélectriques et piézoélectriques 41
II.7.1. Mesures diélectriques 41
II.7.1.1 Mesure de la constante diélectrique 41
II.7.1.2 Mesure de la résistivité (ρ) 43
II.7.1.3. Mesure de la rigidité électrique (tension de claquage) 43
II.7.1.4. Mesure de l’angle de perte 44
II.8. Mesures piézoélectriques 45
II.8.1. La Polarisation 45
II.8.2. Mesure des facteurs piézoélectriques par la méthode résonance- 46
antirésonance
II.8.2.1. Facteur de couplage planaire kp 47
II II.8.2.2. Coefficient piézoélectrique de charge d31 47
II.8.2.3. Coefficient piézoélectrique de tension g31 47
II.8.2.4. Module d'Young E 48
II.9.Conclusion 48
Bibliographie 49
Chapitre III
Caractérisation structurale de la solution solide
PZT-PMF-PZN
III.1.Introduction 51
III.2.Travaux antérieurs 51
III.3.Synthèse 52
III.4.Caractérisation structurale 52
III.5. Etude morphologique des céramiques PZT-PMF-PZN 55
III.5.1.La densité 55
Evolution de la densité en fonction de la température de frittage 55
Evolution de la densité en fonction de la composition 56
III.5.2.La porosité 57
III.5.3. Distribution granulométrique 59
Sommaire
III.5.4. Microscopie électronique à balayage 61

Taille des grains 61
III.6. Diffraction des rayons X 62
III.6.1.Phases cristallographiques 62
III.6.2. Evolution des paramètres de maille des PZT-PMF-PZN 67
III .7.Conclusion 69
Bibliographie 70
Chapitre IV
Etude physique de la solution solide
PZT-PMF-PZN
IV.1 Introduction 73
IV.2 Synthèse 74
IV.3. Caractérisation diélectrique et piézoélectrique 74
IV.3.1 Étude des caractéristiques diélectriques 74
IV.3.1.1 La permittivité diélectrique relative (εr) 74
IV.3.1.2 L’angle des pertes diélectriques (tg δ) (facteur de dissipation) 79
IV.3.1.3 La résistivité (ρ) et la conductibilité électrique (γ) 83
IV.3.1.4 La rigidité électrique 87
IV.3.2 Étude des caractéristiques piézoélectriques 87
IV.3.2.1 Le facteur de couplage électromécanique planaire Kp 87
IV.3.2.2 Le coefficient piézoélectrique de charge d31 89
IV.3.2.3 Le coefficient piézoélectrique de tension g31 91
IV.3.2.4 Le module de Young E 93
IV. 4.Conclusion 94
Bibliographies 96
CONCLUSION GÉNÉRALE
Conclusion générale 98
Liste des figures

Listes des figures
Figure page
Figure I.1 : Microstructure typique d’une surface céramique polie qui illustre 5
les grains monocristallins, joints de grains et pores.
Figure I.2: Schéma d'un condensateur : 7
(a) doté d’un vide (b) assorti d’un matériau diélectrique
Figure I.3 : Représentation de l’effet direct (a) et l’effet inverse (b) de la 8
piézoélectricité.
Figure I.4 : Représentation schématique de l’apparition de la piézoélectrique 9
Figure I.5 :Organisation des 32 classes cristallines 10
Figure I.6 : Domaines ferroélectriques dans un matériau céramique. 13
Figure I.7 : Schéma représentant un cycle d'hystérésis P = F( E ) 15
d'un corps ferroélectrique
Figure I.8 : Transition de phase de type displacif dans BaTiO3 de structure 16
pérovskite A= Ba, B=Ti.
Figure I.9 : Une des représentations de la structure Pérovskite dans sa phase 18
cubique
Figure. I.10 : Diagramme de phase du PZT 20
Figure I. 11 : Structure et direction de la polarisation en fonction 21
de la température et du rapport Zr/Ti
Figure I.12 : Disposition des axes de polarisation spontanée dans les différents 22
systèmes cristallins :-a) Quadratique (6 directions) -b) Rhomboédrique
(8directions) -c) Orthorhombique (12 directions possibles)
Figure I.13: Défauts créés dans le réseau PZT après substitution par des ions 23
donneurs ou accepteurs
Figure II.1 : Schéma des cycles de calcination. 32
Figure II.2 : Représentation schématiques du processus de fabrication de la 33
céramique
Figure II.3: Réactions physico-chimiques au sein du matériau 33
Figure II.4: Les différents stades du frittage . . 34

Liste des figures

Figure II. 5: Evolution de l’activité de PbO en fonction de la température pour 35
différents mélanges.
Figure II. 6 : Dispositif de frittage. 36
Figure II.7: Schéma représentant les éléments principaux d’un diffractomètre 37
automatique
Figure II.8 : Schéma du MEB 39
Figure II.9 : Schéma du dispositif de mesure de la permittivité Diélectrique en 42
fonction de la température.
Figure II.10: Schéma représentant le montage utilisé pour la mesure de la 44
tension de claquage
Figure II.11: Schéma représentant le montage du processus de polarisation 45
Figure II.12 : Schéma représentant le principe de la méthode résonance – 46
antirésonance.
Figure II. 13 : Schéma équivalent d’un matériau piézoélectrique. 47
Figure III.1: Diagramme DRX de PZT-PMF-PZN calcinée à 800 °C. 55
Figure III.2 : Evolution de la densité en fonction de la température de frittage la 56
température de frittage.
Figure III.3: Evolution de la densité en fonction de la composition et de la 57
température de frittage.
Figure III.4 : Evolution de la porosité en fonction de la température de frittage. 58
Figure III.5 : Evolution de la porosité en fonction de la composition. 58
Figure III.6 : Distribution granulométrique des poudres CST calcinées 60
à1180°C.
Figure III.7 : les photographies des compositions dopée par (Zn , Nb) à la 62
température de frittage 1180ºС.
Figure III.8: Spectres de diffraction typiques des phases: tétragonale (T), 63
rhomboédrique (R) et la phase tétragonale-rhomboédrique (T+R).
Figure III.9: Différentes allures des pics caractéristiques de la coexistence de la 63
phase (T+R).
Figure III.10 : Diagrammes de DRX pour les échantillons frittés à 1100, 1050 67
et 1100°C.
Figure III. 11 : Evolution des paramètres de maille et de rapport de distorsion 68
de l’échantillon N° 5 (X=0.07) en fonction de la température de frittage
Liste des figures

Figure III. 12 : Evolution des paramètres de maille et de rapport de distorsion 69
de l’échantillon N° 5 (X=0.07) en fonction de la composition.
Figure IV.1: Evolution de la constante diélectrique en fonction de la 75
température de frittage
Figure IV.2 : l’évolution de la permittivité diélectrique en fonction de la 78
température pour l’ensemble d’échantillons dopés de 0 % à 7 %.
Figure IV.3: Variation de la constante diélectrique en fonction de la 79
composition en PZN à différentes températures de frittage.
Figure IV. 4 : Evolution de tg δ en fonction de la température de frittage 80
Figure IV. 5 : Variation du facteur de dissipation en fonction de la température 82
pour l’ensemble des échantillons frittés à 1100 °C, 1150 °C, et 1180 °C
Figure IV. 6 : Variation du facteur de dissipation en fonction de la composition 83
en PZN
Figure IV.7 : Evolution de la résistivité et la conductibilité en fonction de la 86
température pour tous les échantillons à la température de frittage 1180 °C.
Figure IV.8 : Évolution du facteur Kp en fonction de la température de frittage 88
Figure IV.9 : Évolution du facteur Kp en fonction de la composition 89
température de frittage 90
Figure IV.11 : Évolution du coefficient piézoélectrique de charge en fonction 91
de la température de frittage
Figure IV.12 : Évolution de g31 en fonction de la température de frittage. 92
Figure IV.13 : Évolution de g31 en fonction de la composition. 92
Figure IV.1 : Évolution de E en fonction de la température de frittage. 93
Figure IV.15 : Évolution de E en fonction de la composition. 94
Liste des tableaux

Liste des tableaux
Tableau page
Tableau I.1: Représentation schématique pour les différents mécanismes de 14
polarisation.14
Tableau I.2: propriétés diélectriques et piézoélectriques de trois types de PZ T 24
(P, HP, SP)
Tableau II.1 : Caractéristiques des produits de départs 31
Tableau III.1: Région de coexistence des phases Tétragonale-Rhomboédrique et 64

l'indexation des plans correspondant.
Tableau IV.1: Résultats de mesure des propriétés diélectriques piézoélectriques 95
et mécaniques pour PZT-PMF-PZN dopé avec 7 % de PZN et fritté à 1180 °C.

Introduction générale

Depuis un demi-siècle, une activité de recherche importante a été dédiée aux

matériaux à structure de type perovskite ABO3 présentant des propriétés ferroélectriques
et piézoélectriques, en vue d’applications dans les dispositifs électromécaniques ou
ultrasonores. Dans ce domaine, la majorité des travaux concerne des pérovskites à base
de plomb. A titre d’exemple, parmi les composés ferroélectriques, les solutions solides
Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT) constituent les matériaux de référence en ce qui concerne les propriétés
piézoélectriques.
Les familles de titanate zirconate de plomb ont fait l’objet de très nombreuses
études, thèses et publications en raison de leurs intéressantes propriétés
piézoélectriques[1], optiques non linéaires, électro optiques et holographiques. Ces diverses
propriétés sont à l’origine de multiples applications performantes de ces matériaux à l’état
massif, sous forme de couches minces ou sous forme des fibres monocristallines dans des
domaines aussi variés que l’électronique (condensateurs) [2].
Ces oxydes sont de loin les plus étudiés. Deux raisons peuvent expliquer cet état de
fait : la première réside dans la simplicité de cette structure et la seconde dans la grande
flexibilité des substitutions ioniques envisageables. Il est ainsi possible de modifier aisément
les propriétés physiques de ces composés, par des substitutions appropriées : une
substitution sur le site A (AA’BO3) ; une substitution sur le site B (ABB’O3) ou bien une
substitution couplée sur les deux sites AA’BB’O3 [3-4]. En fin, le contrôle de la
granulométrie des matériaux synthétisés, car les propriétés des céramiques sont granulo-
dépendantes [5-6].
Les propriétés du titanate zirconate de plomb sont très sensibles au dopage sur le site
A ou site B, de leur structure pérovskite ABO3. Le rôle des dopants est généralement
l’amélioration des propriétés de ces matériaux en vue de leurs adaptations à des
applications bien spécifiques [7,8].
1


Dans le but de modifier ces propriétés physiques du titanate zirconate de plomb, nous
avons dopé le site B par le Zn, Mo, Fe et le Nb et nous avons réalisé une étude des propriétés
de ces matériaux.
L’objectif de cette étude est de synthétisé la nouvelle céramique piézoélectrique

0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 abrégé PZT-PMF-PZN en
déterminant la zone de cœxistence des deux phases ferroélectriques par deux méthodes :
l’analyse par diffraction des rayons X (méthode d’addition géométrique) et la mesure des
propriétés diélectriques et piézoélectriques.
Le corps de ce manuscrit se découpe en quatre chapitres principaux :
Dans le premier chapitre, nous commençons par rappeler quelques généralités sur les
propriétés des matériaux ferroélectriques, leurs structure pérovskite et leurs applications
industrielles, particulièrement les céramiques piézoélectriques de type PZT.
Le deuxième chapitre est un exposé des étapes de préparation des échantillons en

céramiques PZT-PMF-PZN par voie solide, ainsi une présentation des méthodes de
caractérisations morphologiques : microscope à balayage (MEB), analyse granulométrique
laser, analyse structurale par diffraction des rayons X (DRX) et les différentes techniques
expérimentales pour les caractérisations physiques.
Dans le troisième chapitre, nous interprétons les résultats de la caractérisation structurale

de PZT-PMF-PZN en fonction de la concentration de dopant et de la température à l’aide de
plusieurs techniques expérimentales (DRX et MEB).
Le quatrième chapitre concerne l’étude des propriétés physiques : diélectriques et

piézoélectriques des PZT-PMF-PZN. Ce chapitre traite également les différents facteurs
électriques en fonction de la composition, le pourcentage de dopants, la température de
frittage.
Enfin, la conclusion résume tout d’abord l’essentiel de notre travail, puis présente les
résultats optimaux des échantillons de PZT-PMF-PZN.
2


Bibliographie
[1] D. Bersani, P. P. Lottici, A. Montenero et S.Pigoni, Mat. Sci., 31 (1996) 3153-3157.
[2] A. Elmsbahi, Elaboration par voie sol-gel et Etude Physico-chimique et diélectrique de
PbTiO3 Dopé au calcium et au lanthane. Thèse doct, Université Fés (2006).
[3] X. P. Jiang, J. W. Fang, H. R. Zeng, B. J. Chu, G. R. Li, D. R. Chen, Q. R. Yin,
Elsevier, Materials Letters 44(2000)219-222.
[4] A.Boutarfaia, S. E. Bouaoud, Ceram. Int.22,p281-286,(1996).
[5] C. Palmonari, G. Timellini, Special ceramics, Ceramica (Florence), 39(1) (1986) 2-14.
[6] J.M. Haussonne, Céramiques pour composants électroniques, Techniques de
l’ingénieur (1996) E1820.
[7] C. Huber, Synthèse et caractérisation de nouveaux matériaux ferroélectriques
accordables pour applications hyperfréquences, thèse, Université Bordeaux I, (2003).
[8] R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, H. Murray, Orientation control of textured
PZT thin films sputtered on silicon substrate with TiOx seeding, Materials research
bulletin, 35(9)(2000) 1381-1390.
3

Chapitre I Généralités

Chapitre I
Généralités
I.1. Historique
La piézoélectricité, la pyroélectricité et la ferroélectricité sont connues depuis de
nombreuses années. Le phénomène électrique qui résulte de l’action d’une contrainte
mécanique sur certains cristaux fut observé qualitativement pour la première fois en 1817 par
l’Abbé René Just HAUY. L’étude théorique et expérimentale de ce phénomène fut entreprise
par les frères Pierre et Jacques CURIE [1] en 1880, à qui l’on attribue la découverte de l’effet
piézoélectrique direct. L’effet piézoélectrique inverse fut énoncé théoriquement par LIPMAN
en 1881 et vérifié expérimentalement la même année par les frères CURIE. Cet effet inverse
se manifeste par une déformation mécanique provoquée par l’application d’un champ
électrique. Les premières applications industrielles apparaissent pendant la première guerre
mondiale avec le générateur d’ondes ultrasonores pour la mesure et la détection sous-marine
mis au point par Paul LANGEVIN. A partir de 1943 les progrès technologiques permettent
l’élaboration des premiers matériaux piézoélectriques sous forme de céramiques de titanate de
baryum. Quelques années plus tard, des céramiques formées de solutions solides de zircono-
titanate de plomb (PZT) de formule de base Pb(Zr1-x Tix )O3 furent mises au point.
Aujourd’hui les céramiques de types PZT sont utilisées dans de nombreuses applications
telles que les générateurs d’impulsions, les capteurs et les actionneurs.

I.2. Définitions
I.2.1. Isolant: une substance qui a une conductivité électrique suffisamment faible pour être
utilisée afin de séparer des pièces conductrices portées à des potentiels différents. On peut
considérer comme synonymes les mots isolant et diélectrique.
I.2.2. Céramique : Le terme céramique évoque souvent des objets rustiques comme des
poteries, des briques et des tuiles mais le terme de céramique signifie plus généralement un
solide qui n'est ni un métal ni un polymère. Une céramique est un matériau solide de synthèse
4


qui nécessite souvent des traitements thermiques pour son élaboration. Les céramiques
modernes sont préparées à partir de poudres consolidées (mise en forme) et sont densifiées
par un traitement thermique (le frittage). La plupart des céramiques sont des matériaux
polycristallins, c’est à dire comportant un grand nombre de microcristaux bien ordonnés
(grains) reliés par des zones moins ordonnées (joins de grains) comme illustré en figure.I.1.
Figure I.1 : Microstructure typique d’une surface céramique [2].
I.2.3. Les matériaux paraélectriques
Parmi les diélectriques, certains matériaux sont dits polarisables: sous l’action d’un
champ électrique, leurs charges positives se déplacent selon la direction du champ et leurs
charges négatives selon la direction opposée, créant des dipôles électriques +/- orientés
parallèlement au champ. Une fois le champ électrique annulé, les charges reprennent leur
position d’équilibre et la polarisation disparaît. Ce sont des matériaux paraélectriques.
D’autres propriétés peuvent être observées pour des matériaux polarisables ayant une
symétrie particulière. En effet l’agencement des charges, qui est régie par la symétrie du
matériau, influe sur les possibilités de mouvement de ces charges. Ainsi les caractères
piézoélectrique, pyroélectrique et ferroélectrique ne sont observés que pour certaines
symétries de cristaux [2].
I.2.4. Diélectrique: Contrairement aux métaux, les matériaux diélectriques possèdent des
charges électriques localisées qui ne peuvent se déplacer que très faiblement par rapport à leur
5


position d’équilibre (d’où leur propriété d’isolant électrique). On distingue deux types de
diélectriques.
Les diélectriques idéaux

Les matériaux diélectriques idéaux sont des matériaux qui ne sont pas conducteurs du
courant électrique puisqu’ils ne contiennent pas de charge libres dans leur structure.
Les diélectriques réels
Ils contiennent un certain volume de charges libres provenant des impuretés. Ainsi, on
peut observer une très légère conduction surfacique, surtout en basses fréquence.
Autrement:
Un matériau est dit diélectrique lorsqu’il se polarise quand il est placé dans un champ
électrique, c'est-à-dire, qu'il se comporte comme une collection de dipôles élémentaires qui
s'orientent suivant le sens du champ électrique [3].
Les qualités électriques des céramiques sont liées aux propriétés suivantes ou à leurs
combinaisons [4,5]:
- permittivité diélectrique.
- facteur de pertes.
- rigidité diélectrique.
- résistivité.
a. La permittivité diélectrique (εr)
La constante diélectrique εr représente la potentialité du matériau à opposer des

charges fixes à celles d’un champ électrique (figure I.2). En opposant ces charges, le matériau
offre une plus grande permittivité au champ appliqué [6].
La capacité de ce condensateur est exprimée par la relation :
C = ε (S/d)
Dans cette expression, S : représente la surface des armatures et d : la distance entre
celles-ci. Cette capacité est comparée à celle d’un condensateur où le diélectrique est le vide,
de constante ε0 (8,8534.10-12 F/m) et donc de capacité :
C0 = ε0 (S/d)
En comparant ces deux expressions, on obtient la valeur du constant diélectrique
relative du matériau :
C /C0 = εr
6


La constante diélectrique εr symbolise la propriété du matériau à s’opposer au
passage d’un courant électrique. Plus le matériau limite le passage d’un courant électrique et
plus sa constante diélectrique est élevée. Mais comme nous l’avons dit précédemment, tous
les diélectriques ne sont pas parfaits et il reste des charges libres sur les armateurs des
condensateurs. Alors, il convient d’exprimer la constante diélectrique relative sous la forme
complexe suivante : εr* = εr’+ i. εr’’. εr’ : représente la partie réelle de la permittivité
relative alors que εr’’ : est liée aux pertes du système.
Figure I.2: Schéma d'un condensateur :

(a) doté d’un vide (b) assorti d’un matériau diélectrique [6].
b-L'angle de perte
On appelle pertes diélectriques la partie de l'énergie électrique qui se transforme en
chaleur dans les milieux diélectriques. Une partie de ces pertes, due au courant momentané est
dite ohmique, l'autre partie associée au déplacement des charges est dite pertes diélectriques.
c- L'élasticité
Le module de Young (module d'élasticité) traduit la rigidité d'un matériau, c'est-à-dire
la propriété qu'à un matériau à se déformer de façon élastique réversible sous l'action d'une
contrainte, sa formule est donnée par la relation :
E= (Contrainte / Déformation) (N/m)
La grandeur de module de Young dépend de l'intensité des liaisons atomiques.
d- La résistivité et la conductibilité électrique
Les isolants électriques, appelés également diélectrique sont des matériaux dont la
résistivité est extrêmement élevée. Elle peut diminuer jusqu'à des valeurs très basses sous
l'effet du dopage, de la température,…etc.
La conductibilité ou la conductivité électrique n'est que l'inverse de la résistivité [7].
7


e- La rigidité diélectrique
Tout matériau diélectrique soumis à un champ électrique perd, d'une manière

définitive ses propriétés d'isolation, si le champ dépasse une valeur critique, à laquelle
correspond une tension de claquage. Le paramètre correspondant est donc le gradient de
tension de claquage, appelé rigidité diélectrique et exprimé comme une tension par unité de
longueur [8].
La rigidité électrique permet de déterminer l'épaisseur minimale d'isolant à utiliser

sous une tension donnée pour éviter le claquage (passage brusque du courant à travers
l'isolant), quand la température augmente la tension de claquage diminue. La rigidité
diélectrique dépend de nombreux facteurs tels que la porosité, la taille et l'homogénéité des
grains.
I.2.5. La piézoélectricité
On appelle piézoélectricité la propriété que possède certains matériaux (cristaux,

céramiques ou polymères) à pouvoir transformer une énergie mécanique en une énergie
électrique, c’est l'effet piézoélectrique direct. Une polarisation électrique est alors induite par
une déformation mécanique (contrainte mécanique). Cette polarisation est proportionnelle à la
déformation et change de signe avec elle. Il existe un effet réciproque encore appelé
effet piézoélectrique inverse. Dans ce cas, l’application d'un champ électrique externe
provoquera une déformation mécanique du matériau [9,10].
Ce sont les frères Curie qui ont observé et expliqué l'effet direct en 1880.
Lippmann [11] a ensuite déterminé théoriquement l'effet inverse qui a finalement était
confirmé expérimentalement par les frères Curie [12]. Les effets piézoélectriques direct et
inverse sont schématisés dans la figure I.3.
Figure I.3 : Représentation de l’effet direct (a) et l’effet inverse (b) de la piézoélectricité [9].
8


I.2.5.1. Symétrie et piézoélectricité
Les propriétés de symétrie des cristaux ont une importance fondamentale pour
l’existence ou non de la piézoélectricité. Tous corps présentant un centre de symétrie ne peut
pas être piézoélectrique alors que les cristaux ne possédant pas de centre de symétrie peuvent
l’être (figure I.4).
Figure I.4 : Représentation schématique de l’apparition de la piézoélectrique
Sur les 32 classes cristallines, 21 sont dépourvues de centre de symétrie. Parmi celles-
ci 20 sont piézoélectriques (figure I.5) [13].
9


32 Classes cristallines
11 Centresymetriques 21 Non
centrosymetriques
Non piézoélectriques 20 Piézoélectriques 01 Non piézoélectrique
10 Non pyroélectriques
Non ferroélectrique
10 Pyroélectriques
Ferroélectriques
Non ferroélectriques
Figure I.5 : Organisation des 32 classes cristallines [13].
I.2.5.2. Coefficients piézoélectriques

Le phénomène piézoélectrique se manifeste par la conversion de l'énergie électrique
en énergie mécanique et réciproquement. Trois types de coefficients interviennent :
Des coefficients purement électriques.
Des coefficients purement mécaniques.
Des coefficients mixtes qui traduisent le couplage entre les grandeurs électriques et les
grandeurs mécaniques.
I.2.5.2.1. La constante piézoélectrique de charge dmn
Elle indique la charge produite par une force d'unité ou la déformation produite par un
potentiel donné.
10


a- Effet direct (à champ constant)
b- Effet inverse (à effort constant)
I.2.5.2.2. La constante piézoélectrique de tension g mn

Elle indique le gradient de potentiel causé par un effort donné, ou réciproquement la
contrainte produite par une densité de charge donnée.
a- Effet direct (à induction constante)
b- Effet inverse (à effort constant)
Les deux indices des coefficients piézoélectriques (m, n) désignent respectivement la

direction de l’axe de polarisation et celui de la déformation de l’échantillon [14].
I.2.5.2.3. Coefficient de couplage électromécanique K
Les céramiques piézoélectriques sont également caractérisées par un coefficient de
couplage électromécanique K. Il caractérise la qualité de la conversion électromécanique dans
le matériau piézoélectrique [15] et donc l'aptitude de l'oscillateur à transformer l'énergie
électrique en énergie mécanique.
Ce coefficient varie en fonction de la géométrie des matériaux et de leur mode de

vibration. Les coefficients K sont calculés à partir des courbes d'admittances en fonction de la
fréquence. Dans notre cas le mode de vibration est radial et la céramique est sous forme d’un
disque, alors les coefficients utiles sont : Kp, d31, g31.
11


I.2.6. La pyroélectricité
La pyroélectricité est par définition la relaxation de charges électriques due à la

variation thermique au sein du matériau. Les matériaux pyroélectriques constituent une sous
classe des matériaux piézoélectriques. Cette classe est polaire c’est à dire que ces matériaux
manifestent une polarisation spontanée en l’absence d’un champ électrique externe appliqué.
Cette polarisation varie avec la température.
I.2.7. La ferroélectricité
Nous rappelons qu’un matériau ferroélectrique possède une polarisation spontanée

même en absence d’un champ électrique extérieur en dessous de la température de Curie.
Cette polarisation spontanée est susceptible d’être réorientée ou même renversée sous
l’action du champ électrique extérieur [16].
La plupart des matériaux ferroélectriques sont fabriqués sous forme de céramiques

polycristallines, mais il est possible d’obtenir ces matériaux sous forme de monocristaux, qui
sont par ailleurs souvent extrêmement fragiles [17]. Les céramiques polycristallines
ferroélectriques sont formées de grains et par conséquent de joints de grains. Le grain
est composé par des domaines pouvant avoir des dipôles orientés dans la même direction.
Chaque domaine présente donc sa propre polarisation spontanée et deux domaines
adjacents possédant des directions de polarisation différentes définies par la symétrie
cristalline sont séparés par une frontière appelée mur de domaine. Sous sollicitation
électrique ou mécanique, les murs de domaines se déplacent et leur mouvement est
responsable de certaines pertes d’énergies dans la céramique [18].
Les domaines ferroélectriques se forment généralement pour minimiser l’énergie

élastique, associée aux contraintes mécaniques subies par le matériau lors de la transition de
phase, et forment entre eux des angles qui différent selon la structure de la phase en présence
[19]:
- 90° et 180° dans la phase quadratique.
- 71° et 109° et 180° dans la phase rhomboédrique.
Les domaines à 90° minimisent l’énergie élastique alors que les domaines à 180°
minimisent l’énergie électrique.
12


Dans les matériaux de structure pérovskite, les domaines à 180° basculent
complètement, car le réseau ne subit pas de déformation structurale. En revanche, les
domaines à 71°, 109°, 90° induisent des déformations importantes du réseau cristallin qui se
traduisent par une réorientation partielle de ces domaines (Figure I.6).
Figure I.6 : Domaines ferroélectriques dans un matériau céramique [2].
I.2.7.1. Mécanisme de la polarisation
Un corps isolant possède des dipôles électriques dont le moment à pour expression :
µ=Q.d
Q: charge ponctuelle
d : distance séparant les 2 charges
L’application d’un champ électrique tend à aligner ces dipôles dans la direction du
champ. Le vecteur de polarisation P correspond en intensité, dans le cas d’un diélectrique
polarisé, à la densité de charges liées à la surface des armatures. La polarisation est le résultat
de plusieurs contributions (tableau I.1) [20]
13


Tableau I.1 : Représentation schématique pour les différents mécanismes de
polarisation [20].
I.2.7.2. Cycle d’hystérésis
Lorsqu’on soumet un matériau ferroélectrique à un champ électrique alternatif, à partir

d'un état initial pour lequel la résultante des dipôles des divers domaines est nulle, la courbe
d'excitation P = f ( E ) atteint une valeur maximale Ps ( Figure I.7), cette valeur correspond
à la polarisation de saturation.
Lorsqu’on inverse la direction du champ extérieur et qu'on diminue son

intensité jusqu'à ce qu'elle atteigne une valeur nulle, une polarisation rémanente P r
subsiste dans le matériau. Ceci permet de définir un champ coercitif noté (Ec), champ
électrique nécessaire pour réorienter les dipôles du matériau ferroélectrique.
14


Figure I.7 : Schéma représentant un cycle d'hystérésis P = F( E )
d'un corps ferroélectrique
I.2.7.3. Le point de Curie ferroélectrique Tc
Le point de Curie Tc est la température à laquelle un matériau ferroélectrique subit une

transition de phase structurale vers un état où la polarisation spontanée disparaît. Au point de
Curie, la permittivité diélectrique relative εr atteint une valeur maximale. Au delà de Tc, le
matériau ferroélectrique devient paraélectrique et εr suit la loi de Curie:
Avec
C: constante de Curie
T: température absolue (K)
To: température de Curie-Weiss (K).
I.2.7.4. Transition de phase
Dans la plupart des cas, les matériaux ferroélectriques ont une température de transition
appelée le point (ou température) de curie TC, au-delà de laquelle le matériau n'est plus
ferroélectrique. En diminuant la température, les matériaux ferroélectriques subissent une
transition de phase qui se traduit par le passage d'une phase non-ferroélectrique à une phase
15


ferroélectrique, cette transition de phase qui s`est produite peut être de type ordre- désordre
et/ou de type displacif (figure I.8).
Figure I.8 : Transition de phase de type displacif dans BaTiO3 de structure pérovskite.
Dans le premier cas, les dipôles permanents sont d’amplitude fixe. A T ≥ Tc ,

ils s'orientent selon les axes préférentiels de la structure à basse température.
Dans le second cas, les dipôles sont d'orientation fixe. A T ≤ Tc , les ions s'écartent
de leur position d'équilibre occupée dans la phase à haute température pour créer une
polarisation spontanée, c'est le cas des matériaux de structure pérovskite.
Les transitions de phase ferroélectrique – paraélectrique peuvent être mises en

évidence par de nombreuses techniques [21] : mesures pyroélectriques (maximum du courant
pyroélectrique en fonction de la température), mesures diélectriques (maximum de εr en
fonction de la température, cycle d'hystérésis polarisation-champ électrique et disparition
de Ps au point de Curie), la diffraction des rayons X (discontinuité thermique des
paramètres et changement du groupe ponctuel), l’analyse thermique différentielle, les
mesures piézoélectriques et la microscopie (disparition des domaines ferroélectriques).
I.2.8. Vieillissement
Les propriétés des matériaux ferroélectriques soumis à des sollicitations
mécaniques, électriques ou thermiques répétées peuvent être modifiées et décroître
sensiblement avec le temps. Ce phénomène appelé vieillissement est relié à la variation
progressive de la configuration des murs de domaines avec le temps. Ces derniers se
réarrangent dans une configuration plus stable qui minimise l’énergie de la céramique
16


piézoélectrique. Dans certains matériaux cela fait apparaître un champ interne E i de
direction opposée à l’axe de polarisation qui diminue sensiblement la polarisation
rémanente. On exprime généralement la variation des propriétés piézoélectriques au cours
du temps de la manière suivante :
X(t) = X(t0) + A ln(t/t0 )
Où t est le point de départ de la mesure, A correspond à la vitesse de

vieillissement et X représente la grandeur piézoélectrique considérée.
I.3. La structure pérovskite
Les pérovskites forment une large famille de matériaux cristallins dont le nom
dérive d’un minéral naturel: le titanate de calcium (CaTiO3) identifié par le
minéralogiste russe L. A. Perovski. La phase pérovskite est l’une des phases ternaires
les plus répandues et les plus étudiées dans le domaine de la ferroélectricité. Par
extension, on désigne sous la dénomination générique de pérovskite un nombre
considérable d’oxydes mixtes représentés conventionnellement sous la formule chimique
ABO3. La maille prototype contient une seule molécule ABO3 avec:
A un cation de grand rayon ionique (ex : Ba, Ca, Pb, Rb, Sr, Na, K, ….)
avec douze anions d’oxygène comme proches voisins (coordinance égal à 12).
B un cation de rayon ionique plus faible (ex : Ti, Sn, W, Zr, Nb, Ta, …), de valence
plus grande entourée par six anions d’oxygène comme proches voisins (coordinance
6).
est l’ion d’oxygène, possédant dans cette structure six proches voisins (4 cations du
type A et 2 du type B).
La structure pérovskite idéale présente une maille cubique simple où:
 les atomes A occupent les sommets des cubes,

 les atomes B occupent les centres des cubes,
 les atomes d’oxygène O occupent les centres de faces,
On peut également obtenir le même réseau par une répétition de structure cubique
où les atomes A occupent le centre du cube, les atomes B les sommets et les atomes
d’oxygènes le milieu des arrêtes du cube (figure I.9)
17


Figure I.9 : Une des représentations de la structure Pérovskite dans
sa phase cubique [23].
I.3.1. Conditions de stabilité
Pour qu’un composé de formule générale (A1A2A3. . . .An)(B1B2B3. . .Bn)O3, dont la

plus simple est ABO3, possède une structure de type pérovskite, il doit satisfaire trois
type de conditions.
I.3.1.1. Condition d’éléctroneutralité

n
X
i
Ai Z Ai  X Bj Z Bj  6
Où :
XAi : fraction de moles du cation Ai.
XBj : fraction de moles du cation Bj.
ZAi : nombre de valence du cation Ai.
ZBj : nombre de valence du cation Bj.
I.3.1.2. Condition stœchiométrique

n
X i 1
Ai  1, 0  X Ai  1
X
j 1
Bj  1, 0  X Bj  1
I.3.1.3. Condition géométrique [22]
GOLDSCHMIT définit un facteur de tolérance t:
18


R A  R0
t
2 RB  R0 
Où :
n
R A   X Ai  R Ai moyenne des rayons des ions A.
i 1
m
RB   X Bj  RBj moyenne des rayons des ions B.
j 1
D’après POIX, (t) varie entre 0,8 et 1,05 pour la structure perovskite.
 Si t = 1, tous les ions sont en contact, l’empilement est parfait.

 Si t < 1, l’ion A dispose d’un espace plus grand pour se mouvoir.
 Si t > 1, l’ion B peut se déplacer dans la maille.
I.4. Les céramiques piézoélectriques de type PZT
Les premiers matériaux piézoélectriques à base de zircono – titanates de plomb notés

PZT ont été élaborés dès 1954. Ils se sont répandus très rapidement car leurs propriétés
supplantent de loin celles de toutes les autres familles de composés.
Les PZT sont préparés à partir d'un mélange binaire de PbTiO3 (ferroélectrique) et de
PbZrO3 (antiferroélectrique) [30-33]. Il faut savoir que ce mélange est miscible en toutes
proportions. Le produit de ce mélange Pb(Zrx, Ti vx)O3 à des caractéristiques piézoélectriques
et diélectriques nettement supérieures à celles des composés initiaux [34]. Les propriétés de
ces PZT sont optimales au voisinage de PbZrO3 52 % / PbTiO3 48 %, rapport qui correspond
à la transition de phase entre deux systèmes cristallographiques [23].
I.4.1. Diagramme de phase des solutions solides de Pb(Zr1-x,Tix)O3
Au-dessus de la température de Curie, c'est dans la phase cubique que le PZT

cristallise. En dessous de cette température Tc, différentes structures deviennent possibles en
fonction du rapport de Zr et de Ti. Nous pouvons classer ces structures en fonction du taux de
zirconium noté "x" dans la formule générique : Pb (Zr1-x, Tix)O3.
19


Pour x < 0,45, nous sommes dans le domaine riche en zirconium et la phase de
cristallisation présente une structure rhomboédrique. Le PZT possède un moment
dipolaire permanent.
Pour x > 0,55, nous sommes dans le domaine riche en titane et cette fois la phase de
cristallisation présente une structure quadratique.
Pour une valeur de x entre 0,45 et 0,55, nous avons un mélange des deux structures et
c'est pour cette raison que cette phase se nomme morphotropique. C'est dans cet intervalle que
les propriétés piézoélectriques du PZT sont les meilleures.
La Figure I-10 donne le diagramme de phase du PZT en fonction du

pourcentage de titanate de plomb en solution solide dans du zirconate de plomb, les deux
étant miscibles en toute proportion. Nous pouvons noter qu'une petite zone
correspondant à une céramique pauvre en titane est anti-ferroélectrique (noté AF sur la
figure I.10) la partie grisée est la zone morphotropique.
Figure I.10 : Diagramme de phase du PZT
I.4.2. Domaines ferroélectriques dans les PZT

Dans les PZT, les distorsions de la maille cubique en dessous de la température de
Curie donnent principalement naissance à deux phases ferroélectriques dont le domaine
d’existence dépend du rapport Zr/Ti.
20


En fait, ces distorsions provoquent le déplacement des positions d’équilibres des ions
de réseau, ce qui conduit à une séparation des centres des charges positives et négatives et
donc la formation d’un dipôle permanent. Suivant les différentes phases de la maille, la
direction de la polarisation n’est pas la même comme l’indique la figure I.11 [24].
Zr/Ti
Cubique
Pb
O PbTiO3
PbZrO3 350°C
Ps
Ps
Rhomboédrique Tétragonale
FMP
Figure I. 11 : Structure et direction de la polarisation en fonction
de la température et du rapport Zr/Ti [24].
Dans la phase tétragonale, la polarisation spontanée Ps se développe suivant un axe

parallèle à (cT) et joignant les milieux des faces opposées de la maille cubique. Comme les
six directions (100) suivant les trois axes de la maille cubique sont équivalentes, Ps peut se
développer de manière équiprobable le long de ces six directions quand la température est
inférieure à TC.
Dans la phase rhomboédrique, Ps se développe suivant les diagonales joignant deux
sommets opposés (directions (111)) de la maille cubique. Il existe donc huit directions
possibles de la polarisation spontanée.
En conséquence, les domaines ferroélectriques qui se forment pour minimiser
l’énergie élastique, associée aux contraintes mécaniques et subies par le matériau à la
transition de phase, forment entre eux des angles de :
 90° et 180° dans la phase tétragonale.
 71°, 109° et 180° dans la phase rhomboédrique.
21


La polarisation rémanente maximale (Pr), qui peut être obtenue après polarisation du
matériau, dépend du nombre de directions possibles de Ps.
Les compositions incluses dans la FMP présentent une polarisation rémanente
importante, car il existe 14 directions possibles (6 directions possible pour la phase
quadratique et 8 pour la phase rhomboédrique) de Ps en raison du mélange de phase
rhomboédrique/tétragonale (figure I.12). En effet, les coefficients piézo-électriques, les
coefficients de couplage, la permittivité diélectrique et la polarisation rémanente des
céramiques PZT passent par un maximum dans la région de FMP mais pas nécessairement
pour le même rapport Zr4+/Ti4+ [25, 26].
Figure I.12 : Disposition des axes de polarisation spontanée dans les différents systèmes
cristallins a) Quadratique (6 directions) b) Rhomboédrique (8 directions) c)
Orthorhombique (12 directions possibles) [25].
I.5. Classification des dopants
Les matériaux ferroélectriques sont rarement utilisés pour des applications

techniques ou très spécifiques dans leur formulation simple : Afin d’optimiser leur
intégration dans les dispositifs, ils sont généralement modifiés par l’ajout d’un ou plusieurs
cation étrangers qui vont se substituer aux sites A ou B de la structure pérovskite ABO3 et
parfois par des anions en remplacement de l’oxygène (figure I.13). Les dopants sont
généralement classés en trois catégories [27,28].
22


Figure I.13 : Défauts créés dans le réseau PZT après substitution par des ions donneurs
ou accepteurs
I.5.1. Dopants isovalents
Ce sont les ions ayant la même valence et des rayons ioniques généralement
voisins. Ainsi les dopants les plus connus qui peuvent remplacer l’ion A (en référence,
Pb2+) sont Mg2+, Ba2+, Sr2+. La substitution de Pb2+ par ces éléments permet d’augmenter le
caractère ionique de la maille pérovskite, d’abaisser la quadracité c/a, d’améliorer les
propriétés diélectriques et de diminuer la température de curie Tc [29].
I.5.2. Dopants accepteurs
Les additifs accepteurs sont communément appelés dopants durs. On peut citer K+ et
Na+en site A et Fe2+, Fe3+, Co2+, Co3+, Mn2+, Mn3+, Ni2+, Mg2+, Al3+, Ga3+, In3+, Cr3+ et Sc3+
en site B de la structure pérovskite. En effet, ces dopants provoquent une augmentation du
champ coercitif, du facteur de qualité mécanique, de la conductivité, une diminution de la
permittivité, des pertes diélectriques et des coefficients de couplage [30].
I.5.3. Dopants donneurs
Les additifs donneurs ou dopants doux, sont des ions dont la valence est supérieure à
celle de l’ion substitué. Parmi les dopants doux, on peut citer La3+, Nd3+, Bi3+, Sb3+ et d’autres
terres rares en site A, ainsi que Nb5+, Sb5+, et W6+en site B. Le principal effet, induit par les
dopants donneurs, est l’augmentation des coefficients de couplage, de la permittivité et des
pertes diélectriques. On observe également une diminution de la conductivité, du champ
coercitif, du point de Curie et des facteurs de qualité mécanique [31].
23


I.5.4. Dopants polyvalents
Ce sont les dopants qui possèdent une valence variable, tel que le manganèse
et l’uranium. Ces additifs peuvent changer de valence (nombre d’oxydation variable)
pour s’adapter à la valence du site vacant à occuper [19]. Le tableau I.2 donne un ordre de
grandeur des paramètres essentiels pour une PZT non dopée (P), une PZT dure (HP) et une
PZT douce (SP).
Tableau I.2: propriétés diélectriques et piézoélectriques de trois types de PZT (P, HP, SP)
[19].
I.6. Applications des matériaux ferroélectriques

Dans un premier temps, les matériaux ferroélectriques ont été utilisés pour le
développement des différents types de condensateurs [32]. Ces dispositifs sont réalisés à
partir de diélectriques présentant une permittivité très élevée. Ces dernières années, de
nouvelles applications des matériaux ferroélectriques sont apparues dans différents domaines.
On peut rappeler les dispositifs « PTCR », c'est-à-dire les résistances à coefficient différents
domaines, de température positif [33], les tenseurs pyro- et piézoélectriques et les dispositifs
24


électro-optiques [34]. Les céramiques diélectriques font l’objet également d’études de
développement important. Citons les résonateurs diélectriques, les substrats multicouches
pour circuits rapides, la protection contre les dispositifs microondes, les absorbants
hyperfréquences pour la furtivité et même le frittage microonde.
En électronique, les applications des matériaux diélectriques et ferroélectriques se
trouvent généralement dans le domaine des mémoires. Les plus connus sont les mémoires non
volatiles DRAM (Dynamic Random Access Memory) utilisant un matériau diélectrique et
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) intégrant un matériau ferroélectrique pour le
stockage de l'information. Compte tenu de leur faible temps d'accès et de leur faible
consommation, les mémoires ferroélectriques FRAM sont surtout développées pour les
applications cartes à puces sans contact (pas de contact physique entre la carte et le lecteur).
L’expansion de ces applications est si rapide qu’il est important d'optimiser la fabrication de
ces matériaux et de développer des modèles permettant de mieux appréhender la dégradation
de leurs propriétés, ceci afin de produire des dispositifs plus fiables.
25


Bibliographie
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cristaux hémièdres à faces inclinées. Comptes Rendus des Séances de l’Académie des
Sciences Paris, Tome 91, 295 p, (1880).
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26


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27


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[34] A.G. Chynoweth, Surface Space-Charge Layers in Barium Titanate, Physical
Review, 102(1956)705-714
28

Chapitre II Techniques expérimentales
Chapitre II
Techniques expérimentales
II.1. Introduction
Ce chapitre expose en premier lieu les techniques de synthèse et de mise en

forme employées lors de la préparation des céramiques de structure pérovskite. Il
décrit ensuite les techniques de caractérisation physico-chimiques permettant
d’explorer leurs propriétés chimiques, structurales, microstructurales, électriques et
électromécaniques.
Les différentes techniques d’élaboration des poudres peuvent être classées en
deux catégories : la synthèse par la méthode solide et la synthèse par la méthode
liquide ou chimique.
La méthode céramique est la plus utilisée au laboratoire et à l’industrie à cause
de sa simplicité et son faible coût de revient.
La fabrication de la céramique fait intervenir de nombreuses étapes qui
peuvent être regroupé en quatre parties :
Préparation ou synthèse des poudres,
Calcination ou chamottage : un traitement thermique,
Mise en forme,
Frittage.
L’élaboration de la poudre et le procédé de frittage sont des étapes cruciales

dans le procédé de fabrication de la céramique. En effet, les caractérisations de la
céramique dépendront d’une part de la pureté, de l’homogénéité et de la distribution
granulométrique de la poudre et d’autre part de la température et du temps de
frittage.
29
II.2. Synthèse par la voie solide
Cette méthode de synthèse consiste à faire réagir à haute température (vers

900°C) un mélange pulvérulent d'oxydes et/ou de carbonates des espèces à introduire.
Les réactifs de départ (ou précurseurs) sont généralement l'oxyde de plomb (PbO), le
dioxyde de titane (TiO2) et le dioxyde de zirconium (ZrO2). Bien que facile à mettre
en oeuvre et peu coûteuse, la voie solide présente quelques inconvénients : la réaction
à haute température peut entraîner la volatilisation de PbO, ce qui rend le PZT non
stoechiométrique. De plus, la poudre calcinée est généralement inhomogène en
composition à cause de la formation de phases mixtes intermédiaires comme PbTiO3
pendant le chauffage, TiO2 étant plus réactif que ZrO2 [1]. En effet, l'apparition de
PbTiO3 dans le mélange réactionnel vers 500°C implique des diffusions solide - solide
longue distance qui provoquent des fluctuations de composition, c'est-à-dire une
distribution non uniforme des ions Ti4+ et Zr4+ en site B de la perovskite Pb(ZrxTi1-x)O3
[2]. Enfin, la poudre de PZT obtenue après calcination est souvent constituée de gros
grains et à distribution granulométrique large.
Afin d’éviter ces inconvénients, il est important que les matériaux de départ
soient bien broyés pour réduire la taille des particules et qu’ils soient très bien
mélangés pour avoir une surface de contact maximum et réduire la distance de
diffusion des réactifs.
II.3. Procédure expérimentale
II.3.1. Mode de préparation des échantillons
Dans notre étude les céramiques de type PZT ont été synthétisées à partir d'un
mélange d'oxydes. Les composés de départ sont des produits commerciaux: PbO,
ZrO2, TiO2, Fe2O3, MoO3, ZnO et Nb2O5. Le tableau II.1 résume les caractéristiques
des produits de départ. Ces composés sont des produits purs «pour analyse» pour
lesquels le taux d’impuretés résiduelles n’affecte pas les propriétés physiques de
façon remarquable.
30
Tableau II.1 : Caractéristiques des produits de départs

Oxides Pureté (%) Fournisseur
PbO 99 Biochem
ZrO2 99 Alfa Aesor
TiO2 99 Biochem
MoO3 99 Biochem
Fe2O3 99 Biochem
Nb2O5 99.9 Alfa Aesor
ZnO 99.8 Biochem
II.3.2. Mélangeage et broyage
Les quantités de produits nécessaires à la synthèse d'un mélange d'environ 40

grammes pour chaque composition sont calculées, pesées et mélangées dans
l’acétone. Le mélange est broyé dans un mortier en verre pendant 5 h puis séché dans
l’étuve pendant 1 h afin de dégager l’acétone et l’humidité. Le broyage permet
d’obtenir des particules fines, ce qui favorise la réaction suivante par une diffusion
solide-solide plus rapide. Ensuite la poudre est compacté sous forme de pastilles de
masse 3 g avec une pression de 100 kg/cm2 à l’aide d’une presse manuelle.
L'ensemble des pastilles est chauffé d'abord doucement, dans un premier temps à
120 °C pendant 30 min pour éliminer l’acétone et évacuer la vapeur d'eau.
II.3.3. Traitement thermique

Le traitement thermique appelé aussi calcination est réalisé vers 800°C
pendant deux heure dans un four programmable (Nabertherm-D 2804-
Lilienthal/Bremen) avec une vitesse de chauffage de 2°C/min pour former la solution
solide PZT dopé. La figure II.1 montre le schéma des cycles de calcination.
31
Sous l’air
Température
de calcination (°C) Refroidissement
2°/min naturel
2 heures (Temps
de maintien)
Température
ambiante (°C)
Temps (min)
Figure II.1 : Schéma des cycles de calcination.
II.3.4. Second broyage

Le but est de séparer les agglomérats, homogénéiser la poudre qui n’a
généralement pas réagi uniformément lors du chamottage, et réduire la taille des
particules afin d’augmenter la réactivité de la poudre. Ce broyage est réalisé dans des
conditions identiques au premier broyage [3].
II.3.5. Mise en forme
On ajoute à la poudre élaborée, par voie solide, des gouttes d’eau bidistillée
pour faciliter le compactage de la poudre et pour avoir une bonne distribution des
grains (augmenter la densité et la surface de contact des grains).
La mise en forme des échantillons est faite sous pression uniaxiale de la
poudre de 1,1g de poids à 2700Kg/cm2, les échantillons prennent alors des formes
cylindriques de diamètre fixe (13 mm) et d’épaisseur variable selon la force appliquée
II.3.6. Frittage
 Définition et généralités
Le frittage, terme générique englobant tous les processus physiques

permettant le passage d’un matériau pulvérulent à un matériau ayant une certaine
tenue mécanique, peut dans certains cas, s’établir naturellement sans l’action d’une
contrainte extérieure, simplement par augmentation de la température. Le cycle
d’élaboration d’une céramique est représenté schématiquement dans la figure II.2.
32
Figure II.2 : Représentation schématiques du processus de fabrication de la

céramique
Le frittage peut être décrit comme étant la consolidation par action de chaleur
d’un agglomérat granulaire plus ou moins compact, avec ou sans fusion d’un ou
plusieurs constituants [4-5]. La microstructure des poudres compactées varie pendant
cette opération. Une densification est caractérisée par une diminution de la porosité
qui se traduit par un retrait volumique et une croissance de la taille des grains (figure
II.3). Au cours du traitement, si l’agitation thermique est suffisante pour permettre la
diffusion de la matière, deux phénomènes coexistent simultanément : le soudage des
grains et le grossissement, responsable de la réduction de surface. Les deux types de
frittage les plus utilisés sont:
Frittage en phase solide (conventionnel) : lorsqu’il n’y a pas fusion, ce sont
alors uniquement les défauts ponctuels qui interviennent ;
Frittage en phase liquide : lorsqu’une partie de la matière atteint la fusion, on
a alors des phénomènes de viscosité et de mouillabilité qui entrent en jeu.
Figure II.3 : Réactions physico-chimiques au sein du matériau
33
 Les différents stades du frittage

Les différentes techniques de mise en forme des poudres de céramique,
permettent d’obtenir un échantillon compact possédant une densité relative allant de
40 à 60 % de la densité théorique. Le frittage a alors pour but de faire croître les
liaisons entre les grains, consolidant ainsi le matériau. Trois étapes, dont chacune
recouvre partiellement la suivante, peuvent être distinguées afin de décrire l’évolution
du matériau (figure II.4) :
Stade initial : pour une densité relative inférieure à 65% (Dr < 65%) de la
densité théorique, des liaisons (joints de grains) se forment, créant une certaine tenue
mécanique. Les grains ne sont plus séparés, édifiant un squelette traversé de pores
ouverts sur l’extérieur (porosité ouverte),
Stade intermédiaire : pour 65% < Dr < 92%, les pores ouverts diminuent de
volume, jusqu’à se scinder en de nombreux pores fermés (porosité fermée),
Stade final : pour 92% < Dr < 100%, les pores étant isolés dans la matrice,
cette dernière étape consiste à éliminer la porosité fermée
Figure II.4 : Les différents stades du frittage [6].
Nos échantillons sont frittés pendant 2 heures et avec une vitesse de 2°C/min dans un
four programmable à différentes températures : 1100, 1150, 1180 °C.
Une température de frittage supérieur à 1100 °C entraîne inévitablement une
perte de plomb par volatilisation de PbO [7-8]. Pour éviter ce départ de plomb qui
rend le matériau non stoechiométrique, une atmosphère en PbO doit être maintenue,
en introduisant au même temps une poudre d’oxyde mixte à base de Plomb comme
34
PbZrO3, PbTiO3 ou même PZT. On préfère utiliser une poudre de PbZrO3 car son
activité de PbO est plus grande que celle de PbTiO3 et du PZT (figure II.5) [9]. La
tension de vapeur dans l’enceinte de frittage est alors plus importante.
P : PbO
PT : PbTiO3
PZ : PbZrO3
PZT : PbZr0.5Ti0.5O3
Figure II. 5 : Evolution de l’activité de PbO en fonction de la température pour

différents mélanges.
Les échantillons à fritter et la poudre de PbZrO3 sont placés dans un creuset

fermé en alumine. La figure II.6.donne le dispositif de frittage.
Pour mesurer les pertes de masse, on pèse les pastilles avant et après le
frittage. Les pertes ainsi observées ne dépassent pas 2%. L’existence du MgO sous le
creuset facilite leur déplacement.
35
Figure II. 6 : Dispositif de frittage.
II.4. Techniques de caractérisations et appareillages
Dans ce chapitre nous présentons également les différentes techniques de

caractérisation des échantillons au cours du processus d’élaboration.
II.4.1. La diffraction de rayon X
Les techniques de diffractions des rayons X ont pris leurs essors à partir de
1912, date à laquelle Max Vonlaue et ses collaborateurs Friedrich et Knippng Munich
réussirent à obtenir le premier diagramme de diffraction des rayons X par un cristal,
confirmation directe de la structure périodique des milieux cristallisés.
Des progrès considérables ont été réalisés depuis, en particulier grâce au

développement des méthodes de mesure précise et grâce à l’utilisation
de l’informatique [10].
Lorsqu’un matériau polycristallin est soumit à un rayonnement
monochromatique X, ce rayonnement est diffracté par les plans réticulaires du
matériau. Chaque famille de plan donne lieu à un pic de diffraction pour un angle 2  ,
entre les rayons X incidents et les rayons diffractés, relié à la distance inter-réticulaire
par la formule de Bragg :
Les paramètres expérimentaux sont déterminés par la condition de Bragg :
36
2d(hkl) Sin  = n 
 : longueur d’onde du faisceau de rayons X incident.

 : angle de diffraction.
d(hkl) : distance interréticulaire caractérisant la famille de plans repérée par les
indices h, k, l.
n : nombre entier.
Le rayon diffracté est transmis sous forme de signal qui est amplifié et
enregistré sous forme d'un diagramme I =f (2θ), la figure II. 7.
Les diffractogrammes des matériaux existants sont répertoriés dans le fichier
JCPDF. Le logiciel de dépouillement utilisé pour l’indexation des différentes raies est
l’X’Pert HighScore.
Figure II.7 : Schéma représentant les éléments principaux
d’un diffractomètre automatique
37
L’analyse radiocristallographique des échantillons à température ambiante a

été réalisée à l’aide du diffractomètre BRUCKER-AXS type D8 ADVANCE qui est
installé au laboratoire des RX et MEB de l’université de Biskra.
Ce diffractomètre est caractérisé par des rayons X qui ont été produit à partir d’une
source de radiation Cu Kα ayant une longueur d’onde  =1.540598 Å, avec une tension
d’accélération de 40KV et un courant de 40 mA. Les diffractogrammes sont enregistrés
à température ambiante avec 2θ entre 10° et 90°.Le logiciel utilisé pour l’indexation des
différentes raies est l’X’Pert HighScore.
II.4. 2. Caractérisation texturale de la poudre et de la céramique
II.4. 2.1. Analyse granulométrique

La granulométrie permet d’apprécier de façon quantitative la répartition
granulométrique des poudres. La technique de mesure est basée sur différentes types
d’interactions entre les particules et le rayonnement Laser.
Pour la mesure, les poudres sont préalablement dispersées dans une solution et
soumises aux ultrasons. On prélève ensuite une quantité suffisante de la solution très
diluée que l’on introduit dans la cuve. Durant la mesure, les poudres sont dispersées
dans un module d’échantillonnage équipé d’une sonde à ultrasons. Une circulation
entraîne ensuite la poudre en suspension dans la cellule optique traversée par le
Laser. La connaissance des propriétés optiques des poudres et celles du solvant est
nécessaires [11].
L’appareil utilisé est un granulomètre à diffusion Laser Malvern-Mastersizer
2000- Hydro 2000G. Cet appareil permet de mesurer les tailles des particules dans la plage
0,02 à 2000μm. Les mesures sont effectuées en milieu aqueux (eau additionnée
d’hexamétaphosphate de sodium (dispersant)) après désagglomération des poudres par
ultrasons pendant 15 minutes.
II.4. 2.2. L’analyse par microscopie électronique à balayage (MEB)

Le microscope électronique est une technique d’analyse complémentaire des
techniques de diffractions. Quand un échantillon est iradié par un faisceau d’électrons
il présente de nombreux effets d’interactions [12] : diffusion et diffraction d’électrons,
émission d’électrons secondaires et Auger, émission de photons, absorption
d’électrons, etc. Chaque effet énuméré peut ètre exploité pour l’imagerie, à
38
l’aide d’un détecteur adéquat qui peut capter le résultat de l’interaction et le

transformer en signal électrique. L’image résultante est construite sur un écran vidéo
sur lequel l’éclairage de chaque point correspond à l’intensité de l’effet mesuré sur le
point correspondant. L’image est acquise après un balayage complet par le faisceau
électronique d’une surface choisi de l’échantillon.
La résolution de l'image est alors fonction du volume de l'objet d'où
proviennent les rayonnements détectés. Pour un diamètre de sonde donné, la
résolution de l'image dépend de la composition de l'échantillon, de l'énergie des
électrons incidents, ainsi que de la nature et de l'énergie du rayonnement choisi pour
la formation de l'image. La figure II.8 est une coupe d’un microscope électronique à
balayage.
Figure II.8 : Schéma du MEB
39
L’observation de la morphologie des passtilles de céramiques étudiées a été

effectuée par microscopie électronique à balayage (MEB). L’appareil utilisé pour
l’observation des échantillons un microscope de type JSM 6390 installé à l’université
de Biskra.
II.5. Mesure de la densité

L’étude de la densité est nécessaire afin d’optimiser la température de frittage
optimale. La qualité du matériau augmente avec l’augmentation de la densité et celle
ci augmente avec l’augmentation de la température de frittage [13]. La température
optimale de frittage est déterminée à partir du diagramme de la densité en fonction de
la température,  = f(T). La densité maximale correspond au produit de meilleure
qualité. La densité des pastilles frittées est déterminée à partir des mesures
géométriques (diamètre et épaisseur) sur chaque pastille frittés à différentes
températures ( 1100, 1150 et 1180 °C), à l’aide d’un palmaire électronique.
La densité (d) est calculée par la formule :
m
d  2
   2  e
Où  
m : Masse du pastille (g).
 : Diamètre du pastille (cm).
e : Epaisseur du pastille (cm).
II.6. Mesure de la porosité

Les propriétés mécaniques des céramiques sont influencées par la porosité,
donc l’intérêt de l’étude de la porosité c’est d’aboutir à des échantillons de
céramiques moins poreux, présentant des bonnes propriétés mécaniques.
La porosité est calculée comme suit :
P = 1-d et d = ρexp/ρth
ρexp : Densité expérimentale de la composition (g/cm3).

ρth : Densité théorique de la composition (g/cm3).
40
II.7. Caractérisations diélectriques et piézoélectriques

Avant de commencer les mesures, il faut tout d'abord réaliser une étape
importante qui est l'argentage. En fait, afin d'assurer un meilleur contact avec les
électrodes (appareil de mesure), les pastilles sont métallisées par une couche mince de
pâte d'argent sur les deux faces. Cette pâte est préparée selon la composition des
constituants suivants [14] : Ag2O (96.3%), Bi2O3 (1.5%), Colophane (2.2%), en
ajoutant l'eau bidistillée. Après séchage, les pastilles métallisées vont subir une
calcination à 750°C pendant trente minutes pour assurez la fusion et l’accrochage de
la pâte. Le contrôle de vitesse est nécessaire afin d'éviter le bullage, la carbonisation
des composants organiques de la pâte d'argent et avoir des pastilles non poreuses.
II.7.1. Mesures diélectriques

Les qualités électriques des échantillons céramiques sont liées aux propriétés
suivantes ou à leurs combinaisons [15]:
 Permittivité diélectrique (εr).
 Résistivité (ρ).
 Facteur de pertes (tgδ).
 Régidité diélectrique.
La mesure des différents facteurs diélectriques est basée sur l’étude de la
variation de la capacité et la résistivité du condensateur (l’échantillon) étudié.
II.7.1.1. Mesure de la constante diélectrique

Nous introduisons un diélectrique entre deux plaques d'un condensateur, et
nous appliquons une tension, des charges positives s'accumulent prés de la plaque
chargée négativement, tandis que l'effet inverse apparaît prés de l'autre plaque.
La capacité d’un tel condensateur sans le diélectrique est donnée par :
C0 = D0 S/Et = 0 S/t
Avec :
D0 : densité superficielle des charges électriques apparaissant sur les plaques.
E : champ électrique.
S : aire totale de la plaque.
0 : permittivité de vide (8.85* 10-12 Farad m-1 )
41
t : distance entre les deux plaques.

La capacité du condensateur avec le diélectrique est : C =  S/t
Le rapport entre les capacités du condensateur avec et sans le diélectrique est donné
par :
C
 r
Co
Avec
 r : Constante diélectrique.
Dans notre cas le diélectrique (l’échantillon) est sous forme de disque donc C o est
donné par cette relation :

S
Co   0
e
Avec
 o : permittivité du vide (8.85* 10-12 farad m-1 ).
S : surface de la pastille.
 o : permittivité du vide (8.85* 10-12 farad m-1 ).
e : épaisseur de la pastille.
Les mesures sont réalisées à l'aide d'un circuit RLC qui donne directement C.
Le schéma synoptique du montage expérimental est illustré sur la figure II.9.
Régulation en
température
LCR mètre
Fil électrique protégé Four

en céramique
Figure II.9 : Schéma du dispositif de mesure de la permittivité

Diélectrique en fonction de la température.
42
 LCR mètre digital (LCR 800 Series. Good Will Instrument co, LTD).
 Four programmable de vitesse 2°C/mn (Naberthem-D2804Lilienthal/Bremen).
 Porte échantillon.
Le principe de mesure est de suivre l’évolution de la capacité des pastilles
frittées à différentes température de frittage en fonction de la température, en balayant
la gamme de celle-ci de 25 à 450 °C avec une vitesse de chauffage de 2 °C/min.
Les valeurs de la capacité en fonction de la température sont prélevées directement de
l’appareillage utilisé (LCR mètre) à différente valeurs de fréquence et sous faible
niveau d’excitation (1V).
II.7.1.2. Mesure de la résistivité (ρ)

La résistivité de nos échantillons est calculée à partir de la mesure de leur
résistance à l’aide du même appareillage (LCR mètre et four) décrit dans la mesure
précédente.
Rx de la solution solide de type PZT dopé est donnée par la relation suivante
[16] :

Rx  
S
Avec :
R x : résistance du matériau (Ohm).
 : résistivité du matériau (Ohm.cm).

 : diamètre de l'échantillon (cm)
S: surface de l'échantillon (cm2).
II.7.1.3. Mesure de la rigidité électrique (tension de claquage)

La rigidité électrique est le rapport de la tension de claquage sur l’épaisseur de
l’échantillon. La tension de claquage est la tension maximale qui entraîne la
dégradation du matériau, les forces électrostatiques deviennent, en effet, si élevées
qu’elles peuvent provoquer la rupture des liaisons.la figure II.10 montre un simple
montage pour mesurer la tension de claquage [17].
43
Figure II.10 : Schéma représentant le montage utilisé pour

la mesure de la tension de claquage
Nous plaçons l'échantillon entre deux électrodes qui sont plongés dans un bain
de l’huile de silicone (isolant électrique et stable thermiquement), ensuite à l'aide d'un
générateur de tension nous appliquons une tension qui varie dans la gamme de 0 - 6
kV, une tension qu’on augmente progressivement jusqu'à ce qu’on remarque une
chute de tension sur le voltmètre, ceci indique qu’il y a claquage.
Le rapport de la tension de claquage sur l'épaisseur de l'échantillon s'appelle
rigidité diélectrique.
II.7.1.4. Mesure de l’angle de perte
Ce facteur, qui varie selon la température et la fréquence, joue un rôle

important car il caractérise, par cycle, la perte d'énergie due à la création et à
l'orientation des dipôles. Cette perte d'énergie se traduit par une augmentation de
température.
L'angle de perte est mesuré par cette relation :
tg  = Rs.Cp.
Avec :
 = 2  f (f : fréquence utilisé) : pulsation (rad.Hz)
44
Rs : résistance du matériau (Ω).

Cp : capacité du matériau (F).
Les pertes diélectriques des différents échantillons choisis pour cette étude
sont mesurées on utilisant le LCR mètre digitale à 1 KHz., on mesurant la résistance
(Rs) et la capacité (Cp) de l’échantillon.
II.8. Mesures piézoélectriques

II.8.1. La Polarisation
Avant de faire les mesures piézo-électriques, nous réalisons la polarisation.
C'est un procédé qui sert a aligné les polarisations élémentaires des microcristaux
ferroélectriques. Enfin le but de la polarisation et d'aligner les moments dipolaires et
par conséquent d'augmenter les propriétés piézo-électriques, et alors avoir des
céramiques utilisables comme matériaux piézo-électriques. Les pastilles sont
immergées dans l'huile de silicone, porté à une température de 110 °C, puis soumises
à un champ électrique continu de l'ordre de 3 KV pendant 45 minutes, en tenant
compte du fait que le champ appliqué doit être suffisant pour aligner les moments
dipolaires[18-19].
La figure II.11. Illustre le montage utilisé pour la polarisation.
1- Céramique isolante 2- Plaque en cuivre 3- L’échantillon

4- Thermomètre 5- Plaque chauffante 6- Transformateur
Figure II.11 : Schéma représentant le montage du processus de polarisation
45
II.8.2. Mesure des facteurs piézoélectriques par la méthode résonance-

antirésonance
Les propriétés piézo-électriques qui englobent le facteur de couplage planaire
kp, la constante de charge piézoélectrique transversale d31, le module de Young Y, la
constante de tension piézoélectrique g31 sont évaluées après 24 h de l’opération de la
polarisation à l'aide du montage représenté par la figure II.12.
Figure II.12 : Schéma représentant le principe de la méthode

résonance – antirésonance.
Pour réaliser cet appareillage il faut avoir les équipements suivants:

-Générateur de fonction numérique (TG1010 programmable 50kHz-10MHz DDS)
- Oscilloscope (Phywe 11448.93. 0- 10 MHz).
- Deux résistances variables ( R D 6 E 05 A Resistor Decade).
- Deux résistances fixes (R D 6 E 05 A Resistor Decade).
- Etuve avec thermocouple numérique ( Heraeus, T 50 50 E K).
Les fréquences de résonance et d’antirésonance ont été obtenue en visualisant
l’amplitude utilisant successivement le maximale et le minimale du signale de sortie.
A la résonance, un élément piézoélectrique peut être modelé par le circuit
équivalent (figure II.13) [20-21].
46
Figure II. 13 : Schéma équivalent d’un matériau piézoélectrique.
II.8.2.1. Facteur de couplage planaire kp
2 2
 2  ( 1   E 2 ) fa 2  f r 2
2,51 f a  f r
2
Kp = *  *
2 (1   E ) fa
2
2 fa
2
fr : fréquence de résonance.
fa : fréquence d’antirésonance.
Les valeurs de la fréquence de résonance et d’antirésonance sont prélevées
directement de l’appareillage (GBF), par contre, la résistance de résonance (Rr) est
mesurée par la substitution de l’échantillon ( pastille) par une résistance ajustable qui
va être étalonner pour donner la même allure du signale de sortie à la résonance.
II.8.2.2. Coefficient piézoélectrique de charge d31
(1  α) r ε 
d31 = Kp (C/N) à 25°C
2
II.8.2.3. Coefficient piézoélectrique de tension g31

d 31
g31 = (mV/N) à 25°C
  r
Avec:
d : masse volumique (kg /m3)
47
Ø : le diamètre (m)
E : coefficient de poisson (E = 0.31).
 : racine de l’équation de Bessel ( = 2.05).
0 : permittivité de vide de valeur 8.85 * 10-12 (Farad / m).
r : constante diélectrique relative.
fr : fréquence de résonance.
fa : fréquence d'antirésonance.
II.8.2.4. Module d'Young E
2
 Ø f r 
E=   * (1- E2). d (N/m2)
  
II.9.Conclusion
Les outils expérimentaux de caractérisation, que nous venons de décrire, sont

ceux que nous avons mis en œuvre tout au long de ce travail pour obtenir les résultats
qui font l’objet des prochains chapitres. Toutes les étapes de fabrication des
céramiques ont été décrites dans ce chapitre.
48
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50
Chapitre III Caractérisation structurale de la solution solide PZT-PMF-PZN
Chapitre III
Caractérisation structurale de la solution solide
PZT-PMF-PZN
III.1.Introduction
Les céramiques de la solution solide Zircono-Titanate de plomb (PZT) sont bien

connues comme des céramiques piézoélectriques de structure pérovskite [1-2]. La nature
ferroélectrique et piézoélectrique de la céramique PZT a rendu aujourd'hui la technologie de
fabrication de ces matériaux de plus en plus intéressante. Ceci est justifié par l'intense activité
piézoélectrique de ces céramiques pour des compositions proches de la frontière
morphotropique de phase (FMP) [3] séparant deux phases ferroélectriques: la phase
tétraédrique et la phase rhomboédrique.
La plupart des études ont montré que la frontière morphotropique de phase apparaît à
un rapport spécifique de Zr et Ti dans la solution solide PZT, alors qu'un autre groupe de
chercheurs a démontré qu'il peut y avoir une région de coexistence de phase tétragonale et
rhomboédrique sur une large rangée de composition autour de la frontière morphotropique de
phase [4-6]. Plusieurs auteurs ont montré que la coexistence des deux phases autour de la
FMP est due à la variation de la composition,
Diverses méthodes sont employées pour localiser les compositions correspondantes à
la frontière morphotropique de phase des céramiques de type PZT et ses dérivées (addition
des dopants), parmi lesquelles :
 L'analyse par diffraction des Rayons X [6-8].
 L'analyse théorique thermodynamique [9, 10].
 Les mesures des propriétés diélectriques et piézoélectrique [11, 12].
III.2.Travaux antérieurs
Les PZT avec des cœfficients piézoélectriques élevés sont à la base de la plupart
des dispositifs électromécaniques : dans les hydrophones, les générateurs d’ultrasons, les
générateurs a haute tension, les micro-ordinateurs,….ect [1, 2]. Les propriétés les plus
remarquables sont celles de la composition près de la frontière morphotropique de phase noté
51
(FMP). De nombreux auteurs ont étudié l’effet de l’ajout des dopants sur le déplacement de la
ligne de transition de phase, A. P. SINGH et al [3,4] ont reporté que les compositions en
PbZrO3 correspondant à la transition de phase sont comprises entre 0.52 et 0.53.
Divers travaux ont été réalisés au laboratoire de chimie appliqué (université

Mohamed Khider-Biskra) [5-6-7] sur les matériaux dopés. Ces travaux ont été basés sur
la synthèse et l’étude des nouveaux systèmes ternaires dans le but d’améliorer leurs
propriétés physiques. A. Boutarfaia [8] s’est intéressé au système : xPbZrO3 yPbTiO3
Pb(Fe1/5,Ni1/5,Sb3/5)O3.
La frontière morphotropique de phase du système ternaire est mis en évidence à l’aide

de la méthode d’addition géométrique, en fait la phase rhomboédrique se forme a XR> 45
tandis que la phase tétragonale se forme a XT< 44. Les deux phases coexistent à X = 0.44-
0.45. Plusieurs autre systèmes ont été étudies tel que : PMN-PCN-PZ [9], PNN-PZN-
PZT[10], PMN-PNN-PZT[11], PMW-PMN-PZT[12], PZN-PZ[13], PMN-PT[14], PMMN-
PZT[15], PMN-PZN-PZT[16], PMN-PMS-PZT[17], PNN-PT [18], PMSPZT[19], PZN-
PZT,PNN-PZT[20-23].....etc
III. 3. Synthèse
La synthèse de nos échantillons a été faite par la méthode céramique (la voie solide),
définie de façon détaillée dans le chapitre II. La formule chimique des échantillons que nous
avons choisie pour cette étude est 0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-
x)Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 abrégée comme suit PZT-PMF-PZN.
Nous limiterons notre étude expérimentale à une série, on faisons varier :
- Le dopage au site B du PZT de 0 à 7%.
- Les températures de frittage (1100, 1150 et 1180 °C).
Toutes les conditions de stabilité de la structure pérovskite sont vérifiées.
III.4. Caractérisation structurale
Les résultats de la diffraction des rayons X pour les compositions calcinées à 800 °C,
sont illustrés dans la Figure III.1.
52
On peut constater qu’il n’y a pas une grande différence entre les spectres et que la
Phase présente dans les compositions et la phase pérovskite.
180 E ch N °1 à 8 0 0 °C
160
140
120
100
Intensité
80
60
40
20
-20
0 20 40 60 80 100
2 T h é ta [°]
53
54
120 Ech N °5 à 800 °C (T)
100
80
Intensité
60
40
20
0 20 40 60 80 100
2 Théta [°]
Figure III.1 : Diagramme DRX de PZT-PMF-PZN calcinée à 800 °C.
III.5. Etude morphologique des céramiques PZT-PMF-PZN
III.5.1.La densité
La densité de PZT-PMF-PZN est étudiée en fonction du taux de (Zn, Nb) et en

fonction de la température de frittage. Cette étude est nécessaire afin d'optimiser la
température de frittage maximale.
▼ Evolution de la densité en fonction de la température de frittage
Les courbes de la variation de la densité de tous les échantillons de PZT-PMF-PZN

sont présentées en fonction de température de frittage sur la figure III.2.
55
Figure III.2. Evolution de la densité en fonction de la température de frittage
Les courbes de la variation de la densité en fonction de la température de

frittage ont la même allure, c'est-à-dire la densité croit avec la température de frittage
pour atteindre une valeur maximale de 1180°C, cette valeur est donc la température de
frittage optimale.
L'augmentation de la densité implique une diminution du nombre et de

dimension des pores, ceci signifie que le volume de la maille diminue et donc la structure
devient plus compacte.
La température de frittage optimale dépend de plusieurs paramètres tel que :

l’addition des impuretés, la vitesse de frittage, le temps de maintien ainsi que la
quantité de PbZrO3 ajoutée pour minimiser la volatilisation de PbO.
▼ Evolution de la densité en fonction de la composition
La variation de la densité en fonction du taux de (Zn, Nb) pour les différentes

compositions frittées est illustrée sur les figures III.3
56
7,8
7,7 1100 °C
7,6 1150 °C
7,5 1180 °C
7,4
Density (g/cm )
3
7,3
7,2
7,1
7,0
6,9
6,8
6,7
6,6
6,5
-0,01 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08
Content PZN / mol%
Figure III.3. Evolution de la densité en fonction de la composition et de
la température de frittage.
La figure III.3 montre que la densité augmente avec l'augmentation de la

concentration en (Zn, Nb) jusqu'à atteindre une valeur maximale, à1180°C de 7.75g/cm3.
Donc, l'échantillon N°5 présente la meilleure valeur de la densité
On peut prétendre que cette composition a les meilleures propriétés par apport aux
autres.
III.5.2. La porosité
Les figures III.4 présentent la variation de la porosité en fonction de la

température de frittage pour les différents échantillons. Nous constatons que l'allure des
courbes de la porosité est l'inverse de celles de la densité, elle diminue jusqu'à un minimum
qui correspond à la densité maximale.
57
0,300
0,275 0.00
0.01
0,250
0.03
0,225 0.05
0.07
0,200
porosité (%)
0,175
0,150
0,125
0,100
0,075
0,050
0,025
1100 1120 1140 1160 1180
Température de frittage (°C)
Figure III.4 Evolution de la porosité en fonction de la température de frittage.
La valeurs de la porosité pour l’échantillon N°5 (à 1180°C) est de 0.03(Fig III.4).
0,20
1 100 (°C )
0,18 1 150 (°C )
1 180 (°C )
0,16
0,14
porosité(%)
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
-0,01 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08
co m position P Z N ( m ol% )
Figure III.5. Evolution de la porosité en fonction de la composition.
58
III.5.3. Distribution granulométrique

Les mesures granulométriques ont été effectuées en voie liquide avec un granulomètre
à diffusion Laser Malvern-Mastersizer 2000- Hydro 2000G.
La poudre est mise en suspension dans 600 ml d’eau distillée et est dispersée par
ultrasons pendant 15 minutes. Le liquide circule en milieu fermé, la suspension est donc
régulièrement dispersée par ultrasons, ce qui évite la formation et la prise en compte
d’agglomérats.
La figure III.6 présente la distribution granulométrique en volume des poudres frittées
à 1180 °C.
59
Figure III.6. Distribution granulométrique des poudres frittées à 1180°C.
Ces courbes présentent trois populations qui se confondent. L’intervalle

granulométrique de ces poudres se situe entre 0,15 et environ 200 μm, avec une majorité des
grains ayant une taille entre 13 et 18 μm.
On est assez loin des observations réalisées au MEB où l’on pouvait mesurer une taille
moyenne de 0.5 et 1μm. La technologie de dispersion en milieu aqueux sous ultrasons ne
permet pas de désagglomérer totalement ce type de poudre très fine. L’analyse
granulométrique réalisée par diffraction laser reste donc très approximative dans ce cas.
Pour apporter plus d’informations sur la distribution granulométrique des poudres et
obtenir une meilleure interprétation des résultats, nous avons observé nos échantillons au
microscope électronique à balayage.
60
III.5.4. Microscopie électronique à balayage
 Taille des grains
La microscopie électronique à balayage apporte des informations sur la forme et la

taille des grains. Cette technique permet d’estimer la distribution granulométrique, la taille
moyenne des grains après frittage et d’évaluer qualitativement la présence ou l'absence de
porosité. La figure III.7 présente les photographies prises par le microscope électronique à
balayage (MEB) pour les compositions dopée par (Zn, Nb) à la température de frittage
1180ºС.
A première vue, les échantillons semblent homogènes et il ne semble pas y avoir de

grains de la phase pyrochlore qui sont identifiables par leur forme pyramidale [24]. La taille
moyenne des grains augmente avec l’augmentation de la composition de (1-2 μm) pour les
céramiques avec x= 0.0, 0.01 et 0.03 jusqu'à (5-7µm) avec x= 0.05 et 0.07 pour former une
solution plus dense (taille moyenne plus grande et distribution granulométrique plus large) et
donc non poreuse. Dans les PZT dopés la compensation de charge peut se produire par
diminution du nombre de lacunes d'oxygène. Qui entraînent le grossissement des grains
pendant le frittage.
61
Figure III.7. : les photographies des compositions dopée par (Zn , Nb) à la température
de frittage 1180ºС.
III.6. Diffraction des rayons X

III.6.1. Phases cristallographiques
Les spectres de diffraction typiques d'une structure PZT sont illustrés par les figures
III.8 (a), (b) et (c). Nous pourrons les comparer par la suite aux spectres de diffractions
obtenues pour nos mélanges. Nous tiendrons compte dans notre comparaison du fait que les
62
réflexions notées par T sont attribuées à la phase quadratique, celles notées R sont attribuées
à la phase rhomboédrique. Un triplet de raies (figure III.8) autour de 2θ= 43° et 45° indique
qu'il s'agit d'échantillons d'un mélange de phases quadratique et rhomboédrique (T+R) [25].
Il n'est pas toujours facile de détecter cette phase (T+R) parce que les raies se
chevauchent et se présentent sous forme d'une seule raie large, ce la est dû à la différence
entre les valeurs des paramètres des deux réseaux tétragonal (a T et cT) et rhomboédrique
(aRet αR) de la structure pérovskite, ils sont si proches que la différence de composition des
deux phases est plus faible.
Les allures des raies de (T+R) peuvent être représentées de plusieurs façons selon les
figures III.9 (a), (b) et (c) [26].
Figure III.8: Spectres de diffraction typiques des phases: tétragonale (T),
rhomboédrique (R) et la phase tétragonale-rhomboédrique (T+R).
Figure III.9: Différentes allures des pics caractéristiques de la coexistence de la phase

(T+R).
63
Il est à noter que de nombreux chercheurs ont reporté que la coexistence des phases
tétragonale (T) et rhomboédrique (R) peut être détectée dans plusieurs régions du diagramme
de diffraction des rayons X, elle n'est pas comprise dans telle ou telle région du spectre. Le
tableau III.1 ci-dessous résume les régions en 2θ les plus importantes concernant la
coexistence des phases R et T.
Tableau III.1: Région de coexistence des phases Tétragonale-Rhomboédrique et

l'indexation des plans correspondant.
Les composés de PZT-PMF-PZN qui sont frittés à différentes températures de

frittage, sont soigneusement broyés, puis analysés par diffraction des rayons X pour établir les
phases cristallographiques: tétragonale, rhomboédrique et tétragonale-rhomboédrique.
Les diagrammes de diffraction sont enregistrés dans le domaine angulaire 10 < 2θ< 90
qui semble être suffisant pour l'identification des différentes phases. La diffraction des rayons
X sur tous nos échantillons de PZT-PMF-PZN est effectuée à température ambiante.
La figure III.10 rassemble les diagrammes de diffraction des rayons X des poudres
frittées à 1100, 1150 et 1180 °C. Ces diffractogrammes permettent d’identifier les phases
présentes à différentes températures de frittage et leur évolution avec le taux de PZN. Sur ces
diffractogrammes on remarque la présence des pics caractérisant la structure pérovskite et
nous pouvons identifier la phase rhomboédrique pour l’échantillons non dopé à différentes
températures de frittage, elle est caractérisée par un pic simple correspondant aux plans
cristallins (200) compris entre 43° et 45° (2θ). Pour les échantillons dopés avec 1, 3, 5 et 7
% de PZN leur spectres présentent une coexistence des deux structures tétragonale et
rhomboédrique, dont les pics principaux correspondent aux plans cristallins (002), (200) pour
la phase tétragonale et (200) pour la phase rhomboédrique qui apparait autour de 2θ= 43° et
45°
64
65
66
Figure III.10 : Diagrammes de DRX pour les échantillons frittés à 1100, 1050 et 1100 °C.
III.6.2. Evolution des paramètres de maille des PZT-PMF-PZN
 Evolution des paramètres de maille en fonction de la température de frittage
Compte tenu de l’intérêt que nous portons aux changements des paramètres de maille
en fonction de la température, nous avons étudié l’influence de la température de frittage (à
1100°C, 1150°C,1180°C) sur les paramètres de maille des deux structure tétragonale et
rhomboédrique de l’échantillon N° 5 (x= 0.07).
La figure III. 11 montre l’évolution des paramètres de maille (aR, aT, cT) et le rapport
de distorsion cT/aT en fonction de la température de frittage.
67
1,10
4,12 1,08
1,06
4,10
Paramètre de maille (A°)
1,04
4,08 1,02
1,00
cT/aT
4,06
aR 0,98
aT
4,04 0,96
cT
cT/aT 0,94
4,02
0,92
4,00 0,90
1100 1120 1140 1160 1180
Température de frittage (C°)
Figure III. 11 Evolution des paramètres de maille et de rapport de distorsion de l’échantillon

N° 5 (X=0.07) en fonction de la température de frittage
On voit bien que la valeur de paramètre de maille (aR) a varie trés peu et reste presque
la même lorsqu’on passe de la température de frittage de 1100 °C a 1180°C, et la même
remarque pour les deux paramètres (aT, cT). La structure de PZT-PMF-PZN est stable, cette
stabilité peut être reliée à la diminution du rapport de distorsion cT/aT à la température optimale
1180 °C.
 Evolution des paramètres de maille en fonction de la composition
A une température fixe à 1180 °C, nous avons étudié l’évolution des paramètres de
maille notre solution en fonction de la composition en PZN (figure III. 12). Nous remarquons
que les paramètres de maille sont très sensibles à la variation de la composition. La variation
de ces paramètres est reliée à la distorsion de la structure rhomboédrique, défini par le rapport
cT/aT, qui diminue lorsque la concentration de PZ croit.
L'influence de la substitution du Zr, Ti par les dopants sur les paramètres de maille
peut être expliqué par la différence entre les rayons ioniques.
La coexistence des phases T + R est due à la variation de la composition
microscopique produite dans les matériaux, qui ne peut pas fournir une vraie homogénéité
dans les solutions solides.
68
1,10
4,12 aR
1,08
aT
Paramètre de maille (A°)

cT 1,06
4,10
cT/aT
1,04
4,08
1,02
4,06 1,00
cT/aT
0,98
4,04
0,96
4,02 0,94
0,92
4,00
0,90
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08
Composition (PZN %)
Figure III. 12 Evolution des paramètres de maille et de rapport de distorsion en fonction de la

composition.
III.7. Conclusion
Au cours de ce travail, nous avons été amenés à synthétiser des poudres à base de PZT
substitué au Mo, Fe, Zn et Nb par voie solide. Nous, présenterons dans cette partie, la
localisation de la frontière morphotropique de phase (FMP) dans notre système.
Les structures cristallographiques des céramiques de type PZT dopé ont été caractérisés
par trois méthodes : XRD (analyse d'addition géométrique), analyse granulométrique et le MEB.
D’après les résultats d’identification des phases des compositions près de la FMP, on a constaté
que la ligne de transition tend vers les régions riches en Zn et le Nb dans toutes les compositions.
L'effet de la température de frittage sur la densité et la porosité a été étudié afin
d'optimiser la température de frittage optimale qui correspond à la valeur maximale de la densité
et à la porosité minimale car à cette température le matériau est de bonne qualité électrique.
Les paramètres de maille des deux structures tétragonale et rhomboédrique varié avec la
variation de la composition en PZN.
69
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72
Chapitre IV Etude physique de la solution solide PZT-PMF-PZN
Chapitre IV
Etude physique de la solution solide
PZT-PMF-PZN
IV.1. Introduction
Les propriétés diélectriques des matériaux sont parmi celles qui sont connues depuis
l’Antiquité ; Les matériaux diélectriques connaissent par ailleurs un développement
considérable, dû en particulier à l’impact croissant des technologies liées à l’électronique : un
téléphone mobile peut contenir jusqu’à quelques centaines de condensateurs ! Outre leurs
applications dans le domaine de l’électronique (condensateur haute performance, isolant), ces
matériaux sont utilisés pour leurs propriétés piézoélectriques (détecteur de choc et
d’accélération, sonar, haut-parleur...),
Plusieurs méthodes sont employées pour localiser les compositions correspondantes à la
frontière morphotropique de phase (FMP), parmi lesquelles l'étude des propriétés physiques en
fonction de composition en Zr (la constante diélectrique, le facteur de couplage, facteur de qualité
mécanique….etc). L'étude de ces paramètres en fonction de la composition dans la solution solide
PbZrO3-PbTiO3 a montré que l'allure des courbes de chaque paramètre en fonction de la
concentration de PZ ou PT présente une discontinuité à des compositions proches de la frontière
mmorphotropique de phase.
Le composé PZT dopé d’un mélange d’oxydes (Mo2O3, Nb2O5, ZnO, Fe2O3) a été
étudié structuralement dans le chapitre précédent (chap III). Il nous a semblé intéressant de
compléter cette étude par une caractérisation physique. Il est donc intéressant de voir la
réponse diélectrique et piézoélectrique sous l’influence de certains paramètres comme le taux
de dopage et la température. Nous présenterons également les résultats relatifs à cette étude en
se basant sur les résultats d’analyse structurale des rayons X et les résultats des travaux
antérieurs [2-3].
73
IV.2. Synthèse
Les échantillons ont toujours été synthétisés par réaction chimique à l’état solide
suivant le même protocole et les conditions de synthèse décrit au chapitre II.
Les échantillons utilisés sous forme de pastille, frittés à 1100, 1150 et 1180 °C, sont
revêtues sous air sur les deux faces d’une fine couche de patte d’Argent.
IV.3. Caractérisation diélectrique et piézoélectrique

IV.3.1. Étude des caractéristiques diélectriques
Lorsqu’on prend uniquement en considération les propriétés diélectriques, on choisit

de préférence un matériau non polarisé, car cela permet d’obtenir une haute résistivité et une
faible perte diélectrique. Ces mesures ont été réalisées à l’aide d’un analyseur multifréquences
LCR mètre combiné à un four programmable (0°C - 1200 °C) avec une vitesse de chauffage
de 2 °C/min et à une fréquence de 1KHZ.
IV.3.1.1. La permittivité diélectrique relative (εr)
 Evolution de la constante diélectrique en fonction de la température de

frittage
L’évolution de la constante diélectrique en fonction de la température de frittage pour
l’ensemble des échantillons est représentée par la figure IV.1. On constate que la permittivité
diélectrique augmente avec l’augmentation de la température de frittage, et atteint des valeurs
maximales à 1180 °C. L’échantillon N° 5 (x= 0.07) présente une meilleure valeur de la
constante diélectrique (36224.41) comparable avec des autres valeurs des compositions
frittées à 1180 °C.
74
1600 0.00
0.01
0.03
1400
0.05
Constante diélectrique
0.07
1200
1000
800
600
400
1100 1120 1140 1160 1180

Figure IV. 1 : Evolution de la constante diélectrique en fonction de la température de frittage
 Évolution de la constante diélectrique en fonction de la température
Pour mieux comprendre l'étroite relation liant ces céramiques à la température, une
étude systématique est réalisée sur tous les échantillons frittés à différentes températures.
Les figures IV.2 présentent l’évolution de la permittivité diélectrique en fonction de la
température pour l’ensemble d’échantillons dopés de 0 % à 7 % respectivement. Les courbes
εr (T) présentent la même allure, c’est à dire augmentent avec la température en passant par un
maximum puis diminuent. Bien évidemment, ces courbes diffèrent selon la position et
l’intensité de leur sommet. Ce dernier, dont la température correspond à celle de la
température de Curie TC, est relié à la transition ferroélectrique-paraélectrique. Aux hautes
températures, les céramiques perdent tous leurs caractères ferroélectriques (phase de haute
symétrie) ; ceci explique la diminution de la permittivité diélectrique.
75
8000
à 1 1 0 0 °C
7000 à 1 1 5 0 °C
à 1 1 8 0 °C
6000
Constante diélectrique(r)
X=0.00
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T e m p é ra tu re (°C )
8000
à 1 1 0 0 °C
7000 à 1 1 5 0 °C
à 1 1 8 0 °C
6000
5000 X=0.01
4000
3000
2000
1000
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T e m p é ra tu re (°C )
76
6000 à 1100°C
à 1150°C
à 1180°C
5000
X=0.03
4000
3000
2000
1000
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
Tem pérature (°C)
30000
à 1100°C
25000 à 1150°C
à 1180°C
20000
X=0.05
15000
10000
5000
0 100 200 300 400 500

Tem pérature (°C)
77
40000
35000 à 1100°C
à 1150°C
30000
à 1180°C
25000 X=0.07
20000
15000
10000
5000
0 100 200 300 400 500

Température (°C)
Figure IV.2 : l’évolution de la permittivité diélectrique en fonction de la

température pour l’ensemble d’échantillons dopés de 0 % à 7 %
Les deux d’échantillons dopés de 5 % et 7 %, qui sont prés de la FMP, présentent des
valeurs élevées de la permittivité diélectrique. Notons, que l’échantillon dopé de 5 % présente
une valeur de permittivité diélectrique (εr) allons jusqu’à 27590,69 et l’échantillon dopé de 7
%, sa permittivité diélectrique (εr) est de 36224.41
La transition de phase F-P est de type displacif [4]. En dessous de la température de
transition (TC), la distorsion de la structure perovskite sous l’influence de la température est
accompagnée d’un déplacement relatif des ions. Ceci engendre la majeure partie de la
polarisation spontanée à l’échelle de la maille. Ainsi, les ions Ti4+, Zr4+ et Pb2+ n’occupent
plus respectivement le centre et les sommets de la maille, ils sont décalés dans l’une des
directions principales du réseau cristallin (phase de basse symétrie). Ceci donne lieu à une
polarisation spontanée de plus en plus importante jusqu'à atteindre une valeur maximale à TC.
Ces évolutions de la polarisation avec TC permettent d’expliquer la valeur maximale de εr à
cette température.
78
 Évolution de la constante diélectrique en fonction de la composition en
PZN
L'évolution de la constante diélectrique en fonction du taux de dopant à différentes

température de frittage pour l'ensemble des échantillons est représentée par la figure IV.3.
D’après cette figure, on constate que l’échantillon dopé avec 7 % de PZN présente de
meilleures valeurs de la constante diélectrique comparable à d’autres valeurs des
compositions et atteint une valeur maximale à 1180 °C. Ce maximum d’activité diélectrique
peut être expliqué par la présence de plusieurs directions de polarisation spontanée relative à
l’existence des deux structures rhomboédrique et tétragonale [5-6].
1600
1100°C
1500 1150°C
1400 1180°C
1300
Constante diélectrique
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
-0,01 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08
Composition en PZN
Figure IV.3 : Variation de la constante diélectrique en fonction de la composition en
PZN à différentes températures de frittage.
IV.3.1.2. L’angle des pertes diélectriques (tg δ) (facteur de dissipation)
Lorsqu’un matériau ferroélectrique est sollicité électriquement ou mécaniquement, il

apparaît au cours de la conversion de l’énergie des pertes diélectrique et mécanique.
79
 Évolution de tg δ en fonction de la température de frittage
La figure IV. 4 représente la variation de l’angle des pertes en fonction de la

température de frittage (1100°C, 1150 et1180 °C). On constate que le facteur de dissipation
décroît avec l’augmentation de la température de frittage jusqu’à atteindre des valeurs
minimales à la température 1180 °C pour l’ensemble des échantillons. A cette température, la
valeur de l’angle des pertes est presque négligeable pour l’échantillon N° 5 (de l’ordre 0,142)
comparait avec les autres valeurs de différents échantillons.
0,29
0,28 0.00
0,27 0.01
0,26 0.03
0,25 0.05
0.07
Facteur de dissipation
0,24
0,23
0,22
0,21
0,20
0,19
0,18
0,17
0,16
0,15
0,14
1100 1120 1140 1160 1180
Figure IV. 4 : Evolution de tg δ en fonction de la température de frittage
 Évolution de tg δ en fonction de la température
Ce facteur qui varie selon la température, joue un rôle important

particulièrement dans les circuits à hautes fréquences. Les courbes de la figure IV. 5 présente
la variation du facteur de dissipation en fonction de la température pour tous les
échantillons frittés aux différentes températures (1100, 1150 et1180 °C) et à une fréquence de
mesure constante de 1KHZ.
80
0,60 à 1100°C
0.00
0,55
0.01
0,50 0.03
0.05
0,45 0.07
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0 100 200 300 400 500
Température (°C)
0,55 à 1180°C
0.00
0,50 0.01
0.03
0,45
0.05
0,40 0.07
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0 100 200 300 400 500
Température (C°)
81
0,60 à 1150°C
0,55 0.00
0.01
0,50 0.03
0.05
0,45 0.07
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0 100 200 300 400 500

Température (C°)
Figure IV. 5 : Variation du facteur de dissipation en fonction de la température pour

l’ensemble des échantillons frittés à 1100 °C, 1150 °C, et 1180 °C
Les courbes donnent les variations de tgδ gardent la même forme (allure) quand on fait
varier la température de frittage. L’existence d’une transition de phase F-P se traduit sur ces
courbes par une variation plus ou moins brutale des pertes diélectriques.
L’angle des pertes croit avec l’augmentation de la température jusqu’à atteindre une
valeur maximale à la température de transition, qui traduit un maximum des pertes
diélectrique du mélange, puis il diminue. Cette diminution causée par l’augmentation de la
température entraîne une détérioration des propriétés du matériau qui sont liées au
mouvement des murs de domaines [7-8].
 Évolution de tg δ en fonction de la composition en PZN
La variation de l’angle des pertes diélectriques en fonction du taux de dopant à

différentes températures de frittage pour l'ensemble des échantillons est représentée par la
figure IV.6. D’après cette figure, l’angle de perte diélectrique décroît avec l’augmentation du
taux de PZN à différentes température de frittage jusqu’à ce qu’il atteint une valeur minimale
de 0.14 % pour l’échantillon dopé avec 7 % de PZN à une température de 1180 ºС. Ceci
82
confirme, une fois de plus, que l’échantillon dopé avec 7 % de PZN est plus dense que les
autres échantillons et 1180 ºС représente la température de frittage optimale.
0,28 1100°C
1150°C
0,26 1180°C
0,24
0,22
0,20
0,18
0,16
0,14
-0,01 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08
Composition en PZN
Figure IV. 6 : Variation du facteur de dissipation en fonction de la composition en PZN
IV.3.1.3. La résistivité (ρ) et la conductibilité électrique (γ)

La mesure de la résistivité de nos échantillons a permet de mieux caractériser leur
qualités électriques.
 Évolution de la résistivité et de la conductibilité en fonction de la

température
Les courbes de ρ = f(T) relatives aux compositions inclus dans la zone morphotropique et
à la température de frittage optimale 1180 °C sont représentées sur les figures IV.7.
83
6
x = 0,00 24
R
-6
C
Conductibilité (Ohm.Cm) *10

6
Résistivité (Ohm.cm)*10
-1
18
12
2
0
0
0 100 200 300 400 500

Température (°C)
20
x = 0,01 24
R
-6
15 C
6
-1
18
10
12
5
6
0 0
0 100 200 300 400 500

Température (°C)
84
18
X = 0.03 16
30 R
14
Conductibilité (Ohm.Cm)-1*10 -6
C
Résistivité (Ohm.cm)*10 6
12
20 10
6
10
4
0 0
-2
0 100 200 300 400 500
Température(°C)
70
16
x = 0.05
60
R 14
C
-6
50
12
6
-1
40 10
8
30
6
20
4
10
2
0 0
-10 -2
0 100 200 300 400 500
Température (°C)
85
100 14
90 x = 0.07 12
80 R
-6
C
6
10
70
-1
60 8
50
6
40
30 4
20 2
10
0
0
0 100 200 300 400 500
Température (°C)
Figure IV.7 : Evolution de la résistivité et la conductibilité en fonction de la

température pour tous les échantillons à la température de frittage 1180 °C.
Sur les courbes ρ = f(T), on constate que la résistivité des matériaux de type
PZT diminue avec l’augmentation de la température, car à haute température l’énergie
thermique peut être suffisante pour rompre quelques liaisons ioniques ou covalentes et
entraîne une certaine mobilité des ions. Par exemple, la résistivité décroît de plus en plus
pour l’échantillon N° 5 (x = 0.07) à la température de frittage 1180 °C (à 50 °C, ρ=
86,88*106Ω.cm, à 450 °C, ρ= 0,08*106Ω.cm).
La présence des dopants (MoO3, Fe2O3, ZnO, Nb2O5) a des effets sur la diminution de
la résistivité du matériau et par conséquent augmente sa conductibilité. Ceci est dû à
la non stœchiométrie du matériau après le dopage qui engendre l’apparition des sites vacants
(en Pb ou en O). Ces sites vacants augmentent le nombre de charges dans le matériau ce qui
décroît la résistivité du matériau. En revanche, La conductibilité électrique varie en sens
inverse de la résistivité, elle croit avec l’augmentation de la température, par exemple
l’échantillon N°5 à la température de frittage 1180 °C à 50 °C γ= 0,01151*10-6(Ω.cm)-1, à
450 °C γ = 12,5*10-6(Ω.cm)-1.
86
IV.3.1.4. La rigidité électrique
Tout matériau diélectrique soumis à un champ électrique perd, d’une manière

définitive, ses propriétés d’isolation, si le champ dépasse une valeur critique. A cette valeur
correspond une tension de claquage, appelée rigidité diélectrique [9]. Cette dernière permet de
déterminer l’épaisseur minimale de l’isolant à utiliser sous une tension donnée pour éviter le
claquage. La rigidité diélectrique dépend de plusieurs facteurs tels que la porosité, la taille et
l’homogénéité des grains.
La mesure de la rigidité électrique a été faite pour tous nos échantillons, d’environ
13mm de diamètre et 1mm d’épaisseur, en leur appliquant une haute tension qui augmente
progressivement (de 0 à 6 kV) jusqu’au claquage.
La rigidité électrique de l’ensemble d’échantillons dopé entre 2 % et 5% varie entre
2,561 kV/mm et 3,986 kV/mm.
Notons que, la composition dopée de 7 % présente une valeur de la rigidité électrique
de (4,386 kV/mm), cette valeur permette de l’utiliser dans les condensateurs.
IV.3.2. Étude des caractéristiques piézoélectriques et mécaniques

D’après les résultats tirés de la caractérisation diélectriques de l’ensemble
d’échantillons PZT-PMF-PZN et les excellentes caractéristiques diélectriques relatives aux
deux compositions (dopés de 5% et 7%), confirmés par les résultas des rayons X près de la
FMP et toujours pour une meilleur comparaison entre les taux de dopage, on a choisis de
caractériser leurs propriétés piézoélectriques.
Notons que, la caractérisation des différents facteurs piézoélectriques n’est réalisée
qu’après polarisation des échantillons (augmentation de l’anisotropie dans le matériau).
Après 24 heures de l’opération de la polarisation, les constantes piézoélectriques sont
déterminées par la méthode de résonance-antirésonance.
IV.3.2.1. Le facteur de couplage électromécanique planaire Kp

 Évolution de Kp en fonction de la température de frittage
La variation du KP en fonction de la température de frittage est illustrée sur les figures

IV.8.
87
0,64
0,62
0,60
Facteur de couplage KP
0,58
0,56
0,54
0,52 0.00
0.01
0,50 0.03
0.05
0,48 0.07
1100 1120 1140 1160 1180

Figure IV.8 : Évolution du facteur Kp en fonction de la température de frittage
Ce facteur augmente de manière presque linéaire avec l'augmentation de la

température de frittage, il atteint un maximum de 0,64 pour l'échantillon No 5 à la température
de frittage 1180 °C, ce qui confirme que 1180 °C est la température de frittage optimale.
 Évolution de Kp en fonction de la composition
L’influence de dopage sur le facteur de couplage électromécanique planaire Kp est

présentée sur la figure IV.9. Ce facteur traduit l’aptitude d’une céramique à transformer
l’énergie électrique en énergie mécanique. La courbe de la figure IV.9 montre que ce facteur
est très sensible à la variation de la composition : il augmente avec l'augmentation du taux de
PZN jusqu'à atteindre une valeur maximale (Kp = 0,64) à P ZN= 7 %. Cette augmentation est
due au fait que pendant la polarisation du matériau, le degré d'alignement des domaines
augmente (Kp augmente) et devient plus élevé dans la région de coexistence des phases
tétragonale et rhomboédrique [10]. Cette prétention a été soulignée et confirmée par Dantsiger
et Fesenko [11].
88
0,64 1180°C
Facteur de couplage KP
0,62
0,60
0,58
0,56
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08

Composition (PZN %)
Figure IV.9 : Évolution du facteur Kp en fonction de la composition
IV.3.2.2. Le coefficient piézoélectrique de charge d31
 Évolution de d31 en fonction de la température de frittage
La figure IV.10 représente la variation du coefficient piézoélectrique de charge d31 en

fonction de la température de frittage. On peut voir que ce coefficient (d31) augmente avec
l’augmentation de la température de frittage jusqu’à atteindre une valeur maximale
(150 * 10-12 C/N) pour l’échantillon N°5 à la température de frittage optimale. Le frittage à
haute température favorise la croissance des grains et par conséquent augmente le coefficient
de charge d31 [12].
89
150 0.00
0.01
C/N)
140 0.03
0.05
-12
130 0.07
Coefficient de charge d31(*10
120
110
100
90
80
70
1100 1120 1140 1160 1180
Figure IV.10 : Évolution du coefficient piézoélectrique de charge en fonction de la

 Évolution de d31 en fonction de la composition
La figure IV. 11. montre la variation du coefficient piézoélectrique de charge d31 en

fonction de la composition en PZN à la température de frittage 1180 °C. On remarque
clairement que ce coefficient croit avec l’augmentation du taux de PZN et prend des valeurs
maximales aux compositions incluses dans la FMP.
A la région de transition (T+R), la piézoélectricité atteint sa valeur maximale. Ceci est
dû aux interactions piézoélectriques des cinq domaines existants 71°, 109°, 180° pour la phase
rhomboédrique et 90°, 180° pour la phase tétragonale.
90
1180°C
150
C/N)
-12
Coefficient de charge d31(*10
140
130
120
110
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08
Composition (PZN %)
Figure IV.11 : Évolution du coefficient piézoélectrique de charge en fonction de la

IV.3.2.3. Le coefficient piézoélectrique de tension g31
 Évolution de g31 en fonction de la de la température de frittage
La courbe de la figure IV. 12 présente l’évolution du coefficient de tension g31 en

fonction de la température de frittage. D’après cette figure, on remarque que ce coefficient
augmente avec l’augmentation de la température de frittage et il atteint le maximum pour
l’échantillon dopé avec 7 % de PZN (22.3× 10-3 mV/N) à la température de frittage 1180 ºС.
Cette augmentation peut être expliquée par l’augmentation de la taille des grains [13].
91
22
Coefficient de tension g31(*10 m.V/N)

20
-3
18
16
14 0.00
0.01
0.03
12 0.05
0.07
10
1100 1120 1140 1160 1180
Figure IV.12 : Évolution de g31 en fonction de la température de frittage.
 Évolution de g31 en fonction de la de la composition
La variation du taux de PZN influe sur le coefficient piézoélectrique de tension g31,

cette dépendance est illustrée sur la figure IV. 13. Plus le taux de PZN croît, le coefficient g31
croît jusqu'à ce qu’il atteint une valeur maximale de 22 .3×10-3 mV/N pour l’échantillon dopé
avec 7% de PZN.
23
1180°C
Coefficient de tension g31(*10 m.V/N)
22
-3
21
20
19
18
17
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08
Composition (PZN %)
Figure IV.13 : Évolution de g31 en fonction de la composition.
92
IV.3.2.4. Le module de Young E
 Évolution de E en fonction de la de la température de frittage

La figure IV. 14 montre l'évolution du module de Young en fonction de la
température de frittage. Les valeurs du module de Young E des échantillons diminuent au fur
et à mesure que la température de frittage augmente et il atteint des valeurs minimales à la
température de frittage optimale (1180 °C).
11,0 0.00
0.01
0.03
Module de Young E (*10 N/m )
10,5
2
0.05
0.07
10
10,0
9,5
9,0
8,5
1100 1120 1140 1160 1180

Figure IV.14 : Évolution de E en fonction de la température de frittage.
 Évolution de E en fonction de la composition
L'évolution du module de Young E pour tous les échantillons frittés à 1180°C en

fonction de la composition en PZN est représentée sur la figure IV.15. Cette courbe montre
une diminution progressive du module de Young E avec l'augmentation du taux de PZN
jusqu'à atteindre une valeur minimale de 8.22×1010 N/m2 pour l’échantillon dopé avec 7 % de
PZN.
La diminution de ce facteur pourrait être expliquée par les forces d'attraction qui
empêchent la vibration des dipôles [14].
93
9,8
1180 °C
9,6
Module de Young E (*10 N/m ) 9,4

2
10
9,2
9,0
8,8
8,6
8,4
8,2
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08

Composition (PZN %)
Figure IV.15 : Évolution de E en fonction de la composition.
IV.4. Conclusion
Les caractéristiques physiques du nouveau céramique de système quaternaire PZT-
PMF-PZN (substitution en site B) et de formule chimique générale 0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-
xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 ont été étudiées en fonction de plusieurs
facteurs:
 Le taux du dopage (0 % et 7%).
 La température de frittage.
 La température.
Ces caractéristiques ont été réalisées par des méthodes simples, directes mais
précises. D’après les résultats structuraux et pour une meilleure comparaison entre les taux
de dopage effectués au système (0% et 7%), tous les compositions dopés de PZT-PMF-PZN
ont été le support de cette étude.
Le grand nombre de résultats fiables est obtenu pour la composition :
0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-0.07Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.92)P(Zr0.53Ti0.47)O3. En fait, ces propriétés
diélectriques et piézoélectriques remarquables nous laissent présage qu’elle peut être utilisé
94
dans des applications prometteuses en électronique. Cette composition pourra être poursuivie
par d’autres études plus profondes.
Les résultats de mesure des propriétés diélectriques piézoélectriques et mécaniques
pour PZT-PMF-PZN dopé avec 7 % de PZN et fritté à 1180 °C, sont rapportés dans le tableau
IV.1.
Tableau IV.1: Résultats de mesure des propriétés diélectriques piézoélectriques et

mécaniques pour PZT-PMF-PZN dopé avec 7 % de PZN et fritté à 1180 °C.
Propriétés Tc °C εr à Tc °C tgδ (%) Kp d31 g31 E

*10-12 C/N *10-3m.V/N *1010 N/m2
Valeurs 450 36224.41 0.14 0.64 150 22.3 8.22
95
Bibliographies
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PZT Ceramics near the morphotropique Phase boundary, Materials Science and
96
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method Jour. of the Europ. Ceram. Soc. (2004).
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ceramics, Ceram. Intern. 30. p-1295–1299 (2004).
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PZT ceramics, Mat, Chemy and Phys 75. p-151-156. (2002).
[14] E. DEFAŸ, Thèse de doctorat, Université de Lyon, (1999).
97
Conclusion générale

Depuis un demi-siècle, une activité de recherche importante a été dédiée aux

matériaux à structure de type pérovskite ABO3 présentant des propriétés ferroélectriques
et piézoélectriques, en vue d’applications dans les dispositifs électromécaniques ou
ultrasonores. Dans ce domaine, la majorité des travaux concerne des pérovskites à base
de plomb. A titre d’exemple, parmi les composés ferroélectriques, les solutions solides
Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT) constituent les matériaux de référence en ce qui concerne les propriétés
piézoélectriques.
Il est possible de moduler ces propriétés et d’obtenir des caractéristiques spécifiques

pour des applications précises en réalisant des substitutions cationiques dans le réseau
cristallin de la pérovskite PZT.
Notre étude a été principalement consacrée à la synthèse, l’étude structurale et la

caractérisation physique du système ternaire 0.01Pb(Mo1/3Fe2/3)O3-xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.99-
x)P(Zr0.53Ti0.47)O3 abrégé PZT-PMF-PZN. Une série d’échantillons a été étudiée avec
x = 0.00, 0.01, 0.03, 0.05 et 0.07, dans le but de trouver les compositions prés de la frontière
morphotropique de phase. Plusieurs analyses sont utilisées pour l’identification
morphologique et structurale telles que : La granulométrie, la microscopie électronique à
balayage (MEB) et la diffraction des rayons X (DRX).
Un traitement thermique à différentes température (1100°C, 1150 °C, 1180 °C ) est

appliqué sur ces échantillons pour suivre et détecter leurs comportements. Des mesures
diélectriques et piézoélectriques ont été réalisées en fonction de plusieurs paramètres par
des méthodes simples directes mais précises.
Les différentes méthodes d’analyse exploitées ont permit de tirer les conclusions
suivantes :
De point de vue morphologique et structural les compositions dopée par 5% et 7%

présentent une taille moyenne des grains plus grande, on peut dire que le dopage par le Zinc et
le Niobium favorise la croissance des grains.
98


L’analyse par diffraction des rayons X (DRX) confirme la pureté de nos échantillons et
montre la coexistence des phases tétragonale-rhomboédrique (T+R) pour des échantillons
dopés avec 1 à 7% de PZN. Par contre l’échantillon non dopé est cristallisé dans une phase
rhomboédrique.
L'effet de la température de frittage sur la densité et la porosité a été étudié afin d'atteindre
la température de frittage optimale. Cette température (1180 oC) correspond à la valeur
maximale de la densité, donc la valeur minimale de la porosité correspond aussi au produit de
meilleure qualité.
Du point de vue de propriétés diélectriques, les valeurs de permittivités diélectriques

relatives sont comprises entre 7052,67 et 36224,41 (à température de Curie). L'étude des
valeurs de εr, en fonction de la composition a permis de conclure que la composition offrant
les valeurs les plus élevées de εr est PZT-PMF-PZN dopées avec 5% et 7% de PZN. C’est
ainsi que cette dernière composition présente une valeur minimale de l’angle de perte
diélectrique de 0.50%. La variation de la résistivité à été étudiée et a montré que la présence
de PZN entraîne des effets sur la diminution de la résistivité du matériau et par conséquent
augmente sa conductibilité pour une température de frittage de 1180 oC. Le coefficient
piézoélectrique de charge, le coefficient piézoélectrique de tension et le facteur de couplage
électromécanique planaire présentent des valeurs maximales pour un taux de dopant de 7 %
de PZN à 1180 oC.
99

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Le Diplôme de Doctorat en Sciences

Elaboration, caractérisation et étude des propriétés

Mr. A. MEGHEZZI Professeur Univ.Biskra Président

Cette étude a été réalisée au laboratoire de chimie appliquée de

Je remercie vivement mon directeur de thèse Monsieur le

Je tiens à exprimer mes plus profonds et sincères remerciements à

Que Monsieur C. Boudaren, professeur à l’université Constantine,

Je remercie Melle S. Seghirou, H. Benmachiche, responsables

Mon plus grand merci revient naturellement à mes collègues

Liste des figures

Liste des tableaux

I.2.7 .4 Transition de phase 15

II.4. 2.2 L’analyse par microscopie électronique à balayage (MEB) 38

Caractérisation structurale de la solution solide

III.5.4. Microscopie électronique à balayage 61

Etude physique de la solution solide

Listes des figures

Figure II.3: Réactions physico-chimiques au sein du matériau 33

Figure II.4: Les différents stades du frittage . . 34

Liste des tableaux

Tableau III.1: Région de coexistence des phases Tétragonale-Rhomboédrique et 64

Depuis un demi-siècle, une activité de recherche importante a été dédiée aux

L’objectif de cette étude est de synthétisé la nouvelle céramique piézoélectrique

Le corps de ce manuscrit se découpe en quatre chapitres principaux :

Le deuxième chapitre est un exposé des étapes de préparation des échantillons en

Dans le troisième chapitre, nous interprétons les résultats de la caractérisation structurale

Le quatrième chapitre concerne l’étude des propriétés physiques : diélectriques et

[1] D. Bersani, P. P. Lottici, A. Montenero et S.Pigoni, Mat. Sci., 31 (1996) 3153-3157.

[2] A. Elmsbahi, Elaboration par voie sol-gel et Etude Physico-chimique et diélectrique de

PbTiO3 Dopé au calcium et au lanthane. Thèse doct, Université Fés (2006).

[3] X. P. Jiang, J. W. Fang, H. R. Zeng, B. J. Chu, G. R. Li, D. R. Chen, Q. R. Yin,

Elsevier, Materials Letters 44(2000)219-222.

[4] A.Boutarfaia, S. E. Bouaoud, Ceram. Int.22,p281-286,(1996).

[6] J.M. Haussonne, Céramiques pour composants électroniques, Techniques de

l’ingénieur (1996) E1820.

[7] C. Huber, Synthèse et caractérisation de nouveaux matériaux ferroélectriques

accordables pour applications hyperfréquences, thèse, Université Bordeaux I, (2003).

[8] R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, H. Murray, Orientation control of textured

bulletin, 35(9)(2000) 1381-1390.

Figure I.1 : Microstructure typique d’une surface céramique [2].

I.2.3. Les matériaux paraélectriques

Les diélectriques idéaux

La constante diélectrique εr représente la potentialité du matériau à opposer des

de constante ε0 (8,8534.10-12 F/m) et donc de capacité :

Figure I.2: Schéma d'un condensateur :

E= (Contrainte / Déformation) (N/m)

La grandeur de module de Young dépend de l'intensité des liaisons atomiques.

d- La résistivité et la conductibilité électrique

Tout matériau diélectrique soumis à un champ électrique perd, d'une manière

La rigidité électrique permet de déterminer l'épaisseur minimale d'isolant à utiliser

On appelle piézoélectricité la propriété que possède certains matériaux (cristaux,

Figure I.4 : Représentation schématique de l’apparition de la piézoélectrique

Non piézoélectriques 20 Piézoélectriques 01 Non piézoélectrique

Figure I.5 : Organisation des 32 classes cristallines [13].

I.2.5.2. Coefficients piézoélectriques

b- Effet inverse (à effort constant)

I.2.5.2.2. La constante piézoélectrique de tension g mn