Université Assane SECK de Ziguinchor

UE : Electronique
Niveau : Licence 3

Cours d’Electronique Analogique

Année universitaire : 2020/2021

Dr Abdoul Kadri DIALLO

a.diallo3014@zig.univ.sn

1
 Introduction
• Qu’est-ce que l’électronique ?

Domaine de la physique appliquée qui

exploite les variations de grandeurs électriques pour

capter, transmettre ou analyser des informations.

Le traitement de l’information est généralement assuré par

des circuits électroniques

2
 • Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?

Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes,

transistors, circuits intégrés: AOP, microprocesseurs, …)

qui agissent sur les courants et tensions électriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.

stockage et traitement de
l’information, commande et
contrôle d’appareillage,...

amplificateur, redressement, modulateur ,…

générateur, capteur, compteur,….

3
 • Electronique « Analogique » ou « Numérique »

 Electronique analogique

- Variation continue des grandeurs électriques

Information  valeurs instantanées I(t) et V(t)

 Electronique numérique

- Variation binaire des grandeurs électriques

Codage de l’Information  Niveau d’abstraction

supplémentaire

4
 • Pour quelles applications ?

Instrumentation

Robotique

Communications

Multimédia

Systèmes informatiques

Cartes mémoires

…
5
 Contenu du cours d ’électronique analogique

 Diodes et applications

 Amplificateur opérationnel

 Filtrage analogique

6
 Bases et Rappels utiles

Composants linéaires et loi d’Ohm

I I
• Résistance électrique = composant linéaire : V R
V
V=RI loi d’Ohm

 Le ”modèle linéaire” ne décrit le comportement réel du composant que

dans un “domaine de fonctionnement (linéaire)” fini.
• Généralisation au “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et
courants) :
V    Z    I  
C L
composant linéaire :
Z    jL
7
“impédance” : Z   
1
jC
Source de tension, source de courant

Sources idéales :

I
I
Io
source de courant V
Io charge
idéale :
V

 le courant fourni par la source est indépendant de la charge

I
V
source de tension
Vo
idéale :
Vo V charge

 la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge

8
 domaine de fonctionnement
Sources réelles : linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
I

source de courant Io  schéma

équivalent
réelle :

V
 Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant en tant
que source de courant

Schéma équivalent: hyp : Vdomaine de linéarité

I
V
Io Ri V charge
 I  Io 
Ri
 I  cst  I o
Ri = “résistance interne” V 
tant que I >> courant dans la résistance interne  
(Gi = 1/Ri = conductance interne)  Ri 
source de “courant” Ri >> V/I = Ze = “impédance d’entrée” de la charge.
9
 domaine de linéarité I
V
V charge
Vo  Schéma Vo
source de tension équivalent
réelle :

Schéma équivalent: hyp : V  domaine de linéarité

I  V  Vo  Ri I
Ri
Vo V charge  V  cst  Vo

tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est

faible devant V Ri I  V 

10 source de “tension”  Ri << Ze

 Transformation de schéma :
“vu” de
Ri la
en fait... avec
I charge I

 Vo

charge

charge
Vo V
Io
V Io  = “courant de court-circuit”
Ri Ri (charge remplacée par un
court-circuit)

puisque
V Vo V
I  I o     V  Vo  Ri I [Vo = tension en “circuit ouvert” du dipôle]
Ri Ri Ri

selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la tension
aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le parcourant, la
source est dite “liée”. Vous verrez des exemples de sources liées dans le cas des
transistors.
11
 Le petit calcul précédent montre que, vu de la charge, les deux schémas
sont équivalents, puisqu’on retrouve les mêmes valeurs pour le courant qui la
traverse et la tension à ses bornes.
En conséquence, tout est relatif. Une source réelle se comporte comme une
« source de courant » si sa résistance interne est grande devant
l’impédance d’entrée de la charge et, vice versa, est agit comme une source
de tension si Ri est faible devant l’impédance d’entrée de la charge.

NB: Ainsi les théorèmes généraux connus en électricité sont autant

applicables aux circuits électronique lors vu de la charge, le circuit de gauche
est complexe ( ie constitué d’un nombre élevé de composants linéaires
(résistances, sources, impédances,…))

12
 Analyse statique / dynamique d’un circuit
 L’ Analyse statique se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs
électriques (ou composantes continues, ou encore composantes statiques)
= Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

 L’ Analyse dynamique ne tient compte que des composantes variables des sources (ou
“signaux” électriques, ou encore composantes alternatives (AC) )

Notation : Lettres majuscules pour les composantes continues

Lettres minuscules pour les composantes variables

En statique, on ne considère que les valeurs moyennes temporelles des grandeurs

électriques. Les signaux sinusoïdaux y sont écartés d’office…
L’analyse dynamique (si des sources variables sont présentes) vient compléter l’étude.
On ne s’intéresse alors qu’aux relations qu’il y a entre les composantes variables des
grandeurs électriques.

13
 Illustration : Etude de la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.
R1

ve
R2 V(t)=V+v(t) ve = signal sinusoïdal, à valeur
VE moyenne nulle
VE = source statique

Calcul complet

V t  
R2
VE  ve t   R2
VE 
R2
ve t 
R1  R2 R1  R2 R1  R2
V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique

 la source statique VE est à l’origine de V et ve est à l’origine de v

14
 Analyse statique :
R1

R2
ve  0 VE R2 V V  VE
R1  R2
“schéma statique” du circuit

En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-circuit

R1
Analyse dynamique :
R2
VE indépendant du temps
ve R2 v vt   ve t 
R1  R2
“schéma dynamique”

 VE = 0 dans l’analyse dynamique

Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

15
Autres exemples:
R1 R2
1)
Io R3 V(t)=V+v(t)

R1 R2
Schéma statique
R1R3
V Io
R1  R2  R3
Io R3 V

Schéma dynamique

R3ve t 
R1 R2
vt  
ve R3 v R1  R2  R3

Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]

16
 2)

! C = composant linéaire caractérisé par une

Val impédance qui dépend de la fréquence du signal
R1
C

Rg
vg R2 V (t)


Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val
R2
V 
R1
Val
R1  R2
R2 V

17
Schéma dynamique :
1
Zc 
iC
R1
ZC

vg Rg R2 // R1 1
 R2 v v  vg avec Z g  Rg 
R2 // R1  Z g iC

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour  suffisamment élevée : Z g  Rg et v vg
R2 // R1  Rg

A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut

être remplacé par un court-circuit.

18
 Diodes et applications

19
 Plan du cours
 Définition

 Constitution - symbole

 Fonctionnement

 Modélisation

 Caractéristiques constructeur- critères de choix

 Méthodes d ’études des montages à diodes

 Applications: Redresseurs mono et double alternance

20
  Définition
 La diode est un composant utile pour réaliser des fonctions électroniques telles

que le redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …)

 La diode est un dipole qui laisse passer le courant que dans un seul sens

 La diode se comporte comme un interrupteur

 La diode est un composant (dipole) polarisé

 La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

 Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux

semiconducteurs (jonction PN ou diode Schottky)

21
  Semi-conducteur ? niveau macroscopique: Sa résistivité
est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants.

niveau microscopique: À la différence d’un conducteur, dans un SC la circulation

du courant ne correspond pas à un déplacement d’ensemble d’un seul type de porteurs –
les électrons – mais
de deux types de porteurs :
• des charges réelles : des électrons libres ;
• des charges fictives équivalentes : les trous.

22
 Le monde du silicium

Structure cristalline du silicium non dopé

Propriétés :
Structure cristalline très
rigide.
4 liaisons par atome assurant
la rigidité du cristal

23
 Dopage
 On rajoute des impuretés à la place d’atomes de Si
 Dopage type N: impureté a 5 électrons => 1 électron est libre
 Dopage type P: impureté a 3 électrons => 1 trou est libre

Type N Type P

24
 o La diode Jonction : Constitution

Avant équilibre

Des trous, porteurs libres Des électrons, porteurs

majoritaires apportés par les Phénomène libres majoritaires
impuretés de diffusion apportés par les impuretés
Des électrons, porteurs libres Des trous, porteurs libres
minoritaires dus à l’agitation thermique. minoritaires dus à l’agitation
Des ions fixes chargés thermique.
négativement : les impuretés ayant Des ions fixes chargés
perdu un trou. positivement : les
25
impuretés ayant perdu un
électron
 La diode à jonction
Symbole

Une diode est un dipôle réalisée par la

P N
jonction de deux semi-conducteurs:
Anode Cathode
• un dopé P qui constitue l ’anode

• l'autre dopé N qui constitue la cathode.

Vd

La convention de représentation des

Id tension et courant est la suivante:
Avec Id>0 et Vd>0 si ils sont dans le sens
de la figure.

26
  Fonctionnement
Id Id
Caractéristique courant-tension
d’une diode idéale : Vd
sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

 Caractéristiques d’une diode réelle

Id
hyp: régime statique
(tension et courant 140
indépendants du temps) comportement linéaire
100

60
V0 : tension seuil
20 dépendante du
Is matériau utilisé
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1 Vd
Si (0,6-0,7 V)
27
  Caractéristique statique

Id(A) La caractéristique statique d ’une diode

est sa caractéristique courant-tension,
c ’est à dire l ’ensemble des points (Vd,
Id) possibles pour ce composant.

Vd(V) Pour la tracer, il faut appliquer une

tension aux bornes de la diode et
relever le courant qui la traverse.

On répète la mesure pour différentes valeurs de Vd, puis

on reporte les couples de points (Vd, Id) dans le plan (Id,
Vd)

28
 Description pratique

V
IF
A

VF R=1k

Schéma de mesure

E(V) -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VAK(V) -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 0.563 0.62 0.646 0.664 0.677 0.688 0.697 0.705 0.712
IF(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.431 1.38 2 .35 3.33 4.32 5.3 6 .3 7.3 8.3

Résultats pratiques

29
 10mA

IF

VF
5mA

0A

-5mA
-10V -8V -6V -4V -2V 0V 2V
I(D1)
V(A)- V(K)

Caractéristique statique de la diode 1N4148

30
  Interprétation

Cas Vd>0: diode polarisée en direct

A partir d ’une
9.0mA certaine valeur de Vd
un courant prend
7.5mA
naissance dans la
diode .
5.0mA Ce courant Id croit
ensuite très
rapidement pour une
2.5mA
faible variation de
Vd.
0A La diode est dite
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
V(A)- V(K)
passante (elle laisse
passer le courant).
31
 Cas Vd>0: diode polarisée en direct
9.0mA
Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] :
augmentation exponentielle du courant
7.5mA

  Vd  
I d  I s exp   1
5.0mA
   VT  
avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)
2.5mA

k T
VT   25mV à 300K
q
0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1) k = 1,38 10-23 J/K= constante de
V(A)- V(K)
Boltzmann
q=e= 1.6 10-19Coulomb,
T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

Is: courant de saturation qui dépend essentiellement du

32 dopage des différents semi-conducteurs.
Dans la « région du coude » (inexistante pour la diode idéale), le courant varie
exponentiellement avec la tension. A noter que le courant à tension fixe
dépend de la température en raison du terme VT = kT/e. (eVT= correspond à
« l’énergie thermique ».
Le paramètre  dépend légèrement de la technologie de fabrication de la diode et
prend généralement des valeurs comprises entre 1 et 2.
VT intervient fréquemment dans les paramètres des composants
semiconducteurs (diode, transistor). Il est donc utile de se rappeler de sa valeur à
température ambiante (0.026V).
REMARQUE: on qualifie parfois de « diode idéale » une diode dont le courant
suit la fonction exponentielle, donnée ci-dessus, avec  =1, pour toute l’échelle de
tension. Il s’agit d’un abus de langage utilisé par les physiciens du composant :
cette caractéristique est identique à celle prévue par le modèle théorique de la
33
« jonction PN idéale »
  Interprétation
Cas VF<0: diode polarisée en inverse
5.0mA

Quelque soit la valeur de Vd,

le courant Id est nul. La diode

0A
s ’oppose au passage du
courant dans le sens
Cathode -> Anode. On dit
que la diode est Bloquée.
-5.0mA
-10V -9V -8V -7V -6V -5V -4V -3V -2V -1V 0V
I(D1)
V(A)- V(K)

34
 Fonctionnement
Résumé

*Diode
bloquée si IF
Vd<0=> Id=0
Vd

*Diode IF
passante si
Id>0 => Vd > 0
VAK ou Vd

Diode Bloquée Diode Passante

35
 Modélisation
 Diode à l ’état bloquée

Rappel: Condition de blocage:

Vd =VAK<0

Dans ces conditions: Id = 0, La diode

se comporte comme : Un interrupteur ouvert

Vd Vd
Id Id =
0

36
  Diode à l ’état passant

Rappel: Condition de conduction:

Id>0

Dans ces conditions: Vd > 0

Le modèle mathématique est donnée par la relation:

 VVF 
I F  I S   e T  1
 
 

Cette équation n ’est pas compatible avec la notion de

modélisation par un schéma électrique simple.

37
 Pour modéliser, on linéarise la caractéristique:
Id Vd
Id

VAK ou Vd
V0

Zone 1 Zone 2

Vd < Vd et Id =0 Vd = rd Id+ Vd
Vd
rd
IF VF
Id=0 rd 
V0 I F

38
 Modélisation : Résumé
Id Vd
Id
Vd
Id

Vd
V0
Diode bloquée :
Diode passante :
VAK ou Vd Id=0 ; Vd<V0
Id>0 ; Vd=V0
Diode bloquée :
 VVF  IF
Id=0 ; Vd<V0
IF 
 IS  e T
 1
  V0 rd
 

Id Vd
Id Vd

Id

Vd
V0 Vd
Diode bloquée : Diode bloquée : Diode passante :
Diode passante :
Id=0 ; Vd<V0 Id=0 ; Vd<0 Id>0 ; Vd=0
Id>0 ; Vd=V0
Id
Id
Vd

39
40
Limites de fonctionnement :

 Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur : VdId=Pmax

Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax
Vd
! peut conduire à la destruction pour une Vo

diode non conçue pour fonctionner dans

cette zone.

! Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
 Limitation en puissance (1/2W pour les diodes standards)

Il faut que VdId=Pmax

 Influence de T : diode bloquée I:d = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

41
Parmi les limitations, on distingue:
-la tension maximale en inverse. Dépasser cette valeur fera augmenter le champ
électrique au sein du composant au delà de la valeur nécessaire pour engendrer
un « claquage électronique » (augmentation exponentielle du nombre de charges
électriques libres et, par conséquent, du courant électrique).
-Limitation en puissance: la puissance dissipée par le composant vaut VdId. Au delà
de la valeur Pmax, l’augmentation de la température du composant risque de
l’abîmer. A noter, qu’il peut y avoir un phénomène d’amplification ou de dérive
thermique: l’augmentation de la température fera augmenter le courant (à Vd
constant, sous polarisation directe) et par conséquent la puissance dissipée, d’où
une augmentation encore plus prononcée de la température…

42
 Diode dans un circuit et droite de charge

 Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id

Val Vd
RL VR Id , Vd, ?

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

43
 Droite de charge
 Loi de Kirchoff :   I Val  Vd = Droite de charge de la diode dans le
d 
RL circuit
Caractéristique I(V)
Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

! procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !
 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un
44
modèle simplifié.
 Modéles « statiques » hyp: Id, Vd constants ou à variation lente (pas d’effets transitoires).
=“modèles grands signaux, basses fréquences”
 Modèle de “première” approximation: Diode « idéale »
 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale
Id
 pas de tension seuil Id
 conducteur parfait sous polarisation directe Vd Vd
 Vd <0: circuit ouvert

 Schémas équivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
Val  Id  0
Val >0 Vd V
Ri Val I d  al , Vd  0
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val  Vd  0

Val I d  0, Vd  Val

45
  Modèle amélioré de « seconde approximation »

 tension seuil Vo non nulle Id

Id
 caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”) Vd
 Vd <0: circuit ouvert
Vo
! Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V
schémas équivalents :
 Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri Val
Vo  Id  0
Val >Vo Vd V  Vo
Ri Vo Val I d  al , Vd  Vo
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val
Val<Vo Vd  Vd  Vo
Val
I d  0, Vd  Val
46
  Modèle de 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rr~0 pente = 1/Rf
 tension seuil Vo non nulle Id
 résistance directe Rf non nulle Vd
Modélisation
 Vd <0: résistance Rr finie

! Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10W, -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
Rr >> MW,
schémas équivalents :
 Schémas équivalents

Id diode passante
Val >Vo : Ri Vo
pente=1/Ri
Vd Val Vd Id  I d  0 et Vd  Vo
Vo Val
 Vd  Vo  R f I d
Rf

Id
Ri diode bloquée
Val <Vo :
Vd
Val
47
Val Rr  Vd  Vo
 Remarques :

Vd Notez que, contrairement à une simple

 Rf  résistance, la résistance Rf qui apparaît dans ce
Id modèle, n’est pas égale au rapport Vd/Id.

 Le choix du modèle dépend de la précision requise.

 Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la

caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit).

48
 Caractéristiques dynamiques

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd >0) :

rc

 I dQ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.

rsc Cd 
T
= “capacité de diffusion”

On peut remarquer que la somme des résistances dynamiques (rc+rsc) est nécessairement égale à rf.

Cd Diode capacitance Capacité de la diode en polarisation inverse. Cette capacité est

un défaut et donc donnée en valeur maximum. Elle varie avec
la tension inverse appliquée à la diode. La figure ci-contre
provient de la documentation d’une diode 1N4148.
Pour certaines applications, ce défaut devient une
performance et les diodes sont alors conçue pour augmenter
l’intervalle de variation de Cd, ce sont les diodes VARICAP
utilisées dans les VCO (oscillateur commandé en tension).

49
 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Vd
Val = 5V RL=
1kW OK!
Id Vo Rf
>
Informations sur la diode: V  Vo
  I d  al  4,33mA
Vo = 0.6V ( Si) R f  RL
Rf = 15W 5V
1kW et Vd  Vo  R f I d  0,66V
Rr =1MW

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  5V  Vo 

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = )   I d  4,4mA et Vd  0,6V

 La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit

50
Autres exemples : Caractéristiques des diodes : Rf = 30W, Vo=0.6V, Is=0 et Rr infinie
50W
Calcul de Id et Vd
1)
Val 1 kW pour :
a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs
2) R1 = 1kW Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :

• à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant)

ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique
Vref=2V reste valable (période du signal < temps de réponse de la diode
pas d’effet “capacitif” ou )

3) D1 D2 50W
4)

2V 1V
100 W
51
 Réponse fréquentielle des diodes

 Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de
Vd au delà d’une certaine fréquence.

apparition d’un déphasage entre Id et Vd

le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable

 Le temps de réponse de la diode dépend :

 du sens de variation (passant bloqué, bloqué passant) (signaux de grande

amplitude)

 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

52
  La diode à jonction
 Méthodes d ’études

 Poser une hypothèse sur l’état des diodes.

 Redessiner le schéma étudié correspondant à

l’hypothèse en faisant apparaître clairement le courant
Id et la tensionVd.
 CalculerVd et Id

53
 Méthode d ’étude
Exemple VF

IF

e(t) s(t)

E(t) est défini tel que:

forme d ’onde : sinusoïdale
amplitude : 22 V
offset: 0V
fréquence: 50 hz
Charge: résistance: 1kW
54
 1 - Hypothèse: Diode bloquée =>Vd<VS et Id=0

2 - Schéma correspondant:
Vd
Id

e(t) s(t)

3 - Calcul de VF et IF:

e(t)-Vd-s(t)=0
L ’hypothèse set
e(t)=Vd
s(t)=R.Id=0 vérifiée si e(t)<VS.

Et dans ce cas: s(t) = 0.

55
 Par suite, la diode est passante pour e(t)>VS
le schéma d ’étude est alors:
VF
IF

e(t) s(t)

Qui donne:
e(t)=s(t)
IF=e(t)/R
56
 e(t)
Vmax

t Vd(t) est tracée à partir de :

Vd(t) = e(t)-s(t)
-Vmax
passante bloquée passante bloquée
s(t)

Vmax Id(t) est tracée à partir de :

Id(t) = s(t)/R
t
VF(t)
s
t

-Vmax

IF(t)
Vmax/R
e

t
Caractéristique de transfert

57
 Quelques diodes spéciales
 Diode Zener

 Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension seuil
négative ou « tension Zener » (VZ)

 Caractéristiques Id
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)

-Vz Vd Imin : courant minimal (en valeur

-Imin absolue) au delà duquel commence
le domaine linéaire “Zener”

Imax : courant max. supporté par la diode

-Imax
(puissance max:Pmax ~VZImax)

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

58
  schémas équivalents
hyp : Q  domaine Zener  Modèle statique :

Rz
Id
Vd
Id 
Vz
-Vz Vd +
-Imin
Q
pente
1/Rz  Modèle dynamique, basses
fréquences, faibles signaux :
-Imax
1
 dI 
rz   d   Rz pour |Id| >Imin
 dVd Q 
 

59
 Diode électroluminescente (ou LED)

 Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

L’intensité lumineuse  courant électrique Id

! Ne fonctionne pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

Vo  0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)

60
 Diode Schottky

Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension Vo très bas et un
temps de réponse très court.

Diode Varicap
Une varicap est une diode à capacité variable. Elle utilise la variation de Ct
avec Vd en polarisation inverse.

Photodiode

Sous polarisation inverse, la photodiode délivre un courant proportionnel à

l’intensité de la lumière incidente.

61
 Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.

 Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits

Limiteur de crête (clipping) intégrés, amplificateur à grand gain…) contre une
tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.
Clipping parallèle
(diode // charge)

Rg

circuit à
 Ve ne peut dépasser significativement Vo
Vg Ve Ze protéger

Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg Ie

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger  Ie ne peut être négatif
62
 Alimentation
Transformer un signal alternatif en tension continue stable
 Objectif:
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à
partir du secteur)

Les fonctions effectuées par une alimentation :

Filtrage
Redressement Régulation
passe-bas

V>0

V<0

63
 Redressement simple alternance
Vs
 Vm  0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i
D2 ~1.4V

Vi Vs Rc
t
D3 D4
Vi  1.4V

64
 avec filtrage : 50 W

R
D1 D2

Rc=10kW
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
 RC << RcC
sans condensateur
avec condensateur

65 Régulation: utilisation d’une diode Zener

Autres configurations possibles :
 Utilisation d’un transformateur à point milieu :

mauvais rendement, puisqu’à

secteur
~ chaque instant seule la moitié du
bobinage secondaire est utilisé
transformateur à
point milieu

 Alimentation symétrique :
+Val

secteur
~ masse

66
-Val
Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
 Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle
Rg C
Exemple :
Vg(t) Vc
Vd
D

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)

 Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée

 Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante
C Rg C
Rg
I

Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd

 C se charge et Vc tend vers Vg – 0.7 Vc = constant (C ne peut se décharger!)

 Vd = Vg +Vc
 Vd ~ 0.7 ~ composante continue
67
 Rg C
 Cas particulier :
Vg  Vm sin   t  pour t  0 Vg(t) Vc
Vd
D
Vc  0 pour t  0 (C déchargé)

 Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

Simulation
Simulation
Vg
Vc
C=1µF
charge du condensateur Rg =1kW
f= 100hz
Vd 0.7V
Vm =5V

Vd
t (s)
68
 Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois
que la diode est passante

Décharge de C avec une constante de temps RrC

 Le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105Hz dans

l’exemple) :

 En régime permanent: Vd  Vg - Vm

composante continue

69