La diode : 4

4. LA DIODE
4.1 Diode idéale
Une jonction qui bloquerait totalement en inverse sans courant de fuite et sans claquage et qui
conduirait un courant infini en direct sans chute de tension serait une diode idéale.

ID

U U
R D

IR

Cette diode est théorique, elle n'existe pas.

Symbole :

P N P N

Sens passant ANODE CATHODE Sens passant

Sens bloqué

4.2 Diode réelle

La diode réelle se distingue de la diode idéale par

 Un seuil de tension dans le sens direct (0,7 V pour Si).

 Une chute de tension en direct qui dépend du courant (résistance du silicium dopé).
 Un seuil de tension qui varie en fonction de la température : il diminue de 2 mV
chaque fois que la température augmente de 1 °C. C'est un coefficient de température
négatif qui posera quelques problèmes dans le cas du transistor.
 Le blocage en inverse n'est pas parfait. Les courants de fuite de quelques nA à 20 °C
double tous les 8 °C lorsque la température augmente.
 La tension inverse n'est pas infinie, le claquage apparaît en fonction de la
construction de la diode.

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 La diode : 4

Schéma équivalent de la diode réelle :

rd

Diode Source Résistance dynamique

idéale de + 0,7V augmentant la chute de
= seuil tension quand I augmente

4.3 Caractéristique directe de la diode

Soit le montage ci-dessous :

Si l'on reporte sur graphique les résultats de la mesure, on obtient la fonction I F = f(UF)
(F pour forward (direct)).

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 La diode : 4

 On trouve une zone jusqu'à 0,5 V où le courant est nul, on n'a pas vaincu la barrière
de potentiel.
 A partir de 0,5 V, le courant s'établit et on est en présence d'un coude.
 A partir de 0,65 V et jusqu'à 1 V, la droite est comparable à celle d'une résistance.
 IFMax est la limite max. de courant imposée par le fournisseur de la diode mesurée. Au
delà, il ne garantit plus que la diode puisse dissiper la puissance sans dépasser la
limite de température de 150 °C. Cette puissance est égale à I D · UD = 10 · 1 = 10 W
(pour 70° C).

Détermination de la résistance dynamique pour I = 6 A (voir graphique) :

On trace une tangente à la caractéristique par rapport au point I F = 6 A. On forme un triangle
rectangle donnant l'écart UF pour l'écart correspondant IF et la résistance dynamique :

rd = 40 m

On retrouve la chute de tension à IF = 6 A par l'équation de la diode.

UF = Useuil + rd · ID = 0,7 + (40 · 10 -3 · 6) = 0,94 V

UF = 0,94 V
Ce qui correspond à la lecture graphique.

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 La diode : 4

Nous constatons que la valeur standard de 0,7 V pour UF prise dans la plupart des calculs est
suffisante, mais il faut savoir que la chute de tension aux bornes d'une diode d'alternateur
automobile qui débite par exemple 30 A est supérieure à 0,7 V.

4.4 La dérive thermique

Lorsque la température d'une diode au silicium augmente, on constate que son seuil de tension
diminue.
Le seuil de tension diminue de 2 mV chaque fois que la température augmente de 1 °C.
Si une diode a un seuil de tension de 0,7 V à 20 °C, ce seuil pour 120 °C sera
 = 120 - 20 = 100 °C
U = 2  10 -3 V   = 2  10 -3  100 = 0,2 V

Seuil : 0,7 V - 0,2 V = 0,5 V

De même, pour une température inférieure à 20 °C, le seuil de tension va augmenter.

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 La diode : 4
4.5 Caractéristique inverse de la diode
VR VRM 100V 20V 15V 10V 5V

1µA

2µA

IR

En inverse, la diode se présente comme une valve fermée.

Il existe un léger courant de fuite en inverse de l'ordre des dizaines de nanoampères à quelques
microampères.
Attention : ce courant de fuite double tous les 8 °C d'augmentation de température.
Le blocage est assuré jusqu'à un certain point dépendant de la construction de la diode. Ce point
va de quelques volts à plusieurs milliers de volts.
Lorsqu'on atteint cette tension de blocage ou tension d'avalanche, la diode se met à conduire
brutalement et si aucune précaution n'est prise pour limiter le courant, elle sera détruite, d'où
l'appellation courante de tension de claquage.
Certaines diodes sont construites pour travailler dans cette zone de claquage (diodes Zener,
diodes de protection).

4.6 La diode Zener

C'est une diode destinée à la régulation de tension, c'est-à-dire qu'utilisée correctement, elle
assure une tension constante et stable.

4.6.1 Symbole graphique

ANODE CATHODE

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 La diode : 4

4.6.2 Fonctionnement
 En sens direct : cette diode fonctionne comme une diode conventionnelle et ne
présente pas d'intérêt particulier.
 En sens inverse : c'est le domaine d'utilisation de la diode Zener.

La tension d'avalanche ou tension Zener* est bien définie, elle est précise et se situe, selon le
modèle de diode, entre 2,4 et 200 V.
Le courant que peut supporter la diode Zener en inverse varie de quelques mA à quelques
ampères. Toujours se référer aux indications du fabricant.

4.6.3 Comparaison hydraulique

UZ

Il y a débit d'eau seulement si le niveau atteint et dépasse légèrement la hauteur du barrage.

De même, la diode Zener conduira seulement à partir du moment où la tension qui lui est
appliquée est supérieure à la tension Zener. Dès que la diode conduit, elle offre très peu de
résistance au passage du courant. Attention à respecter les limitations de courant en ajoutant une
résistance en série. Sans cela, la diode Zener peut être détruite.

 Remarque : On parle de tension Zener entre 2,4 et 6 V, le passage en conduction

inverse est progressif. On parle de tension d'avalanche à partir de 6 V, le passage en
conduction inverse est brutal.

4.6.4 Courbe caractéristique de la diode Zener

UZ Zone directe
6V

Effet Effet
d'avalanche Zener

Domaine
utile I Z

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 La diode : 4
4.6.5 Exemples d'application

Ue

Limitation du 18V
courant dans 12V
Tension R la diode Zener 6V
instable Ue 0V
Max 18V t
Min 6V Us
U stable
Zener 9V Us
9V 18V
12V
6V
0V
t

Ue

60V

R
Ue
t

Us

Zener 50V Us
50V

R On veut créer une tension de référence de

3 V à partir d'une source de 12 V.
Ue US
12 V DZ 3V

On choisit une diode Zener de 3 V pour laquelle le fabricant recommande un courant nominal de
15 mA. Quelle devra être la valeur de R ?

Tension aux bornes de R : UR = Ue - Us = 12 - 3 = 9 V

UR 9
Courant dans R = 15 mA : R=   600 
I 15  10 3

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 La diode : 4

4.7 Les diodes de protection

Ces diodes sont principalement destinées à protéger les semi-conducteurs contre les surtensions
dangereuses.
Une construction particulière leur permet de conduire un courant important en inverse (jusqu'à
1/3 du courant direct en permanence).
Comme les diodes Zener, on les branche en inverse.

Module inductif
créant des surtensions

Diode de protection conduisant

Transistor à partir de 80V et protégeant
le transistor

La mise en conduction des diodes de protection est rapide, elle assure ainsi une protection
immédiate.
Il est à noter que les diodes destinées au redressement sont parmi les plus lentes à se mettre à
conduire (construites pour le redressement de 50 Hz et jusque vers 500 Hz).

Si la mise en conduction de la diode est trop lente au moment de la surtension, une tension
dangereuse a le temps d'apparaître sur le transistor pouvant entraîner des dommages.

4.8 Les diodes Schottky

4.8.1 Symbole

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 La diode : 4
4.8.2 Principe

Dans ce cas, il n'y a plus de jonction silicium N - silicium P. On a une

Anode plaquette de silicium N sur laquelle on dépose un métal :

Métal

Silicium
N

Cathode

 Chrome (Cr)
ou
 Platine-Nickel (Pt-Ni)

On obtient les propriétés suivantes :

 Faible seuil de tension en direct de 0,2 à 0,3 V.
Cette diode remplace les diodes au germanium.
 Temps de mise en conduction pratiquement nul, c'est la plus rapide de toutes
les diodes.
Elle convient pour la commutation rapide, pour les fréquences élevées.

4.9 La VDR
Les varistances ou VDR (V............... D................. R...............) sont des résistances dont la
valeur est fonction de la tension. Elles sont constituées de poudre de carbure de silicium, frittée à
des températures élevées en faisant intervenir des liants. La résistance de contact entre les
particules de carbure de silicium est largement dépendante de la tension. Le fonctionnement
d'une varistance s'explique par le nombre élevé de jonctions PN dont elle est composée :

4.9.1 Caractéristique d'une VDR

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 La diode : 4

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 La diode : 4
4.9.2 Symbole de la VDR

4.9.3 Boîtier d’une VDR

4.9.4 Application de la VDR

Les VDR sont surtout utilisées dans les circuits pare-étincelles et dans les circuits stabilisateurs
de tension. Lorsque utilisée dans les circuits en pare-étincelles, la VDR peut être montée
en .......................... à la fois sur la charge inductive et sur le contact de commutation. Dans les
deux cas, la VDR joue le même rôle que la diode de roue libre, elle empêche que toute la tension
d'induction arrive à la hauteur du contact.

4.10 Résistances NTC

Les résistances NTC ont une valeur de résistance qui diminue lorsque la température augmente,
d'où la désignation qui se traduit par C................................. de T.....................................
N.........................................
La conductivité d'une substance dépend du nombre de porteurs de charges libres et de leur
mobilité, celle-ci diminuant lorsque la température augmente, à cause de la plus grande agitation
des atomes. La réduction de la valeur de résistance dépend de l'accroissement du nombre de
porteurs de charges libres. Dans un semi-conducteur, il y a augmentation d'électrons libres et de
trous lorsque la température augmente. C'est pourquoi les résistances NTC sont faites de
matériaux semi-conducteurs.
Les semi-conducteurs ne comprennent pas que des éléments comme le germanium et le silicium,
ils comprennent également des composés chimiques ayant des propriétés semi-conductrices. Les
résistances sont fabriquées aussi à partir d'oxyde de fer, de nickel et de cobalt, auxquels sont
adjoints d'autres oxydes pour augmenter la stabilité des composants. Ces oxydes sont frittés,
c'est-à-dire pressés avec un liant sous haute pression à des températures élevées.

4.10.1 Caractéristique de la résistance d'une NTC

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 La diode : 4

4.10.2 Symbole de la NTC

4.10.3 Boîtier d’une NTC

4.10.4 Applications de la NTC

Il existe deux possibilités de varier la résistance des composants NTC, soit en agissant sur la
température ambiante soit en faisant varier la charge électrique du composant. Dans le premier
cas, le courant doit être infime si l'on veut éviter toute hausse de température dans le composant
due à la puissance électrique dissipée. C'est selon cette méthode que l'on utilise les résistances
NTC pour mesurer les températures ou les régler. On exploite la deuxième possibilité pour
allonger le temps de commutation dans les relais.
La caractéristique I = f (U) ci-dessous, nous montre que pour une NTC ayant une résistance à
20°C de 20 kW, aucun effet d'auto-échauffement ne se produit jusqu'à environ 14 V (10 mW).
La NTC peut donc être utilisée dans cette portée pour réaliser des mesures de températures. A
des tensions plus élevées, la dissipation d'énergie est plus grande, la température de la NTC
devient beaucoup plus élevée et sa valeur de résistance diminue.

4.11 Résistances PTC

Les résistances PTC ont une valeur de résistance qui augmente lorsque la température augmente,
d'où la désignation qui se traduit par C................................. de T.....................................
P..........................................
Les résistances PTC sont composées de titanate de baryum fritté, mélangé d'oxydes métalliques
ou autres additifs.

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 La diode : 4
Ce n'est que dans une plage de température relativement réduite, autour de la température de
Curie, que la valeur de résistance augmente lorsque la température augmente. Dans cette région
de la courbe, une très légère hausse de la température entraîne un accroissement considérable de
la résistance. Le coefficient de température, dans cet écart, varie jusqu'à + 0.6/K, c'est à dire que
pour un accroissement de 1% de la température, la résistance augmente de 60%. La résistance à
froid des résistances PTC est comprise entre 20 et 100W, l'accroissement de résistance le plus
prononcé a lieu entre 50°C et 120°C et la résistance à chaud est de quelques dizaines de kW.

4.11.1 Symbole de la PTC

4.11.2 Boîtier d’une PTC

4.11.3 Caractéristique de la PTC

La caractéristique R = f (q) nous montre la variation de la résistance PTC lors d'un échauffement
extérieur, à partir de la température ambiante. Pour effectuer cette mesure, il faut s'assurer que la
puissance électrique dissipée dans la résistance PTC soit suffisamment basse et qu'elle ne
provoque pas de hausse de la température.

N T C PT C N T C
R

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 La diode : 4

La figure suivante représente la caractéristique I = f (U) d'une résistance PTC. Dans le cas de
faibles tensions, il est impossible de déceler l'auto-échauffement et la résistance PTC reste à un
niveau faible. Dès que le point de transition est atteint, on observe une forte augmentation de la
résistance et le courant diminue malgré l'augmentation de la tension.
Si la température ambiante est plus élevée, le point de transition est déjà atteint à de basses
valeurs de dissipation. (Voir courbe en trait tillé)

I [mA]
0.5W 50R 70°C
100

80

60

40 0.75W 1k 90°C
1W 20k 100°C
20

0
20 40 60 80 100 U [V]

Comme pour les résistances NTC, on a pour les résistances PTC des applications soit avec
échauffement externe par température ambiante, soit avec auto-échauffement dû à la dissipation.

4.12 Exercices
4.12.1 Exercice
Soient les montages ci-dessous :

V1 100 

10 V V2
V3 330 

V1 = V2 = V3
Useuil = 0,7 V
Rdyn = négligeable

I=?

100  330 

V1
10 V V3
V2

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 La diode : 4

V1 = V2 = V3

I=?

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 La diode : 4

4.12.2 Exercice

On désire brancher un rasoir électrique de voyage sur la prise allume-cigares d'une voiture.
Ce rasoir fonctionne sous une tension de 4,5 V et tire un courant I de 500 mA.
Dessiner le schéma d'une petite alimentation à diode Zener, et dimensionner les éléments ?

4.12.3 Exercice
Calculer le courant dans la diode si E1 = + 20V et -20 V.

R1 R2

E1

R2 R1

R1 = 330  R2 = 220  UD = 0,7 V

4.12.4 Exercice
Calculer le courant dans la diode Zener si E1 = + 20V et -20 V.

R1 R2

E1

R2 R1

R1 = 330  R2 = 220  UD = 0,7 V UZ = 2,7 V

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 La diode : 4
4.12.5 Exercice
Calculer le courant I.

R1 R2
56  R3 47 
100

E1 I E2
15 V 2,5 V
2,7 V

15 V

4.12.6 Exercice
Calculer UO pour les tensions Ui suivantes:

a) +15 V
+5 V

V1

Ui 10k UO

V2

GND

b) +3 V
c) 0 V
d) -10 V

Diode: tension de seuil 0,6 V

résistance dynamique nulle

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 La diode : 4

4.12.7 Exercice diode et droite de charge

+15 V

R1
560 

V1

GND

Déterminer le courant, la tension et la puissance dissipée dans V1 en utilisant la courbe du bas de

la page.

4.12.8 Exercice diode et droite de charge

Déterminer la valeur de R2 pour que le courant dans la diode V1 soit de 50 mA en utilisant la

courbe ci-dessous.

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 La diode : 4

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 La diode : 4

4.12.9 Applications de la NTC

Donner une brève explication des schémas ci-dessous.
a)

b)

c)

d)
K1

K1

K1

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 La diode : 4
4.12.10 Applications de la PTC
Donner une brève explication des schémas ci-dessous.
a)

b)

K K

c)
S

K K K

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 La diode : 4

d)

K K

e)

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