Matière : Electronique des impulsions AU : 2016/2017

Filière : L3

Chapitre 3 : Composants actifs en commutation

3.1. Introduction
La commutation en électronique signifie l’établissement ou la coupure du courant ou de la
tension instantanément dans un circuit. Un interrupteur (commutateur) électronique idéal doit
représenter une résistance nulle à la fermeture, une résistance infinie à l’ouverture et un
temps de commutation nul.
L’étude des composants actifs en commutation consiste à identifier le comportement de ces
derniers lorsqu’ils sont utilisés comme commutateurs. On s’intéressera dans ce chapitre à
deux composants de base à savoir la diode à jonction et le transistor bipolaire.

3.2. Diode en commutation

La caractéristique statique d’une diode à jonction n’est pas linéaire, elle représente trois
régions de fonctionnement : une zone de conduction, caractérisée par une résistance très
faible (typiquement de quelques unités à 100 Ω), une zone de blocage caractérisé par une
résistance très élevée (typiquement de 10𝐾Ω à 100 𝑀Ω) et une zone de calquage. L’intérêt
d’une diode en commutation réside dans la possibilité de contrôler sa résistance par la tension
appliquée.

Figure 3.1 Caractéristique statique d’une diode à jonction.

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3.2.1. Schéma équivalent d’une diode en commutation

A. En polarisation inverse
Lorsqu’une diode à jonction est polarisée en inverse, un léger courant inverse 𝐼𝑟0 dû aux
porteurs minoritaires la traverse. La zone de charge d’espace dépourvue de porteurs jouant le
rôle d’un isolant, avec les charges de signes différents de part et d’autre de la zone de
transition forme un condensateur. Ce dernier est appelé condensateur de transition 𝐶𝑇 dont la
capacité décroit avec la tension inverse 𝑉𝑅 appliquée.
Le schéma équivalent d’une diode en polarisation inverse est le suivant :

𝐶𝑇

𝑉𝑅 𝑉𝑅

Figure 3.2 Schéma équivalent d’une diode en polarisation inverse.

B. En polarisation directe
Lorsqu’une diode à jonction est polarisée en directe, un courant direct 𝐼𝐹 dû aux porteurs
majoritaires circule de la zone P vers la zone N. Les électrons diffusent de la zone N où ils
sont majoritaires vers la zone P où ils deviennent minoritaires puis se recombines. Les trous
diffusent de la zone P où ils sont majoritaires vers la zone N où ils deviennent minoritaires
puis se recombines. Le phénomène de recombinaison n’étant pas instantané, une charge
stockée 𝑄𝑠 est formée entre le moment où les porteurs traversent la jonction et celui où ils se
recombinent. Le condensateur formé par ces charges est appelé condensateur de diffusion 𝐶𝐷 .
La charge stockée 𝑄𝑠 dépend du courant direct 𝐼𝐹 et de la durée de vie moyenne des porteurs
minoritaires 𝜏.
𝑄𝑠 = 𝜏𝐼𝐹
Le schéma équivalent d’une diode en polarisation directe est le suivant :

𝑅𝐷
𝑉0
𝐶𝐷
𝑉𝐹
𝑉𝐹

Figure 3.3 Schéma équivalent d’une diode en polarisation directe.

La résistance traduit la difficulté que rencontrent les charges libres à traverser la jonction.

2 Dr. Y. TIGHILT (dép. Elec. UFAS1)

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3.2.2. Etude de la commutation

A. Commutation directe
Soit le circuit de la figure ci-contre, la tension d’entrée
est un signal rectangulaire qui varie de 𝑅
𝑉𝐿 à 𝑉𝐻 (avec 𝑉𝐿 < 0) : 𝑣𝑅

𝑣𝑒 𝐷 𝑣𝐷
De l’instant 𝑡 = 0 à 𝑡 = 𝑡0 : la diode est dans un régime
permanant, elle est bloquée et aucun courant ne la
traverse.

 A l’instant 𝑡 = 𝑡0 , la tension d’entrée commute instantanément vers la tension

positive 𝑉𝐻 :

Cette tension positive tend à débloquer la diode, la mise en conduction se déroule en deux
phases :

Dans une première phase, la diode est initialement bloquée elle

est équivalente à un condensateur de transition 𝐶𝑇 . Ce 𝑅
condensateur va se charger de la tension 𝑉𝐿 à la tension de seuil 𝑣𝑅
de la diode 𝑉0 à travers la résistance 𝑅 sous la tension d’entrée 𝑣𝑒 𝐶𝑇 𝑣𝐷
𝑉𝐻 . La tension aux bornes de la diode est :
𝑡
𝑣𝐷 (𝑡) = 𝑉𝐻 − (𝑉𝐻 − 𝑉𝐿 ) 𝑒 −𝜏

Cette tension atteindra la tension de seuil de la diode 𝑉0 à l’instant 𝑡 = 𝑡1

𝑉𝐻 − 𝑉𝐿
𝑡𝑓 = 𝜏 ln ( )
𝑉0 − 𝑉𝐿

Avec 𝜏 = 𝑅𝐶𝑇 est la constante du temps

La deuxième phase commence à l’instant 𝑡 = 𝑡1 , la tension aux bornes de la diode ayant

atteint 𝑉0 , la diode est à présent passante et son schéma équivalent et le suivant :

Le condensateur de diffusion va se charger de 0 à

𝑅 𝑅
𝑉𝑓 = 𝑅+𝑅𝐷 (𝑉𝐻 − 𝑉0 ) avec une constante du temps 𝑣𝑅
𝐷
𝐶𝐷 𝑅𝐷 𝑣𝐶𝐷
𝜏 ′ = (𝑅𝐷 ∕∕ 𝑅)𝐶𝐷 . 𝑣𝐷
𝑣𝑒
𝑉0
Comme 𝑅𝐷 ≪ 𝑅 ⇒ 𝜏 ′ ≈ 𝑅𝐷 𝐶𝐷 .

On calcule 𝑡𝑓 ′ = 𝑡90% le temps nécessaire au condensateur 𝐶𝐷 pour se charger jusqu’à

90% 𝑉𝑓 :

𝑡𝑓 ′ = 𝑡90% = 2.3 𝜏 ′

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La mise en conduction de la diode nécessite un temps total 𝑡𝑓𝑟 = 𝑡𝑓 + 𝑡𝑓 ′ , ce temps est

appelé temps de recouvrement direct 𝑡𝑓𝑟 (forward recovery time). A partir de cet instant la
diode atteint son régime permanant, elle est conductrice et parcourue par le courant direct

𝑉𝐻 − 𝑉0
𝐼𝐹 =
𝑅
B. Commutation inverse
De l’instant 𝑡 = 𝑡1 à 𝑡 = 𝑡2 , la diode est dans un régime permanant, elle est passante et
𝑉𝐻
parcourue par le courant direct 𝐼𝐹 ≈ .
𝑅

 A l’instant 𝑡 = 𝑡2 , la tension d’entrée commute instantanément vers la tension

négative 𝑉𝐿 :

Cette tension négative tend à bloquer la diode, le courant ne s’annule pas instantanément et il
𝑉𝐿
prend une valeur négative 𝐼𝑅 = , le blocage se déroule en deux phases :
𝑅

Dans une première phase, la charge stockée dans le 𝑅

condensateur 𝐶𝐷 sera évacuée, le temps de déstockage ou 𝑣𝑅
temps de plateau (storage time) est donné par : 𝐶𝐷 𝑅𝐷 𝑣𝐶𝐷
𝑣𝐷
𝐼𝐹 𝑣𝑒
𝑡𝑠 = 𝜏 ln (1 − ) 𝑉0
𝐼𝑅

Avec 𝜏 est la durée de vie des porteurs minoritaires.

La deuxième phase commence à l’instant 𝑡3 = 𝑡2 + 𝑡𝑠 , Le condensateur de transition 𝐶𝑇 va

se charger à 𝑉𝐿 à travers la résistance 𝑅 à partir d’une charge initiale 𝑉0 .
𝑡
𝑣𝐷 (𝑡) = 𝑉𝐿 − (𝑉𝐿 − 𝑉0 ) 𝑒 −𝜏

On calcule le temps de transition 𝑡𝑇 = 𝑡90% le temps nécessaire au condensateur 𝐶𝑇 pour se

charger jusqu’à 90%𝑉𝐿 :

𝑉𝐿 − 𝑉0
𝑡𝑇 = 𝑡90% = 𝜏 ln ( )
0.1𝑉𝐿

Avec 𝜏 = 𝑅𝐶𝑇

Le blocage de la diode nécessite un temps total 𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑇 , ce temps est appelé temps de
recouvrement inverse 𝑡𝑟𝑟 (reverses recovery time). A partir de cet instant la diode atteint son
régime permanant, elle est bloquée et aucun courant ne la traverse.

C. Forme des signaux

La formes de la tension aux bornes de la diode ainsi que le courant qui la traverse sont
données dans les chronogrammes suivants :

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𝑣𝑒 (𝑡)
𝑉𝐻

𝑡0 𝑡1 𝑡2 𝑡3 𝑡
𝑉𝐿

𝑣𝐷 (𝑡)
𝑉0
𝑡
𝑉𝐿
𝑡𝑓 𝑡𝑠

𝑖𝐷 (𝑡)
𝐼𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐹

𝑡
𝐼𝑅

𝑡𝑠 𝑡𝑇
𝑡𝑟𝑟

Figure 3.4 : Diode en commutation : forme des signaux

3.2.3. Montages permettent de réduire 𝒕𝒔
 Utilisation de la diode Schottky
C’est une jonction métal semi-conducteur, le temps de recombinaison très court donc il
n’y a pas de charges stockées d’où un temps d’évacuation nul. C’est une diode à temps
de recouvrement très bref car sa tension de seuil est inférieure à celle d’une diode à
jonction.
 Utilisation d’un condensateur de compensation
En utilisant un condensateur en parallèle avec la résistance 𝑅 dont le rôle est d’absorber
toute la charge stockée dans la diode. Ainsi aucun courant ne devra traverser la diode
pour annuler 𝑄𝑠 dont un temps de stockage nul.
La valeur de cette capacité doit être :
𝜏 𝑉𝐻
𝑐=
𝑅 𝑉𝐻 + 𝑉𝐿
Avec 𝜏 est la durée de vie des porteurs minoritaires.

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3.3. Transistor en commutation

La caractéristique statique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) pour 𝐼𝐵 = 𝑐𝑠𝑡 d’un transistor bipolaire
représente quatre régions de fonctionnement :
 Une zone de blocage caractérisée la polarisation inverse de la jonction base
émetteur et par conséquence 𝐼𝐵 = 0 ⇒ 𝐼𝐶 = 0.
 Une zone de fonctionnement linéaire ou d’amplification caractérisée par la
polarisation directe de la jonction base-émetteur tandis que la jonction
collecteur-base est polarisée en inverse 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 ).
 Une zone de saturation caractérisée par la polarisation directe des deux
jonctions base-émetteur collecteur-base, le courant 𝐼𝐶 atteint une valeur
maximale qui ne dépend plus de 𝐼𝐵 .
 Une zone de claquage caractérisée par le dépassement de 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸 des valeurs
limites spécifiées par le constructeur et donc l’endommagement du transistor.
L’intérêt du transistor en commutation réside dans la possibilité de contrôler le courant du
collecteur par le courant ou la tension appliqué à la base.

Figure 3.1 : Caractéristique statique de sortie d’un transistor bipolaire

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Exemple : 𝑉𝐶𝐶
Déterminer pour chacun de ces cas l’état du transistor. 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω
On donne 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 50, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.2 𝑉.
𝑅𝐵 = 10 𝐾Ω
1- 𝑉𝐵𝐵 = 3 𝑉
2- 𝑉𝐵𝐵 = 2.5 𝑉 𝑉𝐵𝐵

Solution
Pour 𝑽𝑩𝑩 = 𝟑 𝑽
 Premièrement on détermine 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 de la maille de sortie :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 10 − 0.2
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = = 9.8 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1 × 103
 Ensuite on détermine 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 de la maille de sortie :
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 9.8
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = = = 0.196 𝑚𝐴
𝛽𝑚𝑖𝑛 50
 Puis on détermine 𝐼𝐵 de la maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 3 − 0.6
𝐼𝐵 = = = 0.24 𝑚𝐴
𝑅𝐵 10 × 103
 En fin on compare 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 à 𝐼𝐵 pour en déduire l’état du transistor :

𝐼𝐵 = 0.24 𝑚𝐴 > 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 0.196 𝑚𝐴

Le transistor est saturé.
Pour 𝑽𝑩𝑩 = 𝟐. 𝟓 𝑽
 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 et 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 étant les mêmes, on détermine 𝐼𝐵 de la maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 2.5 − 0.6
𝐼𝐵 ′ = = = 0.190 𝑚𝐴
𝑅𝐵 10 × 103
 On compare 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 à 𝐼𝐵 pour en déduire l’état du transistor :

𝐼𝐵 ′ = 0.190 𝑚𝐴 < 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 0.196 𝑚𝐴

Le transistor fonctionne en régime linéaire.
Remarque
On peut également calculer la tension 𝑉𝐵𝐵 minimale qui provoque la saturation :
𝑉𝐵𝐵𝑚𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 10 × 103 × 1.96 × 10−3 + 0.6 = 2.56 𝑉
𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐵𝑚𝑖𝑛 le transistor fonctionne en régime linéaire.

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3.3.1. Transistor en commutation

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
 Lorsque la tension 𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 ⇒ la
𝑅𝐶
jonction 𝐵𝐸 est bloquée ⇒ 𝐼𝐶 = 0, le
𝑅𝐵
transistor est bloqué et son schéma
𝐾
équivalent côté collecteur est ci-contre : 𝑉𝐵𝐵

 Lorsque la tension 𝑉𝐵𝐵 augmente, 𝐼𝐵

augmente ainsi que 𝐼𝐶 . Lorsque le 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶
courant 𝐼𝐶 atteint la valeur maximale ≅ il ne peut plus augmenter
𝑅𝐶

même si on augmente 𝐼𝐵 , on dit que le transistor est saturé et son

𝐾
schéma équivalent côté collecteur devient :

 En pratique 𝐼𝐵 doit être supérieur à 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 qui provoque juste la

saturation :

𝐼𝐵 = 𝐾 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 avec 2 ≤ 𝐾 ≤ 10

Exemple
Dans le montage de la figure ci-contre : 𝑉𝐶𝐶
On donne 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 et 𝑅𝐶 = 1𝐾Ω 𝑅𝐶

1- Quel est l’état du transistor si 𝑉𝑖𝑛 = 0. 𝑅𝐵

2- Quelle la valeur minimale de 𝐼𝐵 qui provoque juste la
𝑉𝑖𝑛
saturation si 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 200 et 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.
3- Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 si 𝑉𝑖𝑛 = 5 𝑉.
Solution
1- Si 𝑉𝑖𝑛 = 0 ⇒ la jonction BE est polarisée en inverse ⇒ le transistor est bloqué.
2- Calcul de la valeur de 𝐼𝐵 qui provoque juste la saturation :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 10 − 0
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = = = 50 𝜇𝐴
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐶 200 × 1 × 103
3- Calcul de 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 :
𝑉𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
Pour que le transistor soit saturé, il faut que 𝐼𝐵 ≥ 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0.6
⇒ 𝑅𝐵 ≤ = = 88 𝐾Ω
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 50 × 10−6

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3.3.2. Etude de la commutation

𝑉𝐶𝐶
Dans le montage de la figure ci-contre la tension d’entrée
𝑅𝐶
est un signal rectangulaire qui commute entre 𝑉𝐻 et 𝑉𝐿
(𝑉𝐻 > 0, 𝑉𝐿 < 0). 𝑅𝐵

𝑣𝑒

Forme des signaux

Lorsque la tension d’entrée commute entre 𝑉𝐻 et 𝑉𝐿 , la jonction BE se comporte comme une

diode en commutation :
 Avant l’instant 𝑡 = 𝑡0
La tension d’entrée est négative, le transistor se trouve dans un régime permanant bloqué
⇒ 𝐼𝐵 = 0, 𝐼𝐶 = 0, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐿

 A l’instant 𝑡 = 𝑡0
La tension d’entrée commute instantanément à 𝑉𝐻 , le courant 𝐼𝐵 charge le condensateur de
transition côté émetteur 𝐶𝑇𝐸 et côté collecteur 𝐶𝑇𝐶 , la tension de base augmente d’une
manière exponentielle.

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 A partir de l’instant 𝑡 = 𝑡1
La tension 𝑉𝐵𝐸 devient positive et le courant 𝐼𝐶 augmente rapidement, l’intervalle
𝑡𝑑 = 𝑡1 − 𝑡0 est appelé temps de retard, c’est le temps nécessaire à 𝐼𝐶 pour atteindre
10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . Ce temps correspond au temps de charge des condensateurs de transition plus le
temps nécessaire aux porteurs minoritaires ayant franchi la jonction côté émetteur d’atteindre
le collecteur.
 De l’instant 𝑡1 à 𝑡2
𝐼𝐶 passe de 10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 à 90% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 soit le temps de montée 𝑡𝑟 du courant 𝐼𝐶 . Il correspond au
temps nécessaire à la jonction base collecteur pour passer de la polarisation inverse à la
polarisation directe.
Le temps d’établissement 𝑡𝑜𝑛 et la somme de 𝑡𝑑 et 𝑡𝑟 (𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑟 ).
 Pendant l’intervalle 𝑡2 à 𝑡3
Le transistor atteint son régime permanant, il est saturé 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 et 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
 De l’instant 𝑡3 à 𝑡4
Il correspond au temps de stockage 𝑡𝑠 , c’est le temps nécessaire pour évacuer
progressivement l’excès d’électrons injectés dans la base.
 A l’instant 𝑡 = 𝑡4
𝐼𝐶 atteint 90% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 le transistor sort de la saturation et le courant 𝐼𝐶 commence de
descendre pour atteindre 10% 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 à l’instant = 𝑡5 .
 L’intervalle 𝑡4 à 𝑡5
Il correspond au temps de descente 𝑡𝑓 , c’est le temps nécessaire pour décharger les
condensateurs de transition 𝐶𝑇𝐸 et 𝐶𝑇𝐶 .
Le temps d’extinction 𝑡𝑜𝑓𝑓 et la somme de 𝑡𝑠 et 𝑡𝑓 (𝑡𝑜𝑓𝑓 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓 ).

3.3.3. Estimation des temps de commutation

Le schéma équivalent d’un transistor en commutation monté en émetteur commun est le
suivant :

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