Amplificateurs BF BJT Et FET Chap 1

UDDM Chapitre1 Electronique générale
IUT de Maradi Amplificateurs à transistors BF faibles signaux 2017-2018

GE1
chapitre1: Amplificateurs à transistors BF faibles signaux

1. Généralités:
On désigne par '' faibles signaux'' les signaux de faible amplitude évoluant autour du point de
fonctionnement statique. Vis-à-vis de ces signaux le transistor se comporte comme un
quadripôle linéaire.
La polarisation d'un transistor est une opération n'utilisant que des alimentations courant
continu (c.c).
Le but de la polarisation est d'établir un point Q autour duquel des variations en courant et en
tension peuvent survenir en réponse à un signal d'entrée courant alternatif (c.a). Dans les
applications où des tensions faibles de faibles signaux doivent être amplifiées, comme celles
d'une antenne ou d'un microphone, les variations autour du point Q sont relativement faibles.
Les amplificateurs conçus pour traiter ces petits signaux c.a sont appelés des amplificateurs à
faibles signaux.
2. Amplificateurs à transistors BF faibles signaux

2.1 Définition:
Un amplificateur de tension est un quadripôle actif qui multiplie une grandeur d'entrée ve par
un facteur d'amplification Av (| |, ℎ ) tel que:
= .
vs : tension de sortie de l'amplificateur.
Av est souvent exprimé uniquement par son module ou par le gain GdB.
= 20 | |; GdB en décibels.
fig.1
2.2 Grandeurs caractéristiques d'un amplificateur

Un amplificateur peut être représenté par le
schéma de la figure ci-contre:
 Impédance d'entrée: =
 Gain en tension: =
)
 Impédance de sortie: =
)
fig.2
Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une résistance qu'on appelle résistance ou

impédance d'entrée Re ou Ze. Vu de la sortie, il se comporte comme un générateur de tension
interne = . en série avec une résistance de sortie Rs ou Zs.
Ing. Bello Djibril Page 1

GE1
2.3. Mesure des grandeurs caractéristiques d'un amplificateur

1) Pour mesurer Ze, on peut utiliser deux méthodes :
a) On branche un générateur à l'entrée, on mesure ve et ie et on en déduit = .
b) On branche un générateur à une résistance connue R (Figure ci-dessous), on
mesure vg et ve et on en déduit Ze à l'aide de l'expression du diviseur de potentiel :
Mesure de Ze
fig.3
2) Pour mesurer AV, on branche un générateur à l'entrée, et on mesure la tension d'entrée ve et

la tension de sortie à vide vs (is=0). Le gain en tension à vide est : = .
3) Pour mesurer l'impédance de sortie Zs, on procède en deux temps :
On mesure la tension de sortie à vide ) ( ) ce qui permet de déterminer la tension
interne vi car, à vide, le courant de sortie is est nul, donc = ) maintenant que vi est
connue, on court-circuite la sortie et on mesure le courant de sortie ) ( ) . La loi d'ohm
= . ) donne =
)
2.4. Transistor bipolaire en amplification
Nous avons vu comment on calcule la polarisation c’est-à-dire le point de fonctionnement
continu (statique) du montage de la figure ci-dessous.
fig.4: Polarisation par pont
On utilisera un indice 'o' pour désigner les tensions et les courants correspondant au point de
fonctionnement statique qu'on désigne aussi par position de repos. Nous allons voir

GE1
maintenant ce qui se passe si (à partir d'un instant to) on fait varier légèrement le courant IB
autour de sa position de repos IBO.
Si IB augmente alors IC augmente fois plus vite car = ,
Si IB diminue alors IC diminue fois plus vite car = ,
= −( + )
donc si IC varie alors VCE varie (RC + RE ) fois plus vite mais en opposition de phase.
L'effet d'amplification apparaît donc clairement. Les variation obéissent à deux lois :
La caractéristique du transistor : = ,
La loi d'Ohm dans le circuit de sortie (droite charge): = −( + )
∆ = ∆
fig.5: Variation de IB, IC et VCE.
2.4.1 Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire

La droite = donne la variation de IC en fonction de IB.
La droite de charge donne la variation de VCE variation en fonction de IC.

GE1
fig.6: Amplification par transistor
2.4.2 Capacité de liaison

Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le signal de sortie amplifié (signaux
alternatifs) sans perturber le point de fonctionnement statique du montage, on fait appel à des
capacités de liaison qui laissent passer l'alternatif mais pas le continu.
La tension sur la base du transistor est la somme de la tension continue VB et de la tension
d'entrée (variable) ve. La variation de VB provoque la variation du courant IB, et par conséquent
celle de IC , VCE et vs.
Pour établir la relation entre la variation de VB (= ve) et la variation de VC (= vs), on utilise un
modèle du transistor plus adapté pour le calcul des signaux variables.
C2
Rg C1
eg
CE
fig.7 : Amplificateur avec les capacités de liaison
Le condensateur C1 permet de transmettre à la base du transistor un signal variable qui s'ajoute

à la polarisation.
D'autre part, C1 évite que le courant continu de polarisation soit partiellement absorbé par le
générateur de signaux variables.
Choix des condensateurs

GE1
 On choisit CE de façon que sa réactance soit négligeable devant RE. Ce qui permettra
de court-circuiter la résistance RE :
≪
CE est appelé condensateur de découplage.
 Pour que la tension à amplifier soit la plus grande possible (c’est-à-dire pratiquement
égale à la tension délivrée par le générateur de commande) il faut que:
≪ ( résistance à l'entrée du quadripôle amplificateur).
 De même pour que la tension aux bornes de C2 soit très faible devant celle qui
apparait aux bornes de RL il faut que:
≪
En première approximation on peut déterminer les trois capacités en adoptant la règle suivante
dite du dixième:
≈ , ≈ , ≈
2.4.3. Schéma équivalent du transistor pour les petits signaux
a) Modèle aux petits signaux :
Le transistor est considérée comme un quadripôle linéaire
fig.8: Quadripôle émetteur commun

Si on utilise la théorie des quadripôles, on a :
VBE = f1 (IB, VCE)
IC = f2 (IB, VCE)
a.1) Modèle utilisé: paramètres hybrides (H)
Ils sont issus du quadripôle ci-dessus fig.
Avec:
= à vCE = 0; h11= rbe

= à ib = 0; h12 = 0 ( 10-4)
= à vCE = 0; h21 = β.
= à ib = 0; h22 = 1/rce = 1/

GE1
Ces relations décrivent les lois électriques du schéma ci-dessous qu'on appelle schéma
équivalent pour les petites variations ou schéma équivalent en dynamique du transistor
fig.9: Schéma équivalent en dynamique du transistor (BF)
Si la résistance extérieure connectée entre collecteur et émetteur d'un transistor est faible
devant  on peut remplacé le transistor par une source de courant commandée d'impédance
d'entrée h11. On obtient donc le schéma équivalent simplifié ci-dessous:
fig.10 schéma équivalent simplifié
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les faibles variations sont décrite d'une façon
simplifiée par :
=ℎ
=
Le terme h11 donne la relation entre une tension et un courant, il est donc homogène à une
résistance.
Chaque transistor a sa propre valeur de h11 , une valeur , approximative est donnée par :
25
ℎ = (Ω)
( )
où ( ) = indique la résistance à l’intérieur du transistor: c’est la tension AC appliquée
sur l’émetteur divisée par le courant AC qui le traverse.
Elle est largement utilisée en pratique pour donner une première idée de la résistance AC de la
diode émetteur.
En pratique, la grande majorité des transistors commerciaux présentent une résistance AC de
l’émetteur comprise entre 25mV/ IE et 50mV/ IE. L’importance de r’e se situe dans le calcul du
gain en tension : plus ′ est faible, plus le gain est important. Nous verrons par la suite
comment utiliser ′ pour évaluer le gain en tension d’un amplificateur à transistor.
2.4.4 Montage émetteur commun (EC)

GE1
a) Emetteur commun (sans condensateur de découplage et sans résistance RE à

l’émetteur)
vs
ve RB
vs
ve
fig.11
Notation : h21 = 
L’émetteur E est relié à la masse.
La base B est reliée par
- R2 à la masse
- R1 au point VCC tension constante donc reliée à la masse pour les signaux alternatifs.
Le collecteur C est relié par RC au point de tension constante VCC donc à la masse pour les
signaux variables.
.
R2 et R1 sont en dérivation. Soit RB la résistance équivalente: =
Schéma équivalent:
= .
Loi des nœuds en C : + =0⇒ =− . d’où =− . .
A l’entrée du montage : = ℎ .
 Le gain en tension vaut :
= =−
ℎ
Il est négatif ce qui veut dire que les tensions d'entrée et de sortie sont en opposition de
phase.
 Le gain en courant
=− . , =ℎ .
ℎ . ℎ
= + = + = +1 .
.
= =− =− =−
ℎ ℎ ℎ +
+1 . +1
 L’impédance d’entrée
.
= =ℎ . = + = + = +1 .
. .
= = = ((h11 et RB en dérivation)
 Le gain en puissance

GE1
.
=| |. | | =
ℎ +ℎ
 L’impédance de sortie
=− . . =− .
. .
= = =
.
Le montage décrit ci-dessus présente l'inconvénient d'instabilité. On y remédie en introduisant

une résistance d'émetteur
b) Emetteur commun avec résistance de stabilisation de température RE (sans condensateur)
vs
vs
ve
ve
fig.12
L’émetteur E est relié par la résistance RE à la masse.
- R2 à la masse
signaux variables.
.
R2 et R1 sont en dérivation. Soit RB la résistance équivalente : =
= .
Loi des nœuds en C : + . = 0 ⇒ =− . d'où = − . .
Loi des nœuds en E: = + . = (1 + ). :
A l’entrée du montage:
=ℎ . + = ℎ . + . = ℎ . + . ( + . ) = [ℎ + . (1 + )].
Le gain en tension vaut :
− . . − .
= = ⇒ =
[ℎ + . (1 + )]. ℎ + . (1 + )

GE1
.
Si ≫1⇒ = .
On constate que la résistance d'émetteur RE joue un rôle important pour la stabilisation de la
température, mais elle a une influence néfaste sur le gain en tension AV. Pour remédier à ce
problème, on place un condensateur (de découplage) en parallèle sur RE.
Ce condensateur n'intervient pas en continue, donc la résistance RE joue pleinement son rôle
de stabilisation thermique, alors qu'en alternatif, le condensateur est remplacé par un court-
circuit, ce qui nous ramène au schéma équivalent de la figure du montage émetteur commun
sans résistance d'émetteur qui, comme nous l'avons vu, procure un gain en tension important.
Le gain en courant
=− . = [ℎ + . (1 + )].
[ℎ + . (1 + )]. ℎ + . (1 + )
= + = + = +1 .
− . − − .
= = = =
ℎ + . (1 + ) ℎ + . (1 + ) ℎ + . (1 + ) +
+1 . +1
L’impédance d’entrée
= = [ℎ + . (1 + )].
[ℎ + . (1 + )]. ℎ + . (1 + )
= + = + = +1 .
[ .( )]. [ .( )].
= = .( ) = )
([ℎ + . (1 + )] é )
. .(
.
L’impédance de sortie: = = =
.
C) Emetteur commun avec condensateur de découplage
vs
RB vs
ve ve
fig.13
Le condensateur de découplage CE est un court circuit pour la résistance RE en régime
alternatif. L’émetteur E est donc relié à la masse.
- R2 à la masse

GE1
signaux variables.
.
R2 et R1 sont en dérivation. Soit RB la résistance équivalente: =
Schéma équivalent: = .
A l’entrée du montage : = ℎ .
 Le gain en tension vaut :
= =−
ℎ
RC et h11 sont du même ordre de grandeur donc le gain est élevé ; Av <0, vs et ve sont en
opposition de phase
 Le gain en courant
=− . , =ℎ .
ℎ . ℎ
= + = + = +1 .
.
= =− =− =− ≈ − si ≫ℎ
.
Le gain en courant est élevé, les courants d’entrée et de sortie sont en opposition de phase.
 Le gain en puissance
.
= | |. | | =
ℎ +ℎ
 L’impédance d’entrée
.
= =ℎ . = + = + = +1 .
. .
= = = (h11 et RB en dérivation)
 L’impédance de sortie
=− . . =− .
. .
= = =
.
En résumé :
 Amplification élevée en tension et en courant ;
 Déphasage de π entre l’entrée et la sortie (vs et ve sont en opposition de phase) ;
 Ze est élevée et Zs est faible.

GE1
2.4.5 Collecteur commun
ve
ve
Vs vs
fig.14
- R2 à la masse
Le collecteur C est relié au point de tension constante VCC donc à la masse pour les signaux
variables.
.
= .
Loi des nœuds en E : = + = (1 + ) d’où = (1 + ). .
A l’entrée du montage :
= ℎ . + = ℎ . + (1 + ). . = [ℎ + (1 + ). ].
 Le gain en tension vaut :
( ). . ( ).
= =[ ( ). ].
⇒ = ( ).
<1
( ).
Si h11 << (β+1)RE alors =( ).
=1
On remarque que le montage collecteur commun a un gain en tension voisin de l'unité, pour
cette raison, on l'appelle aussi, montage émetteur suiveur car la tension sur l'émetteur suit
celle de la base.
 Le gain en courant
[ ( ). ]. ( ).
= (1 + ) et = + = + = +1
(1 + ) (1 + )
= = = ⇒
ℎ + (1 + ). ℎ + (1 + ).
+1 +1

GE1
( ).
= ( ).
 L’impédance d’entrée
= avec = [ℎ + (1 + ). ].
[ ( ). ]. ( ).
= + = + = +1
[ ℎ + (1 + ). ]. [ ℎ + (1 + ). ].
= ⇒ =
ℎ + (1 + ). ℎ + (1 + ). +
+1
([ ℎ + (1 + ). ] et en dérivation)
 L’impédance de sortie
: = = (1 + ). . = (1 + )
(1 + ). .
⇒ = =
(1 + )
2.4.6 Base commune
Vs
Vs
Ve
Ve
fig.15
Le condensateur est un court-circuit pour la résistance R2. La base B est donc reliée à la
masse.
signaux variables.
Schéma équivalent :
= .
et = − = −ℎ .

GE1
. . .
 Le gain en tension vaut : = = =
.
RC et h11 sont du même ordre de grandeur donc le gain est élevé ; AV est positif, vs et ve sont
en phase.
Loi des nœuds en E : + + = où
.
= −ℎ . ⇒ = − (1 + ). =− + +1
− .
⇒ = = = <1
ℎ ℎ
− + +1 + +1
 L’impédance d’entrée
ℎ
= = −ℎ . =− + +1 .
.
= = = ( Impédance d’entrée faible)
.
. .
 L’impédance de sortie : = = =
.
2.5 Transistor à effet de champ en amplification

2.5.1 Schéma équivalent en petits signaux
Le TEC est commandé par la tension Vgs avec un courant d'entrée négligeable (jonction
polarisé en inverse): son modèle d'entrée est donc un circuit ouvert entre grille et source.
Le réseau des caractéristiques de sortie d'un TEC est sensiblement identique au réseau de
sortie d'un transistor bipolaire.
Il apparait logique que le modèle << petits signaux >> d'un TEC soit le même, côté sortie:
source de courant commandé par Vgs et résistance de sortie élevée.
fig.16: Schéma équivalent complet

Δ
= =
Δ
Résistance de sortie = ê é é .
d'où le schéma équivalent simplifié ci-dessous :

GE1
fig.17: Schéma équivalent simplifié petits signaux
a) Drain commun
gmvgs
ve
vs vs
ve
fig.18
La source S est reliée par la résistance RS à la masse.

La grille G est reliée par:
- R2 à la masse
- R1 au point VCC tension constante donc reliée à la masse pour les signaux variables.
.
Le drain D est relié à la masse.
= .
Loi des nœuds en S : = .
d’où = + = + . . = (1 + . ).
 Le gain en tension
. . .
= = = <1
(1 + . ). 1+ .
Similaire à celui de l'émetteur suiveur pour le transistor bipolaire. Il est appelé circuit
d'amplificateur à source suiveuse.
= .
(1 + . ).
= =
. .
= = =
(1 + . ). 1+ .
 Impédance d'entrée
GE1
=
 Impédance de sortie
1
= ∥
b) Grille commune
gm.vgs
vs
ve vs ve
fig.19
La source S est reliée par la résistance RS au point de tension constante -VCC donc à la masse
pour les signaux variables.
La grille G est reliée à la masse.
Le drain D est relié par la résistance RD au point de tension constante VCC donc à la masse
= .
Loi des nœuds en D : + . =0⇒ =− .
d’où
=− . .
= − = =−
. .
= = = .
−
Le gain en courant
=− .
−
+ . = = ⇒ =− . −
. .
= = = 1 =
. .

GE1
C) Source commune
gmvgs
vs
vs
Ve
ve
fig.20
Le condensateur de découplage est un court-circuit pour la résistance RS dans la gamme des
fréquences utilisées. La source S est donc reliée à la masse.
La grille G est reliée par
- R2 à la masse
- R1 au point VCC tension constante donc reliée à la masse pour les signaux variables.
.
Le drain D est relié par la résistance RD au point de tension constante VCC donc à la masse
= .
Loi des nœuds en D : + . =0⇒ =− .
d’où =− . .
=
− . .
= = =− .
=− .
= =
− .
= = =− .

Amplificateurs BF BJT Et FET Chap 1

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Amplificateurs BF BJT Et FET Chap 1

Transféré par

Informations du document

Description originale:

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Amplificateurs BF BJT Et FET Chap 1

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UDDM Chapitre1 Electronique générale

IUT de Maradi Amplificateurs à transistors BF faibles signaux 2017-2018

chapitre1: Amplificateurs à transistors BF faibles signaux

2. Amplificateurs à transistors BF faibles signaux

2.2 Grandeurs caractéristiques d'un amplificateur

Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une résistance qu'on appelle résistance ou

Ing. Bello Djibril Page 1

2.3. Mesure des grandeurs caractéristiques d'un amplificateur

2) Pour mesurer AV, on branche un générateur à l'entrée, et on mesure la tension d'entrée ve et

fig.4: Polarisation par pont

Ing. Bello Djibril Page 2

fig.5: Variation de IB, IC et VCE.

2.4.1 Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire

Ing. Bello Djibril Page 3

fig.6: Amplification par transistor

2.4.2 Capacité de liaison

fig.7 : Amplificateur avec les capacités de liaison

Le condensateur C1 permet de transmettre à la base du transistor un signal variable qui s'ajoute

Ing. Bello Djibril Page 4

fig.8: Quadripôle émetteur commun

= à vCE = 0; h11= rbe

Ing. Bello Djibril Page 5

fig.9: Schéma équivalent en dynamique du transistor (BF)

fig.10 schéma équivalent simplifié

Ing. Bello Djibril Page 6

a) Emetteur commun (sans condensateur de découplage et sans résistance RE à

Ing. Bello Djibril Page 7

Le montage décrit ci-dessus présente l'inconvénient d'instabilité. On y remédie en introduisant

Ing. Bello Djibril Page 8

Ing. Bello Djibril Page 9

Ing. Bello Djibril Page 10

2.4.5 Collecteur commun

 Le gain en tension vaut :

Ing. Bello Djibril Page 11

Ing. Bello Djibril Page 12

2.5 Transistor à effet de champ en amplification

fig.16: Schéma équivalent complet

Ing. Bello Djibril Page 13

fig.17: Schéma équivalent simplifié petits signaux

La source S est reliée par la résistance RS à la masse.

Ing. Bello Djibril Page 15

Ing. Bello Djibril Page 16

Vous aimerez peut-être aussi

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.