TP N°3transistor

TP N°5: Amplificateur à transistor bipolaire
I. But de la manipulation
Le but de cette manipulation est d’étudier les méthodes de polarisation et de mesurer les
principales caractéristiques de l’amplification utilisant un transistor monté en émetteur commun.
II. Rappel théorique
II.1. Principe d’un amplificateur
Un amplificateur sert à amplifier un signal électrique dont l’amplitude ou la puissance est

trop faible et qui ne peut être utilisé directement ; il lui permet d’avoir une amplitude ou une
puissance suffisante permettant son utilisation.
II.2. Caractéristique dynamique
A. Gain d’un amplificateur
On peut classer les amplificateurs selon la grandeur qu’ils permettent principalement

d’amplifier (tension, courant ou puissance).
 Gain en tension : Gv=Vs/Ve ou Gv(dB)=20.log(Vs/Ve)

 Gain en Courant : Gi=Vs/Ve ou Gi(dB)=20.log(Is/Ie)
 Gain en puissance : Gp=Ps/Pe ou Gp(dB)=20.log(Ps/Pe)
B. Linéarité
Un amplificateur est dit linéaire si le rapport Av=Vs/Ve est constant lorsque Ve varie ; donc il
ne doit pas déformer le signal amplifié, dans le cas contraire il est non linéaire.
C. Bande passante
La bande passante est le domaine d’utilisation d’un amplificateur, elle est représentée par le
gain en tension en fonction des fréquences des signaux à amplifier Gv=h(f) pratiquement, on
admet que le domaine d’utilisation de l’amplificateur est limité par les fréquences fc1 et fc2 pour
lesquelles l’affaiblissement de Gv est de 3dB par rapport à la valeur maximale de ce gain. Donc la
bande passante est : B = fc2-fc1
2
II.2. Montage émetteur commun

Le montage émetteur commun est le plus utilisée figure ci-dessous car il permet d’obtenir de
forts gain en tension et en puissance.
Fig.1
 C1 : capacité de liaison
 RC : résistance de collecteur
 RE : résistance d’émetteur
 RB1 & RB2 : résistance de pont de base.
Les principaux résultats
𝑅𝐶 𝑅𝐶
 Gain en tension : 𝐺𝑉 = ≈
ℎ11+𝑅𝐸 𝑅𝐸
 Impédance d’entrée du transistor: 𝑍𝑒𝑡 = ℎ11 + 𝑅𝐸 ≈ 𝑅𝐸
 Impédance d’entrée de l’étage : 𝑍𝑒 = 𝑍𝑒𝑡//𝑅𝐵1//𝑅𝐵2 = 𝑍𝑒𝑡//𝑅𝐵
 Impédance de sortie de l’étage : 𝑍𝑠 ≅ 𝑅𝐶
La bande passante est limitée du coté basse fréquence par la capacité C1et di coté haute
fréquence par les capacités inter électrodes du transistor (Ceb ;Ccb,Cce, …)et du montage.
1
Fréquence de coupure basse : 𝐹𝑐1 ≈
2𝜋𝑅𝐵.𝐶1
1
Fréquence de coupure basse : 𝐹𝑐2 ≈ = 𝑓𝛽
2𝜋ℎ11.𝐶𝑒𝑏
𝑓𝛽 : Fréquence de coupure du gain en courant du transistor.
3
Fig2
III. Matériel nécessaire
 Oscilloscope
 Générateur de tension
 Générateur de fonction(GBF)
 Transistor 2N2222 ou équivalent
 04 Résistances (100 Ω , 2x1 KΩ ,10 KΩ)
 03 condensateurs 4,7 µF
 Voltmètre
 Ampèremètre
IV. Manipulation
Réaliser le montage ci-dessous
RB1=10KΩ, RB2=1KΩ, RE=100Ω, Cb=Cc=Ce=4,7 µF
Fig.3. Brochage du transistor (vue du dessous)
4
Questions :
1. A l’aide d’un générateur de tension continu ; alimenter le montage amplificateur fig.2

2. Mesurer Vc,Vb,Ve,Vbe,Ib,Ic et porter ces valeur au tableau 1
Vc Vb Vbe Vce Ib Ic
Valeur mesurées
Valeurs calculées
3. En déduire le gain β du transistor.
4. Brancher le GBF à l’entrée du montage, fixer f=10KHz, en faisant varier le signal d’entrée
Ve , relever le signal de sortie à l’aide de l’oscilloscope et porter les valeurs au tableau 2
Ve(V)
Vs(V)
Gv=Vs /Ve
5. Tracer la courbe de linéarité Vs=f(Ve) et la courbe de gain Gv=f(Ve)
6. A partir de quelle valeur de Ve, le signal de sortie Vs présente-t-il de la distorsion

d’amplitude
7. Faire varier la fréquence du générateur visualiser le signal de sortie sur l’oscilloscope que
remarquer vous (expliquer le phénomène)
8. D’après les expériences faites sur le transistor que peut –on conclure ?

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II. Rappel théorique

II.1. Principe d’un amplificateur

Un amplificateur sert à amplifier un signal électrique dont l’amplitude ou la puissance est

II.2. Caractéristique dynamique

A. Gain d’un amplificateur

On peut classer les amplificateurs selon la grandeur qu’ils permettent principalement

 Gain en tension : Gv=Vs/Ve ou Gv(dB)=20.log(Vs/Ve)

II.2. Montage émetteur commun

𝑓𝛽 : Fréquence de coupure du gain en courant du transistor.

Réaliser le montage ci-dessous

RB1=10KΩ, RB2=1KΩ, RE=100Ω, Cb=Cc=Ce=4,7 µF

Fig.3. Brochage du transistor (vue du dessous)

1. A l’aide d’un générateur de tension continu ; alimenter le montage amplificateur fig.2

3. En déduire le gain β du transistor.

5. Tracer la courbe de linéarité Vs=f(Ve) et la courbe de gain Gv=f(Ve)

6. A partir de quelle valeur de Ve, le signal de sortie Vs présente-t-il de la distorsion

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