O documento discute transístores de potência, especificamente BJTs e MOSFETs. BJTs eram mais usados anteriormente, mas MOSFETs são preferíveis para aplicações de alta frequência devido à sua velocidade de chaveamento mais rápida. No entanto, BJTs ainda são usados em aplicações de alta tensão devido às suas menores perdas no estado ligado. IGBTs combinam as vantagens dos dois e são ideais para aplicações de alta tensão.
O documento discute transístores de potência, especificamente BJTs e MOSFETs. BJTs eram mais usados anteriormente, mas MOSFETs são preferíveis para aplicações de alta frequência devido à sua velocidade de chaveamento mais rápida. No entanto, BJTs ainda são usados em aplicações de alta tensão devido às suas menores perdas no estado ligado. IGBTs combinam as vantagens dos dois e são ideais para aplicações de alta tensão.
O documento discute transístores de potência, especificamente BJTs e MOSFETs. BJTs eram mais usados anteriormente, mas MOSFETs são preferíveis para aplicações de alta frequência devido à sua velocidade de chaveamento mais rápida. No entanto, BJTs ainda são usados em aplicações de alta tensão devido às suas menores perdas no estado ligado. IGBTs combinam as vantagens dos dois e são ideais para aplicações de alta tensão.
O documento discute transístores de potência, especificamente BJTs e MOSFETs. BJTs eram mais usados anteriormente, mas MOSFETs são preferíveis para aplicações de alta frequência devido à sua velocidade de chaveamento mais rápida. No entanto, BJTs ainda são usados em aplicações de alta tensão devido às suas menores perdas no estado ligado. IGBTs combinam as vantagens dos dois e são ideais para aplicações de alta tensão.
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Transístores de Potência
Aula 5 Introdução • Um transístor é um dispositivo semicondutor PNP ou NPN de três camadas com duas juncões. • Os transístores tem dois tipos básicos de aplicação: Ampliação e chaveamento • Em Electrónica de Potência, o objectivo principal é o controle eficaz da Potencia, eles são invariavelmente usados como chaves. São empregados principalmente em choppers e em aplicações para inversores. • Os díodos são chaves que não podem ser controladas, pois tem apenas dois terminais. • Os transístores tem três terminais. Dois deles actuam como terminais de uma chave e o terceiro é usado para ligar e desligar a chave. Assim o circuito de controle pode ser independente do circuito que está sendo controlado. • Dois tipos de transístores de potencia são utilizados em circuitos de Electrónica de potencia: o transístor bipolar de juncão (bipolar junction transístor-BJT) e o transístor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (metal-oxide-transistor MOSFET) • Até o advento de MOSFET de potencia, BJT era o dispositivo preferido nas aplicações de Electrónica de potência • A velocidade de chaveamento de um BJT é muitas vezes mais lenta do que de um MOSFET, com tamanhos e valores nominais similares. • Um BJT eh dispositivo controlado por corrente, e uma grande corrente de base eh necessária para mante-la no estado ligado. Alem disso, uma rápida passagem para o estado desligado, exige uma corrente de base reversa mais alta. • Essas litações aumentam complexidade do projecto dos circuitos acionadores de base do transístores, tornando-os mais caros que o MOSFET. • Os MOSFETs de potencia, por outro lado, são dispositivos controlados por tensão. São preferíveis aos BJTs em aplicações com frequência alta, nas quais a potencia de chaveamento eh o ponto importante. • entretanto, a queda de tensão no MOSFET de potencia durante o estado ligado eh mais alta do que o BJT de tamanho e valores nominais similares. • Portanto, em aplicações de alta tensão, em que as perdas do estado ligado precisam ser minimizadas, um BJT eh preferível, mesmo a custa de perdas de desempenho em frequências altas. • A invenção do transístor bipolar de porta isolada (insulated-gate bipolat transitor-IGBT) foi em parte induzida pelas limitações típicas dos MOSFETs e dos BJTs. • Os IGBTs são os próprios para as tarefas que envolvem alta tensão, trabalham com perdas baixas no estado ligado, requerem circuitos acionadores simples e suportam velocidades de chaveamento relativamente altas • E, portanto, se tornando a escolha ideal para aplicações em alta tensão, nas quais as perdas de condução devem ser baixas. Transístores bipolares de juncão de potência
• Os transístores de potencia são
encontrados na praça em dois tipos: NPN e PNP. • Vamos nos concentrar no NPN, uma vez que os valores nominais de tensão e corrente são mais altos. • O BJT eh normalmente chamado de Transistor. • Um transístor tem três terminais: a base (B), o colector (C) e o emissor (E). • O colector e o emissor não podem ser invertidos. Na realidade, as características e os valores nominais de um transístor mudam significativamente quando esses dois são invertidos • Se a ponta da flecha apontar para a base, diz-se que o transístor eh do tipo PNP. Se a ponta da flecha apontar para fora da base, ele eh do tipo NPN. • Quando um transístor eh usado como chave, para controle de potencia fornecida de uma fonte para uma carga, os terminais C e E são ligados em serie com circuito principal da fonte. • Já os terminais B e E são ligados ao circuito acionador. Que controla a acção de ligar e desligar. • É a corrente baixa que passa pela juncão base-emissor que induz o fluxo de corrente entre colector-emissor. • Nesse trajecto, a corrente induzida, pode ser maior do que na juncão base- emissor. Curvas características Volt-Àmpere do BJT • A figura 3.2 mostra a curva característica V-I de um transístor. Há três regiões de operação: o corte, a saturação e a região activa. • Se a corrente de base IB for igual a zero, a corrente do colector Ic será desprezível e o transístor estará na região de corte, ou seja, no estado desligado. • Nesta região, tanto a juncão colector-base com a base-emissor estão inversamente polarizadas e o transístor se comporta como uma chave aberta. • Por outro lado, se a corrente da base IB for o suficiente para acionar o transístor ate a saturação (corrente do colector muito grande e VCE aproximadamente igual a zero), então o transístor se comportara como se fosse uma chave fechada. • Na região de saturação, ambas as juncões estão directamente polarizadas. • Na região de operação activa, a juncão base-emissor está directamente polarizada, enquanto a juncão colector-base fica inversamente polarizada. • A região activa costuma ser usada para amplificação de sinais e eh evitada em aplicações do tipo chaveamento. • Observe que a curva característica V-I não apresenta qualquer região reversa. • Um BJT não pode bloquear mais de 20V na direcção inversa. Por isso, os BJTs não são usados no controle de potencia AC, a menos que um díodo reverso seja ligado em paralelo entre o emissor e o colector, para proteger o transístor contra tensões inversas. • Uma vez que os transístores são usados normalmente como chaves, a curva característica do transístor ideal é de suma importância. A figura 3.3 mostra a curva V-I de um BJT operando como chave. • Quando o transístor está desligado não há corrente de colector, seja qual for o valor de VCE. • Quando o transístor está ligado, a tensão VCE eh zero, seja qual for a corrente do colector. Um transístor tem características excelentes para o chaveamento ideal. Polarização de um transístor • Quando um transístor for utilizado como uma chave de controle, a corrente de base será fornecida pelo circuito de controle que estará conectado entre a base e o emissor. O colector e o emissor actuam como terminais de potencia da chave. • A figura 3.4 mostra como um NPN é polarizado. A corrente de base da entrada IB determina se o transístor estará desligado (sem corrente de carga RC) ou ligado (permitindo o fluxo de corrente). • A figura 3.5 mostra a recta da carga DC, a qual representa todos os pontos possíveis. O ponto P1 é o ponto de operação ideal para funcionamento como chave quando a chave estiver ligada. • Neste caso, a corrente do colector IC eh igual a VCC/RC e a tensão entre o colector e emissor eh igual a 0. • O ponto P4 eh o ponto de operação ideal para ser utilizado como chave quando ela estiver desligada. Nesse caso a corrente do colector IC eh igual a zero e a tensão entre o colector e emissor , igual a fonte de tensão VCC. • A linha traçada do ponto P1 ao P4 eh a recta de carga. A intersecção dessa recta com a corrente de base eh o ponto de operação do transístor, determinado pelo circuito externo ao transístor, isto eh, VCC e RC. • No ponto P2, no qual a recta de carga interceta a curva IB=0 fica o ponto de operação no corte. Nele a corrente do colector eh a corrente de fuga. A tensão entre os terminais colector e emissor pode ser determinada com a aplicação da lei de Kirchhoff das tensões (KVL), no laco de saída do transístor. • O ponto P3, no qual a recta de carga interceta a curva IB=IB(sat), eh o ponto de operação quando um BJT está ligado. • Ele é denominado de ponto de saturação. Um transístor ligado tem uma pequena queda de tensão (tensão de saturação, VCE(sat)) entre os terminais coletor e emissor. • A corrente do colector alcança um máximo nesse ponto e é dada por: • A corrente de base mínima necessária para assegurar uma operação satisfatória é dada por:
Onde: • β- eh o ganho de corrente DC, que vale IC/IB • Qualquer valor de IB maior do que o calculado com base na equação acima referida garantira o estado ligado saturado.
