Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom TC= 80°C IC,nom. 50 A

DC-collector current TC= 25°C IC 70 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP= 1ms, TC= 80°C ICRM 100 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
TC= 25°C, Transistor Ptot 250 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 50 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP= 1ms IFRM 100 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR= 0V, tp= 10ms, TVj= 125°C I2t 760 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC= 1mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 2,2 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,2 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA

ICES
collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2006-01-31

approved by: Michael Hornkamp revision: 3

BSM 50 GD 60 DLC
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 50A, VCC= 300V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 25°C td,on - 40 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C - 42 - ns
IC= 50A, VCC= 300V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 25°C tr - 9 - ns
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C - 10 - ns
IC= 50A, VCC= 300V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 25°C td,off - 120 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C - 130 - ns
IC= 50A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 25°C tf - 12 - ns
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C - 21 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eon - 0,5 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eoff - 1,0 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG= 2,7Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

ISC - 225 - A
SC Data TVj≤125°C, VCC=360V, VCEmax=VCES -LσCE ·dI/dt

Modulinduktivität
LσCE - 60 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

TC= 25°C RCC'+EE' - 8,0 - mΩ
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V
IF= 50A, -diF/dt= 2900A/µsec
Rückstromspitze
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM - 88 - A
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 92 - A
IF= 50A, -diF/dt= 2900A/µsec
Sperrverzögerungsladung
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr - 3,4 - µC
recoverred charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 5,6 - µC
IF= 50A, -diF/dt= 2900A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Erec - - - mJ
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 1,5 - mJ

BSM 50 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,50 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC - - 0,80 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung 4 Nm

M
mounting torque -15 +15 %

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 50 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE= 15V

100

Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

60
IC [A]

40

20

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj= 125°C

100

VGE = 8V
80 VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
60
VGE = 20V
IC [A]

40

20

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

BSM 50 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE= 20V

100

Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

60
IC [A]

40

20

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F= f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

100

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
80

60
IF [A]

40

20

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 50 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)

Switching losses (typical) Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C
Ω, =RG,off = 2,7Ω
RG,on= 2,7Ω,

2,5

Eon
2,0 Eoff
Erec
E [mJ]

1,5

1,0

0,5

0,0
0 20 40 60 80 100
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)

Switching losses (typical) IC= 50A , VCE= 300V , Tvj = 125°C

2,5

2,0

1,5
E [mJ]

1,0

Eon
0,5 Eoff
Erec

0,0
0 5 10 15 20

Ω]
RG [Ω

BSM 50 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

1
[K / W]
ZthJC

0,1 Zth:IGBT
Zth:Diode

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 21,2 262,0 176,2 40,6
τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 281,9 270,4 169,8 77,9
τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Ω, Tvj= 125°C
RG,off = 2,7Ω,

120

100

80

60
IC [A]

IC,Modul
40
IC,Chip

20

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

BSM 50 GD 60 DLC
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

BSM 50 GD 60 DLC
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