Chapter 3 Crystal growth, wafer fabrication and 

basic properties of silicon wafers

1. Silicon crystal structure and defects.
2. Czochralski single crystal growth.
3. Growth rate and dopant incorporation for CZ method.
4. Float zone single crystal growth and doping.
5. Wafer fabrication.
6. Measurement methods.

ECE 433: Semiconductor Device Technology
Instructor: Bo Cui, ECE, University of Waterloo; http://ece.uwaterloo.ca/~bcui/ 1
Textbook: Silicon VLSI Technology by Plummer, Deal and Griffin
 Single crystal silicon
• Three types of solids ‐ amorphous, polycrystalline, mono‐crystalline (single‐crystal).
• Semiconductor devices and VLSI (very large scale integrated) circuits require high‐
purity single‐crystal semiconductors. Because:
o Difficult to control properties of amorphous or poly‐crystals.
o By doping, electronic properties (carrier density, mobility, conductivity, carrier 
B d i l t i ti ( i d it bilit d ti it i
lifetime) of a single crystal can be controlled more precisely.
• Amorphous silicon is used in photovoltaic cells, electronic displays (large‐area).
• Polycrystalline silicon is used as a gate contact in MOSFETs (VLSI circuits).
Polycrystalline silicon is used as a gate contact in MOSFETs (VLSI circuits)

Single crystal Si wafers
Diameters: currently up to 300mm 
(500mm?)
Wafer thickness: ∼650μm
Wafer thickness:  650μm
Wafer purity: 150 parts/trillion
Impurities: 99.99999999% Si
2
 Microstructure of electronic materials
Polycrystalline 
materials

SiO2

gate oxide

3
 Crystallography ‐ introduction
z z
z
a a a
Crystals are characterized  B
by a unit cell which 
C y
repeats in the x, y, z  y y
directions. 
A
Planes and directions are  x x x
d fi d i
defined using an x, y, z  Cubic BCC FCC
coordinate system. z z z
[111] direction is defined by  a (100) plane a (110) plane a [111]
a vector having components
a vector having components 
of 1 unit in x, y and z. y y y
Planes are defined by Miller 
indices ‐ reciprocals
p of the 
[110]
intercepts of the plane with  (111) plane
the x, y and z axes. x [100] x x

For the (110) plane, it has intercepts with x, y, z‐axis of 1, 1, ∞ (i.e. no intercept with z‐
axis). So its Miller indices are (1/1, 1/1, 1/∞)=(1,1,0).
For any plane (l, m, n), it is always perpendicular to the direction [l, m, n].
E.g. [111] direction is perpendicular to (111) plane. 4
 Diamond Structure of Si

Silicon has the basic diamond crystal structure:
Two merged FCC cells offset by a/4 in x, y and z.

http://jas.eng.buffalo.edu/education/solid/unitCell/home.html
This website has a 3D structure at various viewing angles. 5
 Defect in crystals
Point defects: vacancy, interstitial, substitutional, Frankel defects
y
Linear defects: edge and screw dislocations
Planar defects: stacking fault, grain boundaries, surfaces
Bulk defects: cracks and pores precipitate
Bulk defects: cracks and pores, precipitate
Stacking Fault
V

V: vacancy
I : interstitial
I Dislocation Precipitate
6
Point defects

Point defects. 
a) Substitutional. 
b) Interstitial. 
Interstitial
c) Vacancy (Schottky defect). 
d) Frenkel‐type defect 
(interstitial ‐ vacancy pair).

Point defects dictate most dopant 
Point defects dictate most dopant
diffusion mechanisms, and thus 
determine the impurity profile.

7
Chapter 3 Crystal growth, wafer fabrication and 
basic properties of silicon wafers

1. Silicon crystal structure and defects.
2. Czochralski single crystal growth.
3. Growth rate and dopant incorporation for CZ method.
4. Float zone single crystal growth and doping.
5. Wafer fabrication.
6. Measurement methods.

8
Raw material preparation

9
Economical value

10
 Metallurgical grade silicon 
Quartzite (sand, SiO2) is placed in a hot (∼1800oC) furnace with carbon releasing 
materials, and reacts as shown, forming metallurgic grade silicon (MGS):
2SiO2(solid) + 2C(solid) → Si(liquid) + 2CO(gas)

Metallurgical grade silicon (~98% pure) production and typical impurity levels.
Over 50% MGS is used to make Al alloys.
The fraction used for semiconductors is very small. 11
 Electrical grade silicon (polycrystalline) 

Basically, the solid Si is first converted into a liquid form (SiHCl3) for purification, then 
converted back into solid Si.
Both reactions occur at high temperatures.
h i hi h
Metallurgical grade silicon is treated with hydrogen chloride to form trichlorosilane:
Si + 3HCl → SiHCl3(g) + H2(g) (use catalyst)
SiHCl3 is liquid at room temperature, boiling point 32oC. Multiple distillation of the liquid 
removes the unwanted impurities (99.9999% pure). 
The purified SiHCl3 is then used in a hydrogen reduction reaction to prepare the 
electronic grade Si (EGS):
l i d Si (EGS)
SiHCl3(g) + H2(g) → Si(s) + 3HCl(g)
(this is the reverse reaction of the above reaction)
EGS is the raw material for Si single crystal production.

12
 Si single crystal growth

Two methods used: Czochralski (CZ) and float zone (FZ).

Jan Czochralski (cho‐HRAL‐skee) (1885 ‐ 1953) was a

Polish chemist who invented the Czochralski process,
which is used to grow single crystals and is used in the
production of semiconductor wafers.
wafers
He discovered the Czochralski method in 1916 when he
accidentally dipped his pen into a crucible of molten
tin rather than his inkwell. He immediatelyy p
pulled his
pen out to discover that a thin thread of solidified
metal was hanging from the nib. The nib was replaced
by a capillary, and Czochralski verified that the
crystallized metal was a single crystal.
crystal
http://en.wikipedia.org/wiki/Jan_Czochralski
13
 Czochralski method (CZ) 
• It is widely employed for Si, GaAs, and InP.
It is widely employed for Si GaAs and InP
• The EGS is broken into small pieces and placed in an SiO2 crucible.
• In an argon ambient, the crucible is heated to just above 1417oC.
• Dopant is added to the melt to intentionally dope the resulting crystal
Dopant is added to the melt to intentionally dope the resulting crystal.
• A single crystal seed is then lowered into the melt (crystal orientation and wafer 
diameter determined by seed orientation and pull rate), and withdrawn slowly.
• Melt flows up the seed and cools as crystal begins to grow.
p y g g
• Seed rotated about its axis to produce a circular cross‐section crystal. The rotation 
inhibits the natural tendency of the crystal to grow along certain orientations to 
produce a faceted crystal.
• Long ingots (boules) ∼100 kg, with very good circular cross‐section are produced.
• The oxygen and carbon (from graphite furnace components), contribute about 1017‐
1018/cm3 contaminants.

14
Czochralski method (CZ) 

15
 Czochralski growth of silicon

A commercial CZ puller             Early in the growth process       Later in the growth process

16
 Oxygen and carbon in CZ silicon
• The CZ growth process inherently introduces O (from SiO2 crucible) and C 
(from graphite susceptor/supporter).
• Typically,  CO ≈ 1018 cm‐3 and  CC ≈ 1016 cm‐3.
• The O in CZ silicon often forms small SiO2 precipitates in the Si crystal 
under normal processing conditions.
• O and these precipitates can actually be very useful: provide mechanical 
strength internal gettering
strength, internal gettering.

Stacking V I
Fault OI

Figure 3‐25 Point defect and  OI
OI SiO2
diffusion mechanisms that 
contribute to the growth or
contribute to the growth or  OI OI
shrinkage of SiO2 precipitates in 
[OI]
silicon.
Critical size is about 1nm: stable  SiO2 OI Diffusion
precipitates above 1nm, may 
shrink and disappear below 1nm.
17
 Chapter 3 Crystal growth, wafer fabrication and 
basic properties of silicon wafers

1. Silicon crystal structure and defects.
2. Czochralski single crystal growth.
3. Growth rate and dopant incorporation for CZ method.
4. Float zone single crystal growth and doping.
5. Wafer fabrication.

ECE 433: Semiconductor Device Technology
Instructor: Bo Cui, ECE, University of Waterloo; http://ece.uwaterloo.ca/~bcui/ 18
Textbook: Silicon VLSI Technology by Plummer, Deal and Griffin
 Czochralski process ‐ crystal growth rate 
We wish to find a relationship between pull rate and crystal diameter.
Heat balance: Seed

latent heat of fusion 
latent heat of fusion heat
heat  heat
heat 
C
conducted 
(i.e. crystalization)  +                              radiated  dx
= =  
heat conducted from  through the  away
B Isotherm X2
melt to crystal  crystal (C). Solid Si

( )
(A) (B) A

Liquid Si Isotherm X1

L = latent heat of fusion

Freezing occurs between isotherms X1 and X2.
dm
= amount of freezing per unit time
dt
dm dT dT
(1) L + kL A1 = k S A2 k L = thermal conductivity of liquid
dt dx 1 dx 2 dT
= thermal gradient at isotherm x 1
dx 1
(A) (B)
k S = thermal conductivity of solid
dT
A1,2 = Cross‐sectional area = thermal gradient at x 2
dx 2
19
 Czochralski process ‐ crystal growth rate 
dm
d (2)
The rate of growth of the crystal is = v P AN
dt
where vP is the pull rate and N is the density.
k S dT
Neglecting the middle term in Eqn (1) we have:
Neglecting the middle term in Eqn. (1) we have: v PMAX = ((3))
LN dx 2

In order to replace dT/dx2, we need to consider the heat transfer processes.
Heat radiation from the crystal (C) 
Seed
is given by the Stefan‐Boltzmann law*:

C
(
dQ = (2π rdx ) σε T 4 ) (4)
dx
Heat conduction up the crystal is 
given by
( ) dT
B Isotherm X2
Solid Si Q = k S πr 2 (5)
A dx
2πrdx = radiation surface.
Liquid Si Isotherm X1 σ = Boltzman constant (NOT kB)
kS = thermal conductivity of the solid.
ε=1 for perfect blackbody.
*Stephen‐Boltzmann law: 
http://en.wikipedia.org/wiki/Stefan%E2%80%93Boltzmann_law ε<1 for “grey‐body”. 20
 Czochralski process ‐ crystal growth rate 
2 2
2 dT dk S
•  Differentiating (5), we have dQ
dx
= k S πr ( )
2 d T

dx 2
+ πr ( )
dx dx
≅ k S πr ( )
2 d T

dx 2
(6)

d2 T 2 2σε 4
•  Substituting (6) into (4), we have 2
− T =0 (7)
dx k Sr

••  kkS varies roughly as 1/T, so if k
varies roughly as 1/T so if kM is the 
is the TM
kS = kM (8)
thermal conductivity at the melting point, T

d2 T 2σε
∴ − T5 = 0 (9)
dx 2 k M rT
TM

• Solving this differential equation, evaluating it at x = 0 and substituting the 
result into (3), we obtain (see text):
( ), ( )
5
1 2σεk M TM (10)
v PMAX =
LN 3r

Vpmax = maximum pull rate, inversely proportional to the square root of crystal radius.
21
 Crystal growth rate: example 

For perfect blackbody: ε=1
For “grey” body: ε<1

∼4 hours to pull one meter long boule. 
However, this equation is not so accurate, and in practice feedback is used to adjust 
the pulling rate in order to maintain constant diameter. 22
 Dopant incorporation during crystal growth
• Dopants are added to the melt to provide a controlled N or P doping level in the wafers.
• However, the dopant incorporation process is complicated by dopant  segregation.
• Generally, impurities “prefer to stay in the liquid” as opposed to being incorporated into 
the solid. 
• This process is known as segregation. The degree of segregation is characterized by the 
segregation coefficient, ko, for the impurity. C
kO = S
CL

CS and CL are the impurity 
concentration just on the either side 
VS, CS
of the solid/liquid interface
of the solid/liquid interface. CS

VO, IO, CO
CL IL, CL

23
 Dopant behavior during crystal growth

CS
kO =
CL

Most k0 values are <1 which means the impurity prefers to stay in the liquid.
Thus as the crystal is pulled, dopant concentration will increase.
In other words, the distribution of dopant along the ingot will be graded.
24
Distribution coefficient: example

=1.019×10‐4mol

25
 Dopant incorporation during crystal growth
VO = initial volume
IO = number of impurities
CL = impurity concentration in the melt
VS, CS
C0 = initial impurity concentration in the melt 
i iti l i it t ti i th lt
C0 = I0/V0
By definition: CS/CL=k0
VO, IO, CO IL, CL

If during growth, an additional volume dV freezes, the impurities incorporated 
into dV are given by:
g y

k0
I 0 ⎛⎜1 − S ⎞⎟
V
I 0 (1 − f ) 0
k
CL =
IL
= ⎝ V0 ⎠
= = C0 (1 − f ) 0
k −1

VL V0 − VS V0 1 − f

The impurity level in the crystal (Cs)

The impurity level in the crystal (C
f = Vs/Vo, the ratio of solid silicon 
kO − 1
∴ C S = C O k O (1 − f) to the initial liquid volume.
26
 Doping concentration versus position along the 
grown CZ crystal for common dopants in silicon

10

Boron
1
CS/CO

Phosphorus, Arsenic

0.1

Antimony

0.01
0 02
0.2 04
0.4 06
0.6 08
0.8 1
Fraction of Melt Solidified

Note the relatively flat profile produced by 
boron with a ko close to 1. 
Dopants with ko << 1 produce much more 
Dopants with k << 1 produce much more Doping concentration in a solid as a 
Doping concentration in a solid as a
doping variation along the crystal. function of the fraction solidified.
(but no dopant has ko>1)
27
Chapter 3 Crystal growth, wafer fabrication and 
basic properties of silicon wafers

1. Silicon crystal structure and defects.
2. Czochralski single crystal growth.
3. Growth rate and dopant incorporation for CZ method.
4. Float zone single crystal growth and doping.
5. Wafer fabrication.
6. Measurement methods.

28
 Float‐zone crystal growth: overview

• For CZ‐grown Si, impurities (O and C) can be introduced from the melt contacting 
the SiO2 crucible and from graphite susceptor/supporter. 
• This limits the resistivity to ∼20Ωcm, while intrinsic Si is 230kΩcm.
• These crystals are more expensive and have very low oxygen and carbon and thus, 
are not suitable for the majority of silicon IC technology.
• Carrier concentrations down to 1011 atoms/cm3 have been achieved.
• It is far less common, and is reserved for situations where oxygen and carbon 
impurities cannot be tolerated.
• Float‐zone does not allow as large Si wafers as CZ does (200mm and 300mm) and 
radial distribution of dopant in FZ wafer is not as uniform as in CZ wafer.
• It is good for solar cells, power electronic devices (thyristors and rectifiers) that 
use the entire volume of the wafer not just a thin surface layer, etc.
h i l f h f j hi f l

29
 Float‐zone crystal growth process
• Polycrystalline silicon is converted into single‐crystal by zone heating (zone melting).
y y g y y g( g)
• The entire poly‐Si rod from the EGS process is extracted as a whole.
• The rod is clamped at each end, with one end in contact with a single crystal seed.
• An RF heating coil induces eddy currents (power I2R) in the silicon, heating it beyond its 
melting point in the vicinity of the coil
melting point in the vicinity of the coil.
• The "floating" melt zone is about 2cm wide/high.
• The seed crystal touches the melt zone and is pulled away, along with a solidifying Si boule 
following the seed. The crystalline direction follows that of the seed single crystal.
• Limited to about a 4" wafer, as the melt zone will collapse ‐ it is only held together by 
surface tension (and RF field levitation).

Poly Si
Poly‐Si

Melt is not held in a 
container, it is 
“float”, thus the 
name “float zone”.
c‐Si

RF coil
30
 Float‐zone: zone refining

• Dopants/impurities prefer to stay in the liquid than 
in the solid.
• Th
Thus, the impurities generally stay in the melt zone, 
h i ii ll i h l
and don't solidify in the boule.
• That is, segregation (and evaporation) of impurities 
in the melt zone help purify the Si further
in the melt zone help purify the Si further.
• One can "purify" FZ wafers further by successively 
passing the coil along the boule. The impurities then 
segregate towards the end of the boule.
g g
• Of course, if neglecting impurity evaporation, the 
total amount of impurity is the same. Yet the 
impurity at the lower part is much lower than, and 
at the upper part approaches to, the original 
impurity concentration.

31
 Doping in FZ growth

(Doping can of course be achieved if the starting material poly‐crystalline Si rod is 
doped. But due to zone‐refining, the doping is not uniform along the boule) 

Gas doping:
Dopants are introduced in gaseous form during FZ growth.
n‐doping: PH
p g 3 ((Phosphine), AsCl
p ), 3
p‐doping: B2H6 (Diborane), BCl3
Good uniformity along the length of the boule.

Pill doping:
Drill a small hole in the top of the EGS rod, and insert the dopant.
If the dopant has a small segregation coefficient, most of it will be carried with the 
If h d h ll i ffi i f i ill b i d ih h
melt as it passes the length of the boule.
Resulting in only a small non‐uniformity.
G and In doping work well this way.
Ga dI d i k ll thi

32
 Zone refining
Zone length is L. The rod has initial uniform impurity 
Zone length is L The rod has initial uniform impurity
concentration of C0. L
If the molten zone moves upwards by dx, the number of  Zone
impurities in the liquid (=I) will change since some will be 
p q ( ) g
dissolved into the melting liquid at the top (=C0dx) and  CS(x) CO
some will be lost to the freezing solid on the bottom 
(=CSdx=k0CLdx). Thus: (assume cross‐sectional area =1)

dI = (C 0 -k 0 C L )dx , but C L = I / L dx
x I dI
∫0
dx = ∫k0 I
I0
C0 − Polysilicon Ingot
L
C0L ⎛ C0L ⎞ −k0 x L
I = − ⎜⎜ − I0 e RF Coil
k0 ⎝ k0 ⎠
I
C S = k 0C L = k 0 ; I0 = C0L Single Crystal Si
L
⎧ k0x
⎫
C S = C 0 ⎨1 − (1 − k 0 )e
−
L
⎬
⎩ ⎭ 33
 Floating zone crystal growth – zone refining

Impurity during float‐zone growth or zone  Zone refining with multiple 
refining. One pass of the molten zone  passes, k0=0.1. L is the length 
through the solid
through the solid. of the molten zone.
L is the length of the molten zone (∼2cm)
34
Chapter 3 Crystal growth, wafer fabrication and 
basic properties of silicon wafers

1. Silicon crystal structure and defects.
2. Czochralski single crystal growth.
3. Growth rate and dopant incorporation for CZ method.
4. Float zone single crystal growth and doping.
5. Wafer fabrication.

35
Steps for wafer preparation

36
Ingot grinding

37
 Wafer slicing

Traditional method of slicing

Traditional method of slicing                                          Wire saw for large wafers
Wire saw for large wafers

The saw blade itself is about 400µm thick, together 
with the loss at the seed and tail end of the crystal, 
only 50% of the boule ends up in wafer form.
only 50% of the boule ends up in wafer form

After slicing, mechanical lapping and wet chemical 
etching is performed before final chemical 
mechanical polishing. The wet etching is typically:
3Si + 4HNO3 + 18HF → 3H2SiF6 + 4NO + 8H2O
38
 Wafer polishing
Ch i l
Chemical mechanical polishing
h i l li hi

Slurry consists  The rotation and 
of nano‐ pressure generates 
particles  heat that drives a 
(10nm SiO2 or 
(10nm SiO or chemical reaction in
chemical reaction in 
Al2O3) and  which OH‐ radicals 
chemicals  from the NaOH oxidize 
(NaOH). the silicon. The SiO2
particles abrade the 
oxide away.
39
 Common (not always) wafer surface orientation

Should 
be {110} Another flat configuration 
plane for {100} n‐type wafer

{100} wafer usually breaks along {110} plane (actually Si cleaves naturally along {111} 
plane, which meet the surface at an angle of 54.7o, the angle between <001> and <111>).
Sometimes (not often) {100} wafers break along {100} plane. ({100} = (100)+(010)+(001)) 40