Objectivos

1. Perceber porque são necessários os vários materiais

2. Saber quando a deposição de um filme fino é necessária no
processo de fabrico.
3. Perceber a diferença entre CVD e PVD
4. Descrever os processos PVD (evaporação térmica, canhão de
electrões-ebeam, sputtering)
5. Descrever o processo CVD
6. Descrever o processo de deposição electroquímica
7. Conhecer o processo de medição da taxa de deposição e espessura,
durante a deposição.
8. Descrever um processo de spin-coating, e saber quando pode ser
utilizado.
9. Descrever o processo de oxidação térmica.
10. Saber como é fabricado o silício monocristalino ou policristalino
Insulators and Conductors
 In the process of making integrated circuits individual
transistors are created on the silicon (~25million in the die of
each Celeron !!).

 To be of any use these transistors have to be connected to power

supplies and input and output signals etc. so that they can switch
on and off and in doing so, relay information.

 As the number of transistors in a die had increased so too has the

number of layers required to connect up all the transistors in a
meaningful manner.

 Currently on the 859 process 6 layers of metal are needed to

route all the signals. Therefore 6 insulating layers are also
needed to prevent shorts between all these metals lines.
Why so many layers ?
• All 25 million transistors on a die need to be connected in a
meaningful manner.
• While it would be possible to make all these connections using
one metal layer only, this layer would need to be very complex
and would take up a huge amount of silicon space.

Cell size with 1 Cell size with 3

layer metal layer metal
Imagine top down view of
contacts.
Need to connect contacts of
same colour to each other.
Use Metal 1.
Instead, add M1
Then M2, running over M1
Then M3, running over M2
Short! – would have to redesign transistor
to spread contacts out further → even bigger
Intel Ireland Die size = $$$
Thin Film in the Backed
In order to ensure that the
metal lines don’t
inadvertently contact (short)
with each other, insulating
material (known as ILD –
interlayer dielectric) is
deposited between the layers
of metal

Intel Ireland
Materiais usados nas microtecnologias
 Materiais compatíveis com Si
 Si, puro
 p-Si, n-Si, dopagem com Boro ou Fósforo
 Si Wafer com os cristais orientados nas direcções [100], [110], [111]
 Polisilício puro, cristais sem orientação
 Poly-p, Poly-n, dopagem com Boro ou Fósforo respectivamente
 SiO2, isolante, quase transparente à luz visível (n=1.4-1.5), ideal para
membranas finas, exibe stress residual compressivo
 Si3N4, isolante, quase transparente à luz visível (n=2.2-2.5), ideal para
membranas finas, exibe stress residual em tensão.
 Al, metal utilizado para as ligações, bom grau de dureza para
evaporação térmica ou sputtering.
E ainda…
Materiais com propriedades específicas
 Termoeléctricas: Bi2Te3 / Sb2Te3
 Piezoeléctricas: AlN, PolySi
 Ópticas: ITO, Ag, Au
 Magnéticas: Co, Ni ?
 Estruturais: Ti, W
 Térmicas: Coef. Expansão, isolante, condutor
 Bio-compativies:
 Quimicas: LiPON, LiCoO, AgCl
 Mecânicas
Filmes finos
 Formação de filmes finos (na ordem dos micrómetros ou
menor) de diferentes materiais sobre um wafer de silício
 Estes filmes podem ser formatados e padronizados por
técnicas litográficas e técnicas de corrosão dos materiais
em causa
 Metais nobres como o Au e a Ag, contaminam os circuitos
de microelecrónica causando falhas, portanto wafers de
silício com metais nobres têm que ser processados usando
equipamento dedicado apenas a esta tarefa.
 Os metais nobres geralmente são padronizados recorrendo
à técnica de lift-off.
Materiais usados nas microtecnologias
 Materiais não compatíveis com Si
 Ag e Au, muito macios para evaporação, mas com boas propriedades
ópticas para a zona do visível e infra-vermelho respectivamente.
 Cu, material de baixa resistividade comparado com o Al. Requer
processo especial para fazer o seu crescimento em wafers de silício.
 TiO2, filmes finos para filtros ópticos
CVD Vs PVD
 CVD – Chemical Vapour Deposition

Film Growth
 PVD – Physical Vapour with CVD
PVD
Deposition

 Differences:

 The main difference between the two processes is the

resulting step profile of the deposited film.

 A PVD film deposits straight down onto the surface

 A CVD film deposits evenly on all surfaces at the same time

Intel Ireland
Uma câmara de vácuo …
wafers
carga
câmara crucible
de vácuo
ventilação

bomba
secundária

bomba
primária
 Uma câmara de vácuo …
Precisa de bomba de vácuo

Bomba rotativa Bomba turbo-molecular Bomba difusora

No laboratório Microtecnologias
PVD – Physical Vapour Deposition

1. Thermal evaporation
2. E-beam
3. Sputtering
Physical Vapour Deposition
 This method of thin film deposition refers to several
different deposition techniques.

1. Evaporation systems
 Thermal evaporation

Intel Ireland
Thermal Evaporation

Wafers

Tungsten Filament

Aluminium Vapour
Aluminium Charge

High Current Source

Intel Ireland
Evaporação térmica
Physical Vapour Deposition
 This method of thin film deposition refers to several
different deposition techniques.

1. Evaporation systems
 Thermal evaporation
 Electron beam evaporation

Intel Ireland
E-beam (canhão de electrões)
 This method of thin film deposition refers to several
different deposition techniques.

1. Evaporation systems Platens with several

 Thermal evaporation wafers
 Electron beam evaporation
Electron Beam

Aluminium Vapour

Molten Aluminium
in a crucible

Electron Gun
Power Supply
Intel Ireland
E-beam
Pressão de vapor
Vapor pressure is the pressure of a vapor in equilibrium with its non-vapor
phases (i.e., liquid or solid).
Most often the term is used to describe a liquid's (solid’s) tendency to
evaporate.
It is a measure of the tendency of molecules and atoms to escape from a
liquid or a solid.
Pressão de vapor
Pressão de vapor
Pressão de Vapor vs Temperatura de Fusão ?
 Evaporação de composto – pode decompor

Imagem SEM da secção de um filme de Bi2Te3 (esquerda) e Sb2Te3 (direita) depositados por
evaporação térmica e respectiva análise de composição média em três regiões da secção
[[i]].

[i] Luciana W. Silva and Massoud Kaviany, “Miniaturized Thermoelectric Cooler”,Proc. of IMECE’02, New Orleans, USA, Nov, (2002) 17-22.
Composto: Co - evaporação
 Dois ou mais sistemas de deposição ao mesmo tempo
(normalmente do mesmo tipo)
 Permite criar compostos, controlando a composição
 Controlo da taxa de deposição em cada sistema
 Através do controlo da potência

 Ex: Bi2Te3
Thermal Co-evaporation
Heater

• 2 crucibles
• Power controlled by PID
Bi Te • Constant evaporating rate
• Two oscillating crystals
• Substrate heated
• Deposition slow: few μm/h

26
Exercício
 Demonstre como varia a
taxa de deposição com a
distância ALVO –
SUBSTRATO
 E como varia a espessura
final obtida? d
 Ex: se à distância de 10cm a taxa
de deposição é de 1nm/seg, qual a
taxa de deposição a 20cm?

A área de uma superfície esférica 4.π.r2

Medição de espessura e taxa de deposição

Bi Te

28
Medição de espessura e taxa de deposição
Physical Vapour Deposition
 This method of thin film deposition refers to several
different deposition techniques.

1. Evaporation systems
 Thermal evaporation
 Electron beam evaporation

2. Sputtering systems
 DC
 Pulsed
 RF

Intel Ireland
PVD - Sputtering
 Sputtering is a process whereby atoms are knocked off
a target in a plasma and made to land on the wafer. As
more of the target lands on the wafer, the layers build
up into a thin continuous films.
Aluminium Target
Ions in the plasma crash
into the target knocking off
“chunks” of the material

Plasma

These pieces of the target

Wafer fall onto the wafer.

Pedestal As more and more material

lands on the wafer, a then film
eventually build up.
Sputter process – atomic snooker
• As an example take some snooker balls and line them along the
cushion as shown. Then hit them with cue ball at various speeds

Here the balls on the cushion

Snooker Table Cushion are like the atoms of the
target
The cue ball is an ion in the
plasma

Sputtered
atoms

 Energy is a very important parameter in this process.

 If the energy is too low the cue ball won’t be able to break
the target atoms apart and so no atoms will be sputtered
 At higher energy though the cue ball (ion) is able to break
the atoms of the target apart, causing many of the atoms to
be sputtered from the target
Intel Ireland
Sputter process – atomic snooker
 Sticking with the snooker analogy and proving that
“size does matter”.

Argon is used a lot for sputtering because of its size

• If a and
pingalso
pongbecause it doesn’t
ball were aimed atchemically react
the snooker (very
balls, regardless
of its energywith
readily) it would not cause
any other sputtering
gases of the target, its too
or materials
small and light.
• If a bowling ball were rolled toward the target, it too would not
cause sputtering but instead would distort the target.
• The cue ball can sputter the snooker balls because they are of
comparable size, likewise the plasma ion must be of comparable
size to the atoms of the target

Intel Ireland
 States of Matter
• Matter can exists in 4 different states :
• Solid, Liquid, Gas & Plasma

• Using H20 as an example H+ + O

O H O
• In Oa2- solid state, this material isHknown as ice. TheH+ molecules
H
O O2-
H
are all connected to each other giving itHa H rigid structure
+

O
H + O
HH O
H H O O H
O
H H
H

• If it gets heated
H O H
2-
up,H theH molecules
H H HH H
+
H get H some energy, the ice

H
O
O O
melts and become water.O It can be held Oin an open top

O
O2- H+
O O O
container so the molecules H stillOhave some connection to each
H+ H O O
H H
H

H
H H
other givingH itH Hsome H H Hstructure.
HH H
O

+
H H H+ H H
O 2-
H

• If the 2-water isOplaced O Oin a kettle andO Oheated again it will turn
H H 2-
O O
H+
into steam which
OO
is a gas. TheH+molecules
H H H H O have lotsOof energy
H H
O HH +
H H H H H H
and HHbreak H away from each O2- other. The steam cannot be
H
O H
+ O
H H
O

contained in a vessel unless it H Ohas H a lid.

H H+ H H 2-
H +H H

• HFinallySolidif the- steam is given immense

Rigid Structure more energy, the single
where molecules
+

Gas-
Plasma
molecules Liquid-
are Bonds
– TheBonds
themselves
bonded don’tbonds are
exist
break
tightly not
between
within
to sothe
apart
each tight the now,
molecule
into
other theirbutare
constituent
molecules
now
elements. thereThisisanymore
broken. isstill
knownsome and
as structure
all structure
the plasmathere is gone
state.

Intel Ireland
Sputtering in a Plasma
 By applying a large voltage to gas usually under
vacuum, a plasma can be created. For sputtering
processes this gas tends to be Argon.

 Why Argon ?
 It’s a large molecule, on a par with the size of the atoms that
we tend to want to deposit.
 Its inert, so it won’t react with the target to form an unwanted
substance.
 Its easily pumped out of the system.
 Its not an overly dangerous gas.

Intel Ireland
Magnetrão para sputtering
 Argon Sputter Process
 Argon gas is fed into the chamber which is under vacuum.
 A large voltage is applied causing some electrons on the
argon molecules to break free, leaving positively charged
argon ions. The argon ions will be attracted
to the negative potential, so
-
that’s where the target material
is placed.
Target
The wafer is placed on the
Ar
Ar+ - Ar+ - positive/neutral electrode.
e e
Gas In
Ar Are
+
- The argon bombards the
target causing chunks of
Ar Ar+e-
material to fall on the wafer.
wafer The free electrons collide
with the argon atoms
producing more ions and so
+ sustaining the plasma and the
sputtering process
Intel Ireland
Reactive Sputtering Azoto
Oxigénio
 Although argon is used in all of our sputtering processes,
sometimes other gases are introduced that can be incorporated
into the film.

 The titanium nitride films that is deposited as part of the metal

stack is produced through a reactive sputtering process.

 This means that while argon is used to sputter the titanium

material off the target, another gas (nitrogen) is introduce to
react with those titanium atoms and produce titanium-nitride.

 While it would be possible to use the nitrogen to perform the

sputtering process also, the deposition time required to produce
the film would be way to long, hence argon is added to speed up
the process.

Intel Ireland
 Comparação
 Térmico:
 Exige baixa temperatura de evaporação do material
 O eq. mais simples, barato e eficaz (quando funciona)
 Os compostos podem decompor ao evaporar
 E-beam
 Permite maiores temperaturas de evaporação que o térmico.
 Eq. mais complexo e mais caro.
 Os compostos podem decompor ao evaporar
 Sputtering
 Qualquer material (….)
 Eq. simples
 Alvos caros (muito material)
 Compostos podem ser depositados (embora possa alterar
ligeiramente a composição)
PLD – Pulsed Laser Deposition
 CVD
Chemical Vapour Deposition

Intel Ireland
Chemical Vapour Deposition
 This is a process where gaseous chemicals are introduced
to a system, have a reaction on the surface of the wafer
which results in a thin film being deposited.
 All other by-products of the reactions are gaseous and so
are pumped away and out of the system.
 Plasmas can be used to help generate the reactive species.

 CVD is used for a large number of deposition processes in

the semiconductor industry (CMOS process and others):
1. Epitaxial film – top layer of a silicon wafer where the transistors
are formed.
2. Polysilicon – Connection to the gate oxide
3. Interlayer Dielectrics – Layers of insulating material between the
metal layers
4. Some metal films – Tungsten plugs and seedlayer TiN layer

Intel Ireland
The CVD Process
Step
Step 1:
2:
3: These
5:
4: The
Gases
Theseprecursors
are
precursors
introduced
islands
solid ofdiffuse
migrate
into
through
material
by-products the
on the
system
the
surface
eventually
form nuclei system
which
merge
whichso to
may
that
the
be
together
grown at
intoso
atmospheric
stagnant
chemical
that gas
reactions
or
flow
a continuous
islands while the lowabove
can
pressure.
film
waste isbegin
the wafer
and produce
produced.
by-products surface solid
where
are pumped by-products.
they are
away
adsorbed.

Intel Ireland
CVD Process Overview
 Step 1: Gases are introduced into the system which may be
at atmospheric or low pressure.

 Step 2: The precursors diffuse through the system to the

stagnant gas flow above the wafer surface where they are
adsorbed.

 Step 3: These precursors migrate on the surface so that

chemical reactions can begin and produce solid by-
products.

 Step 4: These solid by-products form nuclei which grown

into islands that eventually merge together so that a
continuous film is produced.

 Step 5: Other gaseous by-products desorb from the surface

and are pumped away, out of the system

Intel Ireland
Exemple of CVD @INL

Intel Ireland
Hot Wire (cat) / RF CVD
Films and their Precursors
Films Precursors

Polysilicon SiH4 (Silane)

Oxynitride SiH4, N2), NH3, N2

Silicon Nitride C8H22N2Si (BTBAS), NH3

Tungsten SiH4, H2, WF6

Ti-Nitride Ti[ N (CH3)2]4 (TDMAT)

Intel Ireland
Step Profile and Coverage
 Step coverage is the most important specification for a
CVD process.
 It is determined by the arriving angle and the
precursor surface mobility.
 In a situation where aspect ratio is very tight this
could cause gapfill issues.
Aspect ratio = h/w

w
Intel Ireland
CVD dep in a standard process CVD dep in a HDP system

When deposition is
complete there are
Keyhole
no keyholes in the
remaining
film, the triangular
after
caps are always
deposition
seen.

Overhangs The gap

close up between the
before the lines fills up
gap is filled evenly

Overhangs on Continuous etching

the corners of the deposited
develop film means that the
quickly overhangs are
making filling constantly etched
the gap more away
difficult
Intel Ireland
Aspectos da deposição - Compatibilidade
 Compatibilidade térmica
 A oxidação térmica e os filmes LPCVD são
mutuamente compatíveis
 A oxidação térmica e o LPCVD não são compatíveis
com polímeros (derretem/ardem) e com a maioria
dos metais (formação eutéctica, difusão,
contaminação do forno)
 Compatibilidade topográfica
 Não se pode fazer spin-coat sobre degraus elevados
 Deposição sobre rasgos profundos deixa buracos
Aspectos da deposição - Conformabilidade
 Um coating (cobertura) conformal cobre todas
as superfícies com uma película uniforme
 Um coating planarizador tende a reduzir o
degrau vertical da secção transversal
 Um coating não-conformal deposita mais nas
superfícies do topo do que nas superfícies da
base e/ou laterais

Conformal Planarizador Não-conformal

Oxidação térmica
O2

SiO2
Silício Silício

O silício é consumido à medida que o dióxido de

silício cresce.
O crescimento ocorre em oxigénio e/ou vapor a 800-
1200 ºC
Filmes com ~2um é o máximo valor prático possível
 sensor de pressão

aquecedor
wafers

bombagem

tubo em quartzo
entrada de gases
porta de entrada da câmara
 Oxidação térmica
 A oxidação pode ser mascarada com nitreto de
silício, que evita a difusão do O2

nitreto de silício
SiO2
Silício
 Spin Coating
 Um liquido viscoso é colocado no centro do wafer
 O wafer roda entre 1000-5000 RPM, 30 s
 Baked (levar ao forno) em pratos quentes 80-500 ºC, 10-
1000s
 Aplicação de corrosivos e solventes, secar
Deposição electroquímica
 Deposição electroquímica - padronização

LIGA is the german acronym for

lithography, electroplating and
moulding (Lithographie, Galvanik
und Abformung).
Fotolitografia
1 - Limpeza do substrato. Substrato

2 - Aplicação do PR (polímero PR
Substrato
fotossensível) por spinning .
Luz UV
3- Cura .
Máscara

PR
4- Exposição a luz UV.
Substrato

5 – Revelação.
PR PR
Substrato
6 – Cura final.
 Fotolitografia
•Preparação do substrato:
•O substrato deverá estar limpo e seco. A remoção de partículas e resíduos orgânicos é efectuada por
tricloroetanol ou IPA (álcool isopropílico), seguida de secagem por jacto de azoto. O substrato é depois
aquecido a 150 ºC, durante 20 minutos.
•Aplicação:
•O PR é distribuído na superfície do substrato, seguido de rotação do substrato para obter uniformidade
na espessura. Pode ser aplicado directamente ou diluído (com photoresist thinner) para obter menor
espessura de filme. Sem diluição e com rotação de 75 rpm obtém-se a espessura de 2.5 µm.
•Cura preliminar:
•O substrato é aquecido a 82 ºC, durante 20 minutos para evaporar solventes residuais e melhorar a
adesão do material fotossensível. Com a utilização de substratos de Kapton, devido à baixa condutividade
térmica, a temperatura do disco de aquecimento deverá ser de 90 ºC.
•Exposição:
•O fabricante recomenda 1-10 segundos de exposição sobre uma luz ultravioleta (355 nm) de 10W/cm2
através da máscara com a estrutura pretendida. Dada a reduzida intensidade da luz utilizada, 50
segundos de exposição são necessários para sensibilizar o filme (PR diluído a 50% e rotação a 300 rpm).
A máscara deve ser opaca ao comprimento de onda utilizado. Para resoluções até 50 µm podem ser
utilizadas transparências impressas a preto em equipamentos de litografia convencionais (fotolito).
•Revelação:
•Para a revelação, o revelador é aplicado na superfície do filme. Ao fim de 1 minuto é novamente aplicado,
e assim sucessivamente durante cinco minutos. No final, o filme é lavado com IPA.
•Cura final:
•Para evaporar os solventes residuais e promover a adesão e a estabilidade do filme, a cura final é
efectuada a 120 ºC durante 15 minutos.
Annealing (recozimento)
O aquecimento do filme promove
a homogeneização

25ºC

150ºC
300ºC

Intel Ireland
 Annealing
O aquecimento do filme
promove a aglomeração de
átomos, formando cristais
de dimensão maior,
alterando as propriedades
dos materiais

150ºC
6.00
Tsub=190ºC
Factor de potência PF (x10 -3 WK -2 m -1 )

5.00 Tsub=230ºC
Tsub=270ºC

4.00 Silva
Zou

3.00

2.00

1.00

0.00
150 200 250 300
Temperatura de Substrato (ºC)
300ºC
Intel Ireland
Stress residual em filmes finos
 Condições de deposição (temperatura, pressão) dos filmes fazem variar
o stress residual. O LPCVD Si3N4 apresenta stress residual de 0.125-1
GPa conforme a variação de tempeatura e o annealing. Em baixo está
representado o stress residual do LPCVD Poly quando depositado a
diferentes pressões e sem annealing.
The end