Poster Nanotecnología 2015

SNTESIS Y CARACTERIZACIN DE PELCULAS
DE CdS CON TRATAMIENTO TRMICO PARA

CELDAS SOLARES
1
A. Lpez-Moreno , A. Vera-Marquina , A. Leal-Cruz , D. Berman-Mendoza

1
2
Departamento de Fisica, Departamento de Investigacin en Fsica, Universidad de Sonora,
Hermosillo, Sonora, 83000, Mxico
*e-mail: allomo@hotmail.com
Resumen
Con el auge de los sistemas nanoestructurados y la bsqueda de su implementacin en los diferentes campos de investigacin en ciencia, ha tomado gran importancia la sntesis de materiales y la bsqueda de sus posibles aplicaciones
tcnicas, dadas sus propiedades microestructurales, pticas y elctricas para la aplicacin de dispositivos electrnicos [1].
Aqu se presentan los resultados obtenidos de la sntesis de pelculas delgadas de Sulfuro de Cadmio (CdS) sintetizadas por el mtodo de depsito de bao qumico (CBD). Las pelculas fueron caracterizadas mediante su espectro de
absorcin ptica y se midi el tamao promedio de las partculas obtenidas mediante difraccin de rayos X (gura 1 y 2).
Se presentan los resultados de la medicin de band gap (Eg) que conrma los valores obtenidos en otras referencias y la ventaja de realizar tratamiento trmico para mejorarlo [2], (gura 3).
Se presenta la caracterizacin electrica de pelculas de CdS por el mtodo de 4 puntas con el n de medir resistividad del material. Las pelculas nanoestructuradas de CdS en uninson muy utilizadas en la fabricacin de transistores de alta
velocidad y otros dispositivos optoelectrnicos, .
Metodologa
Temperatura
de 70C
Tratamiento
Trmico
Tiempo de
depsito: 30
min
En Sustrato
de Vidrio
Caracterizacin estructural
Difraccin de rayos X (DRX)
a)
Estructural
(DRX)
Caracterizacin
Caracterizacin elctrica
Resistividad
b)
1.5
c)
3.0
"Resistividad en Luz"
"Resistividad sin Luz"
250C
200C
150C
100C
2.5
Calculado utilizando la formula de Debye-Scherrer

Voltaje (V)
Elctrica
p ca (UV-vis)
250C
200C
150C
100C
1.0
2.0
Voltaje (V)
Depsito por
bao
qumico
1.5
1.0
0.5
0.5
30
60
90
120
150
40
60
Tiempo
Donde t es el dimetro de la partcula de cristal, , es la

longitud de onda de los rayos x utilizados (Cu= 1.54 ), B
es la altura del los picos y el ngulo de dispersin
Obteniendo que las pelculas delgadas de CdS son
formadas por cristalitas de 13.87 y 17.49nm sin
tratamiento trmico y con tratamiento trmico a 250C
respectivamente (Ultima III Instrument).
80
100
120
Tiempo
a) Sistema 4 puntas, b) Voltaje obtenido de las pelculas de CdS en presencia de luz, c) Voltaje obtenido de las
pelculas de CdS en ausencia de luz
Perlometra
a)
b)
c)
135
Grosores de las pelculas
130
250C
200C
150C
100C
125
120
115
Grosor (nm)
110
105
100
95
90
Figura 1 Patrones tpicos de pelculas delgadas de CdS, tal como se depositaron ()

y con tratamiento trmico a 250C ()
85
80
75
70
40
Caracterizacin ptica
60
80
100
120
Tiempo
a) Perlmetro Bruker DektakXT, b) grca obtenida en perlmetro Bruker DektakXT, c) Grosores de las
pelculas delgadas de CdS despus de someterse a tratamiento trmico a 100,150,200 y 250 C durante
30,60,90 y 120 minutos
Espectroscopa Uv-vis
b)
a)
a)
5.0
70
Simulador solar
b)
c)
Amp
0.00005
65
4.5
55
Transm itancia (% )
50
45
40
35
30
25
D epositado
100C
150C
250C
20
15
10
4.0
3.5
0.00000
Amp
A bsorbancia (U.A .)
60
3.0
2.5
D epositado-lnT
100C
150C
250C
2.0
1.5
-0.00005
0.00
1.0
0.05
0.10
Volts
0.5
0
-5
0.0
400
600
800
400
Longitud de O nda (nm )
600
800
Longitud de O nda (nm )
a) Simulador solar Oriel Sol2A, b) Estructura de celda solar CdS-PbS sobre ITO en substrato de vidrio
con contactos de pintura de plata y pintura de grato, c) Grca de responsibidad de celda solar
obtenida mediante simulador solar Oriel Sol2A
Figura 2 Espectros de (a) Transmitancia y (b)absorbancia de CdS
Conclusiones
14
D e p o si ta d o
1 0 0 C
1 5 0 C
2 5 0 C
12
(ah n )^ 2 (U .A .)
10
El band gap directo (Eg) fue detemrinado utilizando la

relacin de Tauc [3]
El coeciente de absorcin fue calculado utilizando la

siguiente relacin:
2. 2
2 .4
2 .6
2. 8
Los procesos de tratamiento trmico tienen un gran efecto en la estructura, morfologa,

comportamiento ptico y elctrico de las pelculas nanoestructuradas de CdS por el mtodo de
CBD utilizando glicina como acomplejante. Las pelculas pelculas nanoestructuradas de CdS son
formadas por cristalitas de dimensiones de 13.8nm. Posterior al tratamiento trmico ,las pelculas
de CdS se vuelven ms compactas y densas alcanzando cristalitas de tamaos de 17.49 nm para
el tratamiento trmico mximo (250C). El incremento en el tamao de las cristalitas es debido a la
activacin del fenmeno de coersin al incrementar la temperatura. En el proceso de densicasin
de las pelculas de CdS , la glicina juega un papel importante y actua como agente aglutinante el
cual permite la densicasin de las pelculas de CdS a temperaturas relativamente bajas (250C).
Aunado a esto, se obtiene la disminucin del band gap ptico de 2.45 a 2.4 depositado y al
tratamiento trmico respectivamente (250C).
hv (Ev)
Figura 3: Band gap directo de pelculas delgadas de CdS,

como fue depositado, a 100, 150 y 250C
Tabla 1
Band Gap directo utilizando la relacin de Tauc
Referencias

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DE CdS CON TRATAMIENTO TRMICO PARA

A. Lpez-Moreno , A. Vera-Marquina , A. Leal-Cruz , D. Berman-Mendoza

"Resistividad sin Luz"

Calculado utilizando la formula de Debye-Scherrer

Donde t es el dimetro de la partcula de cristal, , es la

Grosores de las pelculas

Figura 1 Patrones tpicos de pelculas delgadas de CdS, tal como se depositaron ()

Longitud de O nda (nm )

Longitud de O nda (nm )

Figura 2 Espectros de (a) Transmitancia y (b)absorbancia de CdS

El band gap directo (Eg) fue detemrinado utilizando la

El coeciente de absorcin fue calculado utilizando la

Los procesos de tratamiento trmico tienen un gran efecto en la estructura, morfologa,

Figura 3: Band gap directo de pelculas delgadas de CdS,

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