Inf. Final 1 Ce2
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Villanueva, Luque, Torres, Rojas, Ildefonso, Quispe, Vizcardo. INF. FINAL 1 LAB. CEII
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Universidad Nacional Mayor de San Marcos – Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – E.A.P. Ingeniería
Electrónica
luis.villanueva18@unmsm.edu.pe, ramon.luque@unmsm.edu.pe,
guillermo.torres6@unmsm.edu.pe, erick.rojas2@unmsm.edu.pe,
ademir.ildefonso@unmsm.edu.pe, christian.quispe3@unmsm.edu.pe,
luis.vizcardo@unmsm.edu.pe
III. OBJETIVOS
● Conocer los conceptos fundamentales
sobre el transistor BJT que se usa un
amplificador, sus métodos de
aplicación y conexiones utilizados
● Obtener unas impedancias de entrada y
salida, adecuadas para la aplicación
● Aprovechar los puntos fuertes de cada
Fig. 8. V1 con respecto a Vin simulado. configuración básica y al mismo
tiempo compensar sus puntos débiles
IV. PREVIO
𝐻𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑝𝑟𝑖𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑉𝑖
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Cálculo de Av:
V. PROCEDIMIENTOS
realizamos teorema de thevenin para ambos y obtendremos los mismos resultados que para el
transistores Q1 y Q2 en sus puntos base. primer transistor Q1 por tener los mismos valores y
componentes que Q2.
RBB1=R1Q1//R2Q2 …(1)
VBB1=R2Q2(VCC)/(R1Q1+R2Q2)...(2) Los Valores simulados, son los de la fig 6,
trabajado en multisim, retirando los condensadores
Reemplazando valores tenemos: para el punto de operación, y los valores calculados
RBB1=1.66K ; VBB1=2.2V son los ya expuestos.
El circuito que nos quedará es uno equivalente que [Tabla 1.1]
aparece en la figura 2, realizamos la malla 2. Implementar el circuito 1. (Presencial)
base-emisor del transistor 1 y tendremos: 3. Desconecte los capacitores y mida el punto Q
de cada transistor Vceq e Icq. De acuerdo a
VBB= IB(RB)+IE(RE) +VBE ... .(3) los valores obtenidos indique en qué zona se
IB( 1.7K) +0.7+ IB( β+1) (470) = 2.2 …(4) encuentra trabajando el transistor. Complete
IB (1.7 K+ ( β+1) 470)+0.7 = 2.2 los campos correspondientes de la tabla 1.1
(Presencial)
Hemos aproximado 1.66K a 1.7K y consideramos 4. Conecte los capacitores Ci1, Ci2 y Ci3 de 10
el β=150. uF y Ce de 100uF para cada transistor
De esta ecuación (4) podemos sacar el IB y algunas
conclusiones: [Fig 1, Circuito 1]
IB=20.77μA
IC=3.11mA 5. Configure el generador para que emita una
IE=3.13mA señal sinusoidal con una amplitud de 5 mVp o
similar y una frecuencia de 1KHz
Ahora para la malla colector emisor, vemos lo aproximadamente.
siguiente:
[Fig 7, Circuito 1]
IC(RC)+ VCE + IE(RE)=VCC …(5)
6. Seleccione el osciloscopio para observar
(3.11mA)(1K)+ VCE+ (3.13mA)(0.47K)=9 ambos canales en posición AC. (Presencial)
7. Conecte el canal 1 del osciloscopio al
VCE=4.41V generador y el canal 2 del osciloscopio al
colector del primer transistor. La tierra del
Sabemos que para trazar nuestra recta de carga osciloscopio debe estar conectada a la tierra
figura 3 necesitamos las intercepciones con los ejes, del generador y a la tierra del circuito.
que serán ICmax y VCE max:
[Fig 7, Circuito 1]
IC=0 ; VCE=9
VCE=0 ; IC=6.11mA 8. Grafique en la figura 1.2 las señales de
entrada y salida observada en el osciloscopio
Ahora para el segundo transistor Q2 análogamente verificando el desfase existente entre la tensión
haremos uso de las ecuaciones (1) , (2) ,(3) y (5) de entrada y salida y determine la ganancia
sabiendo los valores del circuito solo nos queda Av.1-Osc. Realice la simulación respectiva y
reemplazar grafique sus resultados en la misma figura 1.2.
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Complete los campos correspondientes de la colocarlo en modo AC). Complete los campos
tabla 1.2. correspondientes de la tabla 1.2
t2-t1 = 441.899us
f = 1kHz → T = 0.001s
Θ = 360°(t2-t1)/T = 159.08°
t2-t1 = 447.330us
f = 1kHz → T = 0.001s
Θ = 360°(t2-t1)/T = 161.04°
11. Compruebe la ganancia Av2mult utilizando el
multímetro en AC. Complete los campos
correspondientes de la tabla 1.2
En el canal 1: Vpp = 10mV
f = 1kHz → T = 0.001s
Θ = 360°(t2-t1)/T = 26.15°
t2-t1 = 494.749us
Θ = 360°(t2-t1)/T = 161.04°
VI. CUESTIONARIO
tensión Av-Osc del amplificador.
En el canal 1: Vpp = 10mV 1. Compara sus datos teóricos con los
En el canal 2: Vpp = 419.164mV– obtenidos en la experiencia.
(-436.231mV) = 855.395mV
AVsoc = 855.395mV/10mV = 85.54 Al comparar los datos teóricos y experimentales, se
15. Compare la ganancia de tensión obtenida en el puede visualizar ciertas variaciones entre ellas;
punto 14 (Av-osc) con respecto a la ganancia esto es debido a que las mediciones en el
obtenida en el punto 8 (Av1-osc) y determine laboratorio no están libres de errores, entre
las razones de esta diferencia, a pesar de ser el ellos: no calibrar los instrumentos, así como un
mismo transistor mal uso de éstos, no seguir correctamente los pasos
descritos en las guías, también está el error humano.
En el canal 1: Vpp = 10mV Otro factor en la diferencia de los datos es debido a
En el canal 2: Vpp = 412.854mV– los valores de las resistencias, ya que los valores
(-431.848mV) = 844.702mV teóricos deben ser aproximados con los valores
AVtosc = 844.702mV /10mV = 84.47 comerciales,los cuales al realizar el experimento
causan ciertas variaciones al momento de medir.
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