Multietapa de Potencia

Descargar como docx, pdf o txt
Descargar como docx, pdf o txt
Está en la página 1de 6

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 1 de 6

DISEÑO ELECTRONICA III: AMPLIFICADOR


MULTIETA CON ETAPA DE POTENCIA
Yuriannis Yulieth Novely Cabrales 1161159
Eiver Palta Carvajal 1161212
Departamento de electricidad y electrónica.
Universidad Francisco De Paula Santander

RESUMEN. Diseñar, simular e implementar un amplificador


Los amplificadores multietapa son circuitos formados por multietapa con etapa de potencia.
varios transistores BJT, que pueden ser acoplados de
forma directa o mediante capacitores. Un amplificador
multietapa es un circuito capaz de tomar una señal de
entrada y generar una señal de salida menor o mayor
según sea el caso. A este factor de cambio entre la señal de
B. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
entrada y de salida se le denomina ganancia y dicha • Diseñar y evaluar amplificadores multietapa discretos e
ganancia puede ser de voltaje o corriente, agregándole al integrados empleando las diferentes técnicas de variación
final una etapa de potencia donde nos mantenga la de la ganancia.
ganancia adquirida en el amplificador y solo aumente • diseñar los conocimientos adquiridos en clases para
potencia y corrientes, que es la función de estos transistores agregar la etapa de potencia al amplificador multietapa
TIP. Para realizar el diseño se realizo Este es un trabajo que • implementar el circuito final de amplificador de
muestra el proceso que se llevo a cabo al utilizar los multietapa con etapa de potencia en orcad y físico y
conocimientos adquiridos que se lleva en toda la carrera para
realizar un diseño de amplificadores de multietapa con etapa de
comparar resultados, matemático, simulado y practico.
potencia, con unas especificaciones a tener en cuenta al momento  Comprender y aprender el funcionamiento de un
de diseñar. circuito amplificador multietapa con etapa de potencia.
PALABRAS CLAVE.
Protoboard, Amplificador multietapa, potencia, Orcad,
Temperatura. III. MARCO TEORICO
1.1 TRANSISTORES COMO
I. INTRODUCCIÓN.
AMPLIFICADORES
La siguiente actividad tiene como finalidad realizar un Los transistores desarrollan un papel fundamental,
diseño de amplificadores multietapa con una etapa de
pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una
potencia, evaluando técnicas para la comprobación de
determinada carga una potencia de señal mayor de la
resultados mediante lo conocimiento adquiridos hasta
este punto de la carrera, verificando y comparando las que absorben.
ganancia del diseño sin la etapa de potencia, con la etapa En los amplificadores, gracias a los transistores se
de potencia viendo y así comprobar que se mantenga la consigue la intensidad de los sonidos y de las señales
ganancia, utilizando herramientas computacionales
en general. El amplificador posee una entrada por
(Orcad) y ya en físico con osciloscopio, todo esto con el
donde se introduce la señal débil y otra por donde se
fin de comparar, discutir y comprobar sus resultado es
los tres métodos teórico, pactico y simulado. alimenta con C.C. La señal de salida se ve
aumentando gracias a la aportación de esta
II. OBJETIVOS. alimentación, siguiendo las mismas variaciones de
onda que la de entrada.

A. OBJETIVO GENERAL Cuando un amplificador realiza la función de elevar


la señal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 2 de 6

ha producido una determinada ganancia de un Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias


amplificador es la relación que existe entre el valor (RF). Seleccionando la razón de vueltas en el
de la señal obtenida a la salida y el de la entrada. transformador permite lograr incrementos de tensión
Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos o de corriente. [1]
tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia:
1.6 TRANSISTORES DE POTENCIA
ganancia en tensión, ganancia en corrientes y
ganancias en potencias. [3] El funcionamiento y utilización de los transistores de
potencia es idéntico al de los transistores normales,
1.2 ACOPLAMIENTO
teniendo como características especiales las altas
El acoplamiento establece la forma en la cual se tensiones e intensidades que tienen que soportar y,
conectan las distintas etapas amplificadoras, por tanto, las altas potencias a disipar. [4]
dependiendo de la naturaleza de la aplicación y las
características de respuestas que se desean. Existen Existen tres tipos de transistores de potencia:
distintos tipos de acoplamiento: acoplamiento
directo, capacitivo y por transformador. [2]  bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.

1.6.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Fig 1. Acoplamiento. La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor


unipolar o FET es el modo de actuación sobre el
1.3 ACOPLAMIENTO DIRECTO.
terminal de control. En el transistor bipolar hay que
Las etapas se conectan en forma directa, es permite inyectar una corriente de base para regular la corriente
una amplificación tanto de la componente de la señal de colector, mientras que en el FET el control se hace
como de la componente continua del circuito. Se dice mediante la aplicación de una tensión entre puerta y
que los circuitos de cc se acoplan directamente. [2] fuente. Esta diferencia vienen determinada por la
estructura interna de ambos dispositivos, que son
1.4 ACOPLAMIENTO CAPACITIVO substancialmente distintas.

Permite desacoplar los efectos de polarización entre Es una característica común, sin embargo, el hecho de
las etapas. Permite dar una mayor libertad al diseño. que la potencia que consume el terminal de control
Pues, la polarización de una etapa no afectara a la (base o puerta) es siempre más pequeña que la
otra. [1] potencia manejada en los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

 En un transistor bipolar IB controla la


magnitud de IC.
 En un FET, la tensión VGS controla la
corriente ID.
 En ambos casos, con una potencia pequeña
Fig 2. Acoplamiento capacito.
puede controlarse otra bastante mayor. [4]
1.5 ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 3 de 6

IV. PARAMETROS PARA REALIZAR EL


DISEÑO
Características a seguir:
a) Ganancia de voltaje mayor o igual a 250 ± 2%.
(Medido a 20 KHz).
b) Manejo de señal a la salida: 12 V pico a pico.
(Medido a 20 KHz).
c) Resistencia de entrada mayor o igual 100KΩ.
Fig 3. Circuito del diseño.
d) Resistencia de salida igual a 8Ω. Matemáticamente se comienzan realizando con
acoplamiento capacitivo por etapas para encontrar su
e) Punto terminal de -3dB de baja frecuencia menor o ganancia por individual del circuito de la fig 4.
igual a 40Hz (FL≤40Hz). Etapa de inversor.
f) Punto terminal de -3dB de alta frecuencia mayor o
igual 40Khz (FH≥40KHz). Rc
ℜ =4.6
g) Respuesta en la banda de paso máximamente plana.
h) El amplificador debe estar compensado con respecto
vcc
a variaciones de temperatura. Ic=
Rca+ Rcd
i) Fuentes de alimentación de ± 12v.
V. MATERIALES.

Computador con últimas especificaciones Herramienta R1//R2//rπ+(B+1)Re=120k


de simulación ORCAD PSPICE 1
Protoboard
1 Fuente de voltaje Regulada (0-32V / 0-3A)
1 Generador de señal con su respectiva punta de prueba r π +( B+1) ℜ=240 k
(0-10 Mhz)
1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba (0-
200Mhz) BVt
1 Multímetro Digital (500V / 10 A /10 Mhz ) Pinzas, +(B+1) ℜ=240 k
12
Pelacables, cables.
Resistencias, capacitores, transistores 2n2222a y tip41c y Rc+ ℜ
tip42c.
VI. METODOS.
ℜ=1.2 K Ω
a. TEORICO

Rc=6.1 k Ω
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 4 de 6

Vth−0.7
Ib=
Rin+ ( B+1 ) ℜ R 2=820 K Ω

24 R 2 Resistencias implementadas
Vth=
R 1+ R 2
R1=680K R2=120K R7=2.7K R10=330
R3=3.9K R4=510 R8=510 RE1=3.9k
Vth R2 R5=510K R6=120K R9=68k RL=1K
=
24 R 1+ R 2
b. PRACTICO
Utilizando los materiales 2 en una protoboard montamos
R1 R2 el circuito completo con las resistencias pertinentes del
240 K=
R 1+ R2 diseño dando una ganancia superior a 30v.

R 1=1.2 M Ω Fig 5. Montaje del circuito en físico.

R 2=1.2 M Ω c. SIMULACION
El circuito del diseño lo simulamos por Orcad con el
Etapa del seguidor
resultado final de ganancia, resultados de corriente,
voltaje y potencia.

ℜ=100 Ω

vcc
Ic=
Rca+ Rcd

Fig 4. Circuito simulado en Orcad.


Vth−0.7
Ib=
Rin+ ( B+1 ) ℜ

24 R 2
Vth=
R 1+ R 2

R 1=330 k Ω Fig 5. Señal de salida de la simulación en Orcad.


UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 5 de 6

 Pudimos observar que al diseñar


VII. RESULTADOS. matemáticamente el circuito todos los resultados
dan, pero al momento de simularlo en orcad, se
Los resultados obtenidos para los tres métodos fueron cortaba o no daba la ganancia buscada, así
muy similares, ya que es el mismo circuito y los errores teniendo que cambiar el diseño y buscar el que si
que se encuentran comparando los tres valores cumplas las características del diseño.
diferentes, se deben a los diferentes márgenes de errores
que pueden haber, en medir que el medidor tome pocas IX. BIBLIOGRAFIA.
decimales o aproximen, también los valores de las
resistencias que tienen más conductividad o dependiendo
del fabricantes, matemáticamente se van cortando los • [1],”El amplificador multietapa“
decimales y va a dar unos valores por lo general un poco https://referencias111.wikispaces.com/file/view/Capitulo
más pequeños y en orcad seria el mejor resultado de los 3_ce1.pdf [Consultado: 1-abril-2019].
tres porque es un programa que toma los valores más
exacto. • [2] “Amplificadores Multietapa”.
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
VIII. CONCLUSIONES. [Consultado: 1-abril-2019].
Del proyecto se pudo obtener la por los distintos
• [3] “Los transistores como amplificadores”.
procesos y obstáculos presentados en la diseñada,
simulada y montada del proyecto con ello llegamos a las http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/tutorial_general/elt
siguientes conclusiones: ransistorcomoamplificador.html [Consultado: 1-abril-
 En el momento de simular el circuito diseñado 2019].
matemáticamente no dio la ganancia esperada y • [4] “Transistores de potencia”.
tendía a estar más baja de lo que se previó esto
https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html
debido a que el programa OrCAD es una
[Consultado: 1-abril-2019].
herramienta muy exacta y tendió a variar el
objetivo que era la ganancia
 Llegado el momento de la montada del diseño en
la protoboard se nos presentaron muchos
problemas como lo fueron que la ganancia daba
muy poca y el pico positivo tendía a cortarse esto
se soluciono mejorando la relación existente
entre la Rc y la Re de en las etapa del diseño.
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INF-MCU

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Versión: 1.0

ELECTRONICA 3 Página: 6 de 6

X. ANEXOS

También podría gustarte

pFad - Phonifier reborn

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.

Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.


Alternative Proxies:

Alternative Proxy

pFad Proxy

pFad v3 Proxy

pFad v4 Proxy