UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEV LEON

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia

Ing. Rodolfo Rubén Treviño

Análisis de los diferentes tipos de tiristores y sus circuitos de disparo

Daniel Eduardo González García

1816742
 Análisis de los diferentes tipos de tiristores y sus
circuitos de disparo
Daniel Eduardo González García
Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, UANL

Resumen- Hay 13 tipos de tiristores. Solamente los GTO, SITH,

MTO, ETO, IGCT y MCT son dispositivos apagados por
compuerta. Cada tipo tiene sus ventajas y sus desventajas. Las
características de los tiristores prácticos difieren
significativamente de las de los dispositivos ideales. Aunque hay
varias formas de encender tiristores, el control de compuerta es
el más práctico. Debido a las capacitancias de unión y el límite
de encendido, los tiristores deben estar protegidos contra fallas
por di/dt y dv/dt altas. Por lo común se utiliza una red Ilustración 1 Símbolo del tiristor
amortiguadora como protección contra dv/dt alta. Debido a la
carga recuperada, parte de energía se almacena en la di/dt y en
los inductores parásitos; los dispositivos deben estar protegidos
contra esta energía almacenada. Las pérdidas por conmutación II. ESTRUCTURA
de los GTO son mucho más altas que las de los SCR normales.
El tiristor (SCR), está formado por cuatro capas semiconductoras P
Los componentes amortiguadores de los GTO son críticos para
y N, ver figura 5.3 Estas cuatro capas forman 3 uniones PN: J1 (P1-
su desempeño.
N1), J2 (N1-P2) y J3 (P2-N2), que se corresponden con 3 diodos.
El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay
capas comunes entre ellos, y por tanto habrá interacciones que
I. INTRODUCCIÓN determinan el comportamiento final.
El tiristor (también llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o
Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo
semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la
disposición PNPN. Está formado por tres terminales, llamados
Ánodo, Cátodo y Puerta. El instante de conmutación (paso de corte
a conducción), puede ser controlado con toda precisión actuando
sobre el terminal de puerta, por lo que es posible gobernar a
voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo que hace que
el tiristor sea un componente idóneo en electrónica de potencia, ya
que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la
vez como se comprobará con posterioridad. Ilustración 2 Estructura del tiristor

El tiristor es un elemento unidireccional y sólo conduce corriente

en el sentido ánodo – cátodo, siempre y cuando el elemento esté III. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
polarizado en sentido directo (tensión ánodo – cátodo positiva) y se
En esta sección se tratarán las diferentes situaciones que se pueden
haya aplicado una señal en la puerta. Para el caso de que la
presentar dependiendo de la señal de puerta y de la polaridad de la
polarización sea inversa, el elemento estará siempre bloqueado.
tensión aplicada entre ánodo y cátodo.

A. Funcionamiento
Un tiristor, o con mayor precisión, un SCR puede conducir solo
cuando su ánodo es positivo respecto al cátodo. Para pasar de la
condición de corte a la de conducción, se requiere aplicar un pulso
positivo de energía suficiente en el terminal de compuerta. Mientras
no se produzca el disparo, el SCR permanece en condiciones de
bloqueo, tanto con tensiones ánodo-cátodo positivas como
1
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
negativas. Con el ánodo positivo respecto al cátodo, el SCR, si bien
se encuentra habilitado a cambiar de estado, no conduce y la tensión
aplicada es soportada por la juntura J2. Cuando el ánodo es 𝐼𝐶1 = 𝛽1 𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶𝑂1 = 𝛽1 (𝐼𝐶2 + 𝐼𝐶𝑂1 ) + 𝐼𝐶𝑂1 (6)
negativo respecto del cátodo, el SCR se encuentra en una condición
inherente de no conducción y se mantiene así aun excitándolo. La 𝐼𝐶2 = 𝛽2 𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶𝑂2 = 𝛽2 (𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶𝑂2 ) + 𝐼𝐶𝑂1 (7)
tensión inversa es soportada por las junturas J3 y J1; sin embargo,
la tensión de avalancha de J1 es pequeña y consecuentemente es J3 𝐼𝐴 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 (8)
quien soporta la tensión aplicada y limita la corriente inversa de
fuga.
Reemplazando se obtiene:

(1−𝛽1 )(1+𝛽2 )(𝐼𝐶𝑂1 −𝐼𝐶𝑂2 )

𝐼𝐴 = 1−𝛽1 𝛽2
(9)

En la ecuación anterior si se toma en cuenta que:

𝛼 1
𝛽= y1+𝛽 = reemplazando se obtiene la ecuación anterior
1−𝛼 1−𝑎
Ilustración 3 Tiristor modelo 2 transistores

Sin excitación, con IGP = IGN = 0, planteando las ecuaciones

En estado de bloqueo, 𝛽 <<1 (zona de corte de un transistor de
de los transistores Q1 y Q2:
silicio) y en conducción, durante la excitación del tiristor es un
𝐼𝐶1 = 𝛼1 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝑂1 (1) número mayor que la unidad, pero ya con 𝛽1 𝛽2 → 1 el tiristor
conduce con 𝐼𝐴 → infinito. Ambas ecuaciones demuestran que el
𝐼𝐶2 = 𝛼2 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝑂2 (2) tiristor se puede encontrar en uno de sus dos estados posibles y que
para pasar del estado de corte al de conducción, se debe alcanzar la
𝐼𝐴 = 𝐼𝐾 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 (3) condición de ganancia igual a uno.

𝐼𝐴 = 𝐼𝐾 = 𝛼1 𝐼𝐴 + 𝛼2 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝑂1 + +𝐼𝐶𝑂2 (4) Si ahora se supone que ambas compuertas se encuentran excitadas,
es decir con circulación de corrientes:

𝐼𝐵2 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐺𝑁 (10)

En donde 𝛼1 es la ganancia de corriente y 𝐼𝐶𝑂1 es la corriente de
fuga del transistor Q1. Mientras que 𝛼2 es la ganancia de corriente y 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐶2 + 𝐼𝐺𝑃 (11)
𝐼𝐶𝑂2 es la corriente de fuga del transistor Q2. La 𝐼𝐴 = 𝐼𝐾 es la
𝐼𝐶1 = 𝛼1 𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝑂1 (12)
corriente del ánodo. 𝐼𝐶1 y 𝐼𝐶2 son la corriente de colector de Q1
y Q2, respectivamente. 𝐼𝐶2 = 𝛼2 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝑂2 (13)

La suma ICO1+ICO2 es en realidad una sola corriente de 𝐼𝐴 ≠ 𝐼𝐾 ya que es 𝐼𝐴 + 𝐼𝐺𝑃 = 𝐼𝐾 + 𝐼𝐺𝑁 (14)
saturación inversa ICX que tiene lugar en la juntura central
J2. 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐾 (1 − 𝛼1 ) − 𝐼𝐶𝑂1 (15)

Igualmente:
Reemplazando y despejando IA se obtiene:
𝐼𝑐𝑥 𝐼𝐵2 = 𝐼𝐴 (1 − 𝛼2 ) − 𝐼𝐶𝑂2 (16)
𝐼𝐴 = 1−(𝛼 (5)
1 +𝛼2 ) 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐺𝑁 = 𝐼𝐴 (1 − 𝛼2 ) − 𝐼𝐶𝑂2 (17)

En estado de bloqueo, el valor de alfa de un transistor es Reemplazando 𝐼𝐶1 :

mucho menor que la unidad, en consecuencia (𝛼1 + 𝛼2 ) ≪
1 y en consecuencia, la corriente directa por el tiristor, IA no 𝛼1 𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝑂1 + 𝐼𝐺𝑁 = 𝐼𝐴 (1 − 𝛼2 ) − 𝐼𝐶𝑂2 (18)
es más que una corriente inversa de saturación. Para que se Despejando 𝐼𝐾 y reemplazando:
establezca el estado de conducción, (𝛼1 + 𝛼2 ) → 1 y
entonces IA → infinito y solamente es limitada por la carga 𝛼1 (𝐼𝐴 + 𝐼𝐺𝑃 − 𝐼𝐺𝑁 ) + 𝐼𝐶𝑂1 + 𝐼𝐺𝑁 = 𝐼𝐴 (1 − 𝛼2 ) − 𝐼𝐶𝑂2 (19)
en serie con el SCR. De igual manera, en términos de la
ganancia Ꞵ se obtiene:

2
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
de donde: indeseados. Los cambios de estado debidos a estos disparos
indeseados, generalmente producidos por perturbaciones
(1−𝛼1 )𝐼𝐺𝑁 +𝛼1 𝐼𝐺𝑃 +𝐼𝐶𝑂1 𝐼𝐶𝑂2
𝐼𝐴 = (20) transitorias, producen el cambio permanente del estado del tiristor.
1−(𝛼1 +𝛼2 ) Cambio de estado, que al producirse en un momento no deseado
puede provocar el malfuncionamiento o fallas totales en el circuito
La ecuación anterior, cuando no hay excitación de compuerta queda
donde se encuentra inserto el tiristor. Para ello siempre deben
reducida a la ecuaciónya deducida cuando esta corriente es nula. La
tomarse todas las precauciones necesarias para evitarlos. Deben
circulación de estas corrientes produce elinicio de la conducción
preverse condiciones de montaje tales como mantener los
realimentada positivamente, que al alcanzar una ganancia igual
terminales de compuerta muy cortos y tomar el retorno común
auno, lleva al tiristor a la condición de conducción, aunque
directamente del cátodo. Es de práctica colocar capacidades del
desaparezca el pulso inicial.
orden de los 0,01 a 0,1 uF entre los terminales de compuerta y
Un pulso en GP constituye el método más efectivo de encendido, cátodo. Este capacitor adicionalmente aumenta la capacidad de
mientras que un pulso en GN necesita de mayor energía para soportar dv/dtal formar un divisor capacitivo con la capacidad
encender al tiristor, debiendo aplicarse un pulso negativo entre ánodo compuerta. En casos extremos debe considerarse la
dicha puerta y ánodo. Normalmente solo se dispone de acceso a la posibilidad de realizar un blindaje. Para que un tiristor pase del
compuerta vinculada con la capa P1, a excepción de los dispositivos estado de bloqueo al de conducción, debe estar polarizado
PUT (Programmable Unijuntion Thiristors) que utilizan la directamente y ser excitado adecuadamente. Según lo visto en el
compuerta GN. punto anterior, para que un tiristor conduzca debe satisfacerse 𝛼1 +
𝛼2 → 1. Como en un transistor de silicio, suganancia de corriente
Cabe aclarar, que, si bien la inyección de portadores en la juntura crece con el aumento de la corriente IE, esta condición puede
J1 mediante una corriente positiva en el terminal de compuerta es producirse debido a diversas causas, siendo las más usuales las que
la forma adecuada de producir el cambio de estado del tiristor, toda se enumeran a continuación.
otra circunstancia que produzca un aumento de la corriente Icx o de
alfa hasta alcanzar la condición de ganancia igual a la unidad, puede • Por efecto transistor: es el método de uso normal para
también producir la conmutación del tiristor. Estas otras formas, provocar la conducción de los tiristores. En la compuerta
que se analizan más adelante, son por lo general destructivas y no del tiristor (base GP del modelo de dos transistores) se
deben ser utilizadas como procedimiento de encendido, salvo sea inyectan portadores suplementarios a través de una señal
explícitamente admitido por el fabricante. adecuada, provocando el fenómeno de cebado o
encendido del tiristor.

• Por efecto fotoeléctrico: la luz puede cebar al tiristor al

IV. ESTADOS DEL TIRISTOR.
crear pares electrón-hueco. En este caso el tiristor tiene
Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados: una ventana que deja pasar los rayos de luz en la región
de la puerta. Es un Fototiristor.
• Bloqueado con polarización inversa
• Bloqueado con polarización directa. Ambos métodos mencionados son los utilizados normalmente y el
• Conducción. cambio de estado en el tiristor se produce dentro de los límites de
operación dados por los fabricantes, garantizando su vida útil. Sin
Se analizan a continuación cada uno de estos estados y sus embargo, existen otras causas que pueden provocar el disparo del
conmutaciones. tiristor. A continuación, se enuncian las que pueden producir el
disparo, pero provocando generalmente un daño parcial o
A. Estado de Bloqueo permanente en el dispositivo, exceptuando aquellos casos que sea
un método permitido para algún miembro en particular de la familia
Los tiristores permanecen indefinidamente en la condición de
de los tiristores.
bloqueo, a menos que se le suministre la adecuada energía al
terminal de compuerta, estando el tiristor bloqueado con • Por Tensión: Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo
polarización directa. Excitar a un tiristor con polarización inversa llega un momento en que la corriente de pérdida
no produce ningún cambio de estado, con excepción de los (corriente inversa de saturación IOX) toma un valor
TRIACS, donde pulsos de cualquier polaridad pueden producir el suficiente para producir la avalancha, estableciéndose la
pasaje del estado de conducción al de corte sin importar la polaridad conducción del tiristor.
de la tensión bloqueada.
El disparo de un tiristor por superar su tensión de ruptura puede
B. Encendido producir una elevada disipación instantánea de potencia de
distribución no uniforme en el área del semiconductor. Esta
Cabe destacar que, en los tiristores, el pasaje de corte a conducción, disipación de potencia produce una elevación excesiva de la
es irreversible por su naturaleza de proceso de realimentación temperatura que puede destruir al transistor. En operación normal
positiva. En ambientes eléctricos ruidosos, por la presencia de los tiristores no deben ser encendidos por este método. En aquellos
interferencias electromagnéticas o debido a las capacidades miembros de la familia preparados para este uso como los Diacs, se
parásitas existentes en toda juntura inversamente polarizada, puede debe controlar el valor máximo de di/dt soportado.
producirse la suficiente energía para dar origen a disparos
3
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 • Por derivada de tensión: Toda juntura tiene una D. Apagado
capacidad asociada; en consecuencia, si la tensión que se
aplica entre ánodo y cátodo es de crecimiento brusco, la La única forma de apagar a cualquier tiristor, con excepción de los
corriente a través de este capacitor es: i=C dv /dt. GTO, es reducir la corriente de ánodo por debajo del valor de la
corriente de mantenimiento o de hold. Por debajo de esta corriente
Si esta corriente es suficientemente elevada, provoca la conducción se produce una realimentación positiva que lleva a ambos
del tiristor sin señal de compuerta. transistores al corte. Debe recordarse que el modelo es solo válido
para el tiristor apagado y en el momento del encendido o corte.
Un tiristor puede tener un disparo no deseado si estando bloqueado
con polarización directa, el circuito en el cual opera lo somete a una Del modelo parecería que cortocircuitar a la compuerta sería
variación rápida en su tensión positiva ánodo cátodo. Como las suficiente para iniciar este proceso, pero en la estructura real de un
formas de las tensiones a las cuales se encuentran sometidos los SCR el área de compuerta es solo una porción del área de cátodo y
dispositivos son una responsabilidad del diseñador de la aplicación, solo una muy pequeña porción de la corriente es derivada por este
siempre debe verificarse que nunca se supere la dv/dt dada por el corto. Solo mediante una reducción de la corriente principal por
fabricante. El valor de este parámetro no es un máximo absoluto, debajo de la mencionada corriente de mantenimiento se asegura el
sino que depende de la temperatura y de la tensión directa aplicada. comienzo de la acción regenerativa que lleva a ambos transistores
Por ejemplo, un mismo tiristor que debe bloquear una tensión del modelo al corte.
directa de 500 V presenta una dv/dt de 50 V/nseg, mientras que, si
opera a 300 V, el valor dedv/dt se duplica. Tanto la corriente de mantenimiento o de hold, como la
anteriormente mencionada corriente de cerrojo o de latch, no son
Para proteger a los tiristores ante disparos espurios por esta causa, tampoco valores absolutos de los miembros de la familia de los
circuitos denominados “snubbers” suelen ser utilizados. Consisten tiristores, sino que se encuentran afectadas por la temperatura y por
en circuitos RC o RCD que limitan la velocidad de variación de la la impedancia de compuerta. Tensiones inversas de compuerta
tensión ánodo cátodo. Estos mismos circuitos que protegen ante también incrementan marcadamente los valores de ambas
dv/dt suelen ser útiles para proteger ante transitorios. También corrientes. Por el contrario, valores positivos reducen estos valores
pueden incluirse circuitos limitadores basados en zeners. En frente a los suministrados en las hojas de datos ya que los mismos
aquellas aplicaciones donde se esperen transitorios deben elegirse se dan generalmente para el terminal de compuerta abierto.
dispositivos de tensión de ruptura y dv/dt adecuados para
soportarlos. Adicionalmente, en el proceso de fabricación de tiristores reales, se
utiliza un diseño denominado “shorted emitter”, donde una
• Por temperatura: La corriente inversa de saturación de resistencia es agregada entre las zonas de compuerta y de cátodo.
una juntura, aproximadamente se duplica cada 10º C de La presencia de esta resistencia, al derivar corriente de la
aumento de su temperatura. Cuando esta corriente compuerta, produce un incremento en la corriente necesaria para
alcanza un cierto valor, se establece la conducción del producir el disparo, así como de la corriente de latch y de la de
tiristor. mantenimiento. La principal razón para incluir esta resistencia es
mejorar la performance dinámica a altas temperaturas. Sin esta
Adicionalmente, la operación a temperaturas elevadas reduce la resistencia de shunt la corriente de pérdidas presente en la mayoría
habilidad del tiristor de soportar elevadas dv/dt debido al aumento de los tiristores de alta corriente iniciaría por si solo el encendido a
de la sensibilidad de disparo. altas temperaturas.
C. Estado de conducción Tiristores de alta sensibilidad emplean un valor elevado de
resistencia derivadora o bien nola incluyen. En consecuencia, sus
El tiristor es un dispositivo de control de tensión y no de corriente.
características se ven radicalmente alteradas por la presencia de
Una vez en conducción, la magnitud de corriente a circular por el
resistencias exteriores. En cambio, en tiristores del tipo “shorted
mismo la fija el circuito exterior.
emitter” la presencia de una resistencia exterior prácticamente no
Para que una vez encendido el tiristor se mantenga en el estado de tiene efecto.
conducción al eliminarse la corriente de disparo de compuerta, se
La temperatura de las junturas es el factor que más afecta las
requiere que la corriente principal sea lo suficientemente elevada.
características de los tiristores. Temperaturas elevadas facilitan su
El menor valor de corriente de ánodo que debe establecerse antes
disparo y el mantenimiento de la conducción. En consecuencia, en
de eliminar la corriente de compuerta se denomina corriente de
el diseño de los circuitos de disparo debe preverse su correcto
cerrojo o de latch. Mantener el valor de la corriente ánodo por
funcionamiento a la menor temperatura de operación, mientras que
encima de este valor es el único requerimiento para que el tiristor
los circuitos relacionados al apagado o a prevenir falsos disparos
permanezca conduciendo una vez retirada la corriente de
deben diseñarse para su correcto funcionamiento a la mayor
compuerta.
temperatura esperable.

4
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 El tiempo de apagado tq es la suma del tiempo de recuperación
inversa trr y el tiempo de recombinación trc. Al final del apagado, se
forma una capa de agotamiento a través de la unión J2 y el tiristor
recupera su capacidad de soportar voltaje en sentido directo. En
todas las técnicas de conmutación se aplica un voltaje inverso a
través del tiristor durante el proceso de apagado.

El tiempo de apagado tq es el valor mínimo del intervalo de tiempo

entre el instante en que la corriente en estado de encendido se ha
reducido a cero y el instante en que el tiristor es capaz de soportar
un voltaje en sentido directo sin encenderse, tq depende del valor
pico de la corriente en estado de encendido y del voltaje instantáneo
en estado de encendido.

V. TIPOS DE TIRISORES

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La

corriente del ánodo requiere un tiempo finito para propagarse a toda
el área de la unión, desde el punto cercano a la compuerta cuando
la señal de ésta se inicia para encender el tiristor. Los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta para controlar la di/dt, el
tiempo de encendido y el tiempo de apagado. Los tiristores son
fáciles de encender con un pulso corto. Para apagarse requieren
circuitos especiales de control o estructuras internas especiales para
auxiliar en el proceso de apagado. Hay varias versiones de tiristores
con capacidad para apagarse y el objetivo de cualquier dispositivo
Ilustración 4 Circuito de tiristor conmutado por línea
nuevo es mejorar la capacidad de apagado. Con la aparición de
dispositivos nuevos con capacidad tanto de encendido como de
apagado, el dispositivo con sólo la capacidad de apagado se conoce
como “tiristor convencional”, o simplemente “tiristor”. Otros
miembros de la familia del tiristor o rectificador controlado por
silicio (SCR) han adquirido otros nombres basados en acrónimos.
El uso del término tiristor se refiere al tiristor convencional.
Dependiendo de la construcción física, y del comportamiento de
encendido y apagado, los tiristores se pueden clasificar
generalmente en 13 categorías:

1. Tiristores controlados por fase (o SCRs)

2. Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCTs)

3. Tiristores asimétricos de conmutación rápida (o ASCRs)

4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz

(LASCRs)

5. Tiristores de tríodo bidireccionales (TRIACs)

6. Tiristores de conducción inversa (RCTs)

7. Tiristores apagados por compuerta (GTOs)

8. Tiristores controlados por FET (FET-CTHs)

9. Tiristores apagados por MOS (MTOs)

10. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETOs)

11. Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCTs)

12. Tiristores controlados por MOS (MCTs)

Ilustración 5 Circuito de tiristor de conmutación forzada
13. Tiristores de inducción estática (SITHs)

5
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 A. Tiristores controlados por fase B. Tiristores bidireccionales controlados por fase
Este tipo de tiristores suele funcionar en la frecuencia de línea y se El BCT es un nuevo concepto de control de fase de alta potencia;
apaga por conmutación natural. Un tiristor comienza a conducir en su símbolo se muestra en la Ilustración 7. Es un dispositivo único,
sentido directo cuando se hace pasar un pulso de corriente de que combina las ventajas de tener dos tiristores en un paquete, lo
disparo de la compuerta al cátodo, y de inmediato se mantiene en que permite diseñar un equipo más compacto al simplificar el
conducción completa con una baja caída del voltaje en sentido sistema de enfriamiento y aumentar la confiabilidad del sistema.
directo. No puede hacer que su corriente regrese a cero con su señal Los BCT permiten a los diseñadores satisfacer demandas más
de compuerta; en vez de eso, se apega al comportamiento natural exigentes en cuanto a tamaño, integración, confiabilidad y costo del
del circuito para que la corriente llegue a cero. Cuando la corriente producto terminado. Son adecuados para aplicaciones como
del ánodo llega a cero, el tiristor recupera su capacidad en decenas compensadores estáticos de volt-amperes reactivos (VAR),
de microsegundos de voltaje de bloqueo inverso y puede bloquear interruptores estáticos, arrancadores suaves y propulsores de
el voltaje directo hasta que se aplique el siguiente pulso de motores.
encendido. El tiempo de apagado tq es del orden de 50 a 100 μs. Es
muy adecuado para aplicaciones de baja velocidad de conmutación
e inclusive se le conoce como tiristor convertidor.

Ilustración 7 Tiristor bidireccional controlado por fase

La capacidad de voltaje máxima puede llegar hasta 6 kV a 1.8 kA,

y la capacidad de corriente máxima puede ser hasta 3 kA a 1.8 kV.
Ilustración 6 Tiristor de compuerta amplificadora El comportamiento eléctrico de un BCT corresponde al de dos
tiristores en antiparalelo, integrados en una oblea de silicio como
Como un tiristor es básicamente un dispositivo controlado hecho
se muestra en la Ilustración 7. Cada mitad del tiristor funciona
de silicio, también se le conoce como rectificador controlado de
como el tiristor de oblea completa correspondiente con respecto a
silicio (SCR). El voltaje VT en estado de encendido varía
sus propiedades estáticas y dinámicas. La oblea de BCT tiene
típicamente desde aproximadamente 1.15 V hasta 2.5 V para
regiones anódicas y catódicas en cada cara. Los tiristores A y B se
dispositivos de 4000 V, y para un tiristor de 1200 V, 5500 A es
identifican en la oblea con las letras A y B, respectivamente.
típicamente de 1.25 V. Los transistores modernos utilizan una
compuerta amplificadora, donde un tiristor auxiliar TA se controla Un reto importante en la integración de dos mitades de tiristores es
con una señal de compuerta y luego la salida amplificada de TA se evitar interferencias dañinas entre las dos mitades en todas las
aplica como señal de compuerta al tiristor principal TM, como se condiciones de operación pertinentes. El dispositivo debe mostrar
muestra en la Ilustración 6. La compuerta amplificadora permite una muy alta uniformidad entre las dos mitades en parámetros del
altas características dinámicas con una dv/dt típica de 1000 V/μs y dispositivo como carga de recuperación inversa y caídas de voltaje
una di/dt de 500 A/μs, además de que simplifica el diseño del en estado de encendido. Las regiones 1 y 2 que se muestran en la
circuito al reducir o minimizar el inductor que limita la di/dt y los Ilustración 7 son las más sensibles con respecto a sobre corriente
circuitos de protección contra dv/dt. que tiene voltaje “inverso” reaplicado y la capacidad tq de un BCT.
Por su bajo costo, alta eficiencia, robustez, y alta capacidad de Encendido y apagado. Un BCT tiene dos compuertas: una para
voltaje y corriente, estos tiristores tienen un extenso uso en activar la corriente en sentido directo y una para la corriente en
convertidores cd-ca con alimentación principal de 50 o 60 Hz y en sentido inverso. Este tiristor se enciende con la aplicación de una
aplicaciones de bajo costo donde la capacidad de apagado no es un corriente pulsante a una de sus compuertas. Se apaga si la corriente
factor importante. Con frecuencia la capacidad de apagado no del ánodo cae por debajo de la corriente de retención debido al
ofrece suficientes beneficios como para justificar el alto costo y las comportamiento natural del voltaje o de la corriente.
mayores pérdidas de los dispositivos. Se utilizan para casi todas las
aplicaciones de transmisión de alto voltaje de cd (HVDC) y en un
gran porcentaje de aplicaciones industriales.

6
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 C. Tiristores asimétricos de conmutación rápida E. Tiristores de tríodo bidireccionales
Se utilizan en aplicaciones de alta velocidad de conmutación con Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones y por lo común
conmutación forzada. Tienen un tiempo de apagado rápido, por lo se utiliza en control de fase de ca. Se puede considerar como dos
general en el rango de 5 a 50 μs, dependiendo del rango de voltaje. SCR conectados en antiparalelo con una conexión de compuerta
común como se muestra en la Ilustración 9. Su símbolo se muestra
La caída en sentido directo en estado de encendido varía en la Ilustración 9 y las características v-i en la Ilustración 9.
aproximadamente como una función inversa del tiempo de apagado
tq. Este tipo de tiristor también se conoce como tiristor inversor.

Estos tiristores tienen una alta dv/dt de típicamente 1000 V/μs y

una di/dt de 100 A/μs. El apagado rápido y la di/dt alta son muy
importantes para reducir el tamaño y peso de los componentes de
conmutación o del circuito reactivo. El voltaje en estado de
encendido de un tiristor de 1800 V, 2200 A suele ser de 1.7 V. Los
tiristores inversores con una capacidad de bloqueo inverso muy
limitada, por lo común de 10 V, y un muy rápido tiempo de apagado
de entre 3 y 5 μs, se conocen comúnmente como tiristores
asimétricos (ASCRs) [14]. En la Ilustración 8 se muestran tiristores
de conmutación rápida de varios tamaños.

Ilustración 9 Características de un TRIAC

Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, sus terminales no

se pueden designar como ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es
Ilustración 8 Tiristores de conmutación rápida positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede
encender aplicando una señal de compuerta positiva entre la
compuerta G y la terminal MT1. Si la terminal MT2 es negativa con
respecto a la terminal MT1, se enciende aplicando una señal de
D. Rectificadores controlados de silicio activados compuerta negativa entre la compuerta G y la terminal MT1. No es
por luz necesario tener ambas polaridades de señales de compuerta, y un
TRIAC se puede encender con una señal de compuerta ya sea
Este dispositivo se enciende por irradiación directa de luz sobre la positiva o negativa. En la práctica, las sensibilidades varían de uno
oblea de silicio. Los pares electrón-hueco que se crean por la a otro cuadrante y por lo común los TRIAC funcionan en el
irradiación producen corriente de disparo por la influencia del cuadrante I+ (voltaje y corriente de compuerta positivos), o en el
campo eléctrico. La estructura de la compuerta se diseña para que cuadrante III- (voltaje y corriente de compuerta negativos).
tenga una suficiente sensibilidad y pueda activarse con fuentes
luminosas prácticas (por ejemplo, un diodo emisor de luz [LED] y
para obtener grandes capacidades de di/dt y dv/dt). F. Tiristores de conducción inversa

Los LASCR se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y alta En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo
corriente (por ejemplo, HVDC), transmisión y potencia reactiva en antiparalelo a través de un SCR para permitir un flujo de
estática o compensación VAR. Un LASCR ofrece aislamiento corriente inverso debido a la carga inductiva, y para mejorar el
eléctrico entre la fuente luminosa de activación y el dispositivo de requerimiento de apagado del circuito de conmutación. El diodo
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial fija el voltaje de bloqueo del SCR a 1 o 2 V en condiciones de
de algunos cientos de kolovolts. La capacidad de voltaje de un estado estable. Sin embargo, en condiciones transitorias el voltaje
LASCR podría ser hasta de 4 kV a 1500 A con potencia de inverso puede llegar a 30 V debido al voltaje inducido en
activación luminosa de menos de 100 mW. La di/dt típica es de 250 inductancia parásita del circuito en el interior del dispositivo. Un
μs y la dv/dt podría ser tan alta como 2000 V/μs. RCT es un compromiso entre las características del dispositivo y el
requerimiento del circuito; se puede considerar como un tiristor con
un diodo en antiparalelo incorporado como se muestra en la
Ilustración 10. Un RCT también se conoce como un ASCR.
7
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
El voltaje de bloqueo en sentido directo varía de 400 a 2000 V y la En condiciones de cambios repentinos de corriente o voltaje, un
capacidad de corriente llega a 500 A. El voltaje de bloqueo en GTO entra en una saturación más profunda debido a la acción
sentido inverso es típicamente de 30 a 40 V. Como la relación de la regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de
corriente en sentido directo a través del tiristor a la corriente en la saturación. Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo de
sentido inverso de un diodo es fija para un dispositivo dado, sus bloqueo de encendido, pero también es un dispositivo de bloqueo
aplicaciones se limitan a diseños de circuitos específicos. de apagado. El símbolo del GTO se muestra en la Ilustración 11 y
su corte transversal interno se muestra en la Ilustración 11.
Comparado con un tiristor convencional, tiene una capa n+
adicional cerca del ánodo que forma un circuito de apagado entre
la compuerta y el cátodo en paralelo con la compuerta de
encendido.

Encendido. El GTO tiene una estructura de compuerta altamente

interdigital sin compuerta regenerativa. En consecuencia, se
requiere un pulso grande inicial de disparo de compuerta para
encenderlo. Un pulso de compuerta de encendido típico y sus
Ilustración 10 Tiristor de conducción inversa parámetros importantes se muestran en la Ilustración 12. Los
valores mínimo y máximo de IGM se pueden obtener de la hoja de
datos del dispositivo. El valor de dig/dt se da en las características
del dispositivo de la hoja de datos, en función del tiempo de
G. Tiristores apagados por compuerta encendido. La tasa de subida de la corriente de compuerta dig/dt
afecta las pérdidas por encendido del dispositivo. La duración del
Un GTO, al igual que un SCR, se puede encender aplicando una pulso de IGM no debe ser menor que la mitad del tiempo mínimo
señal positiva. Sin embargo, un GTO se puede apagar con una señal dado en las hojas de datos. Se requiere un periodo más largo si la
de compuerta negativa. Un GTO no es un dispositivo de bloqueo y corriente del ánodo di/dt es baja de modo que IGM se mantiene
se puede construir con capacidades de corriente y voltaje parecidos hasta que se establece un nivel suficiente de la corriente del ánodo.
a los de un SCR.
Estado de encendido. Una vez que el GTO se enciende, la
Un GTO se enciende aplicando un pulso corto positivo y se apaga corriente en sentido directo de la compuerta debe continuar durante
con un pulso corto negativo a su compuerta. Los GTO tienen las todo el periodo de conducción para que el dispositivo permanezca
siguientes ventajas sobre los SCR: (1) eliminación de los en conducción. De lo contrario, el dispositivo no puede permanecer
componentes de conmutación en conmutación forzada, que se en conducción durante el periodo de encendido. La corriente de
traduce en una reducción del costo, peso y volumen; (2) reducción compuerta en estado de encendido debe ser por lo menos 1% del
de ruido acústico y electromagnético por la eliminación de pulso de encendido para que la compuerta no se desbloquee.
reactores de conmutación; (3) apagado más rápido, que permite
altas frecuencias de conmutación, y (4) eficiencia mejorada de los
convertidores.

En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes

ventajas sobre los transistores bipolares: (1) una capacidad de
voltaje de bloqueo más alta; (2) una alta relación de corriente
controlable pico a corriente promedio; (3) una alta relación de sobre
corriente pico a corriente promedio, normalmente de 10:1; (4) una
alta ganancia en estado de encendido (corriente de ánodo y
corriente de compuerta), normalmente de 600, y (5) señal de
corriente pulsante de corta duración.

Ilustración 12 Pulso de encendido típico

Apagado. El desempeño de apagado de un GTO depende en gran

parte de las características del circuito de apagado de la compuerta.
Por tanto, las características del circuito de apagado deben coincidir
con los requerimientos del dispositivo. El proceso de apagado
implica la extracción de la carga de la compuerta, el periodo de
avalancha de la compuerta, y la reducción de la corriente del ánodo.
La cantidad de extracción de carga es un parámetro del dispositivo
y su valor no se ve significativamente afectado por las condiciones
externas del circuito.
Ilustración 11 Tiristor apagado por compuerta (GTO)

8
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 H. Tiristores controlados por FET
Un dispositivo FET-CTH [40] combina un MOSFET y un tiristor
en paralelo, como se muestra en la Ilustración 13. Si se aplica
suficiente voltaje a la compuerta del MOSFET, por lo general 3 V,
se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor.
Tiene alta velocidad de conmutación, alta di/dt y alta dv/dt.
Ilustración 14 Tiristor apagado por MOS

J. ETOs
El ETO es un dispositivo híbrido de MOS y GTO que combina las
ventajas del GTO y el MOSFET. El ETO fue inventado en el
Virginia Power Electronics Center en colaboración con SPCO. El
símbolo del ETO, su circuito equivalente y la estructura pn se
muestran en la Ilustración 15. El ETO tiene dos compuertas: una
normal para encenderlo y una con un MOSFET en serie para
Ilustración 13 Tiristor controlado por FET apagarlo. Se han probado ETOs con capacidad de corriente hasta
de 4 kA y capacidad de voltaje hasta de 6 kV.
Este dispositivo se puede encender como los tiristores
convencionales, pero no se puede apagar con el control de Encendido. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las
compuerta. Hallaría aplicaciones donde se tiene que usar activación compuertas 1 y 2. Un voltaje positivo a la compuerta 2 enciende el
óptica para proporcionar aislamiento eléctrico entre la señal de MOSFET cátodo QE y apaga el MOSFET compuerta QG. Una
entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor inyección de corriente en la compuerta del GTO (a través de la
de potencia. compuerta 1) enciende el ETO debido a la existencia del GTO.

I. MTOs Apagado. Cuando se aplica una señal de apagado de voltaje

negativo al MOSFET cátodo QE, se apaga y transfiere toda la
El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO). Es corriente del cátodo (emisor n del transistor npn del GTO) a la base
una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos superan vía el MOSFET compuerta QG. Esto detiene el proceso de
las limitaciones de capacidad de apagado del GTO. retención regenerativa y el resultado es un rápido apagado. Es
importante señalar que tanto el MOSFET cátodo QE como el
La desventaja principal de los GTO es que requieren un circuito de MOSFET compuerta QG no están sometidos a esfuerzo de alto
excitación de alta corriente pulsante para la compuerta de baja voltaje, independientemente de cuán alto sea el voltaje en el ETO.
impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcionar la Esto se debe a que la estructura interna de la compuerta-cátodo de
corriente de apagado de la compuerta cuya amplitud pico típica es los GTO es una unión PN. La desventaja del MOSFET en serie es
35% de la corriente que se va a controlar. El MTO proporciona la que debe conducir la corriente principal del GTO y eso aumenta la
misma funcionalidad que el GTO pero utiliza un control de caída total de voltaje en aproximadamente 0.3 a 0.5 V y las pérdidas
compuerta que debe suministrar sólo el voltaje de nivel de señal correspondientes. Al igual que un GTO, el ETO tiene una larga cola
necesario para encender y apagar los transistores MOS. La de corriente de apagado al final del apagado y el siguiente
Ilustración 14 muestra el símbolo, la estructura y el circuito encendido debe esperar hasta que se disipe la carga residual en el
equivalente del MTO. Su estructura se parece a la de un GTO y lado del ánodo por el proceso de recombinación.
conserva las ventajas de éste de alto voltaje (hasta 10 kV) y alta
corriente (hasta 4000 A). Los MTO se pueden usar en aplicaciones
de alta potencia que van de 1 a 20 MVA.

Encendido. Al igual que un GTO, el MTO se enciende aplicando

un pulso de corriente a la compuerta para encenderla. El pulso de
encendido enciende el transistor NPN Q1, el cual a su vez enciende
el transistor PNP Q2 y mantiene bloqueado el MTO.

Apagado. Para apagar el MTO, se aplica un pulso de voltaje a la

compuerta del MOSFET. El encendido de los MOSFET pone en
cortocircuito al emisor y a la base del transistor NPN Q1, lo que Ilustración 15 Tiristor apagado por el emisor
detiene el proceso de retención. En contraste, un GTO se apaga
extrayendo suficiente corriente de la base del emisor del transistor
NPN con un gran pulso negativo para detener la acción de retención
regenerativa. En consecuencia, el MTO se apaga mucho más rápido
que el GTO y las pérdidas asociadas con el tiempo de
almacenamiento casi se eliminan.

9
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 K. IGCTs
El IGCT integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con L. SITHs
un circuito impreso de múltiples capas de control de compuerta. El
CGT es un GTO de conmutación permanente con un pulso de El SITH, también conocido como diodo controlado por campo
corriente de compuerta muy grande y muy rápido, tan grade como (FCD), fue presentado por primera vez por Teszner en la década de
la corriente nominal total, que transfiere toda la corriente del cátodo 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios; por
a la compuerta en aproximadamente 1 μs para garantizar un consiguiente, tiene una baja resistencia o caída de voltaje en estado
apagado rápido. de encendido y se fabrica con mayores capacidades de voltaje y
corriente. Tiene altas velocidades de conmutación y altas
La estructura interna y el circuito equivalente de un CGT se parecen capacidades de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es de 1 a 6
a los de un GT. La sección transversal de un IGCT se muestra en la μs. La capacidad de voltaje puede llegar hasta 2500 V, y la
Ilustración 16. capacidad de corriente se limita a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a los procesos, y pequeñas perturbaciones
Un IGCT también puede tener un diodo inverso integrado, como se
en el proceso de fabricación producirían cambios importantes en
muestra por la unión n+n−p en el lado derecho de la Ilustración 16.
sus características. Con el advenimiento de la tecnología de SiC, se
Al igual que un GTO, un MTO y un ETO, la capa intermedia n
ha fabricado un SITH 4H-SiC con un voltaje de bloqueo en sentido
nivela el esfuerzo de voltaje a través de la capa n−, reduce el
directo de 300 V. La sección transversal de la estructura de una
espesor de la capa n− reduce las pérdidas por conducción en estado
media celda de un SITH se muestra en la Ilustración 17, su circuito
de encendido, y hace que el dispositivo sea asimétrico. La capa p
equivalente, y su símbolo.
del ánodo se hace delgada y ligeramente dopada para permitir una
eliminación más rápida de las cargas de lado del ánodo durante el Encendido. Normalmente un SITH se enciende con la aplicación
apagado. de un voltaje de compuerta positivo con respecto al cátodo. El SITH
se enciende con rapidez, y proporciona la corriente de compuerta y
Encendido. Como un GTO, el IGCT se enciende al aplicar la
excitación de voltaje suficientes. Al principio, el diodo PiN de
corriente de encendido a su compuerta.
compuerta a cátodo se enciende e inyecta electrones desde la región
Apagado. El IGCT se apaga con un circuito impreso de múltiples del cátodo N+ hasta la región de la base entre la compuerta P+ y el
capas de control de compuerta que puede suministrar un pulso de cátodo N+, y al canal, con lo que se modula la resistividad de éste.
apagado de subida rápida, por ejemplo, una corriente de compuerta El voltaje de compuerta positivo reduce la barrera de potencial en
de 4 kA/μs con un voltaje de compuerta a cátodo de sólo 20 V. Con el canal, que gradualmente se vuelve conductiva. Cuando los
esta tasa de corriente de compuerta, el transistor NPN del lado del electrones llegan a la unión J1, el ánodo p+ comienza a inyectar
cátodo se apaga por completo en aproximadamente 1 μs y el huecos en la base y proporciona la corriente de base del transistor
transistor PNP del lado del ánodo se queda con una base abierta y Q2. A medida que la corriente de la base se incrementa, Q2 se
se apaga casi de inmediato. Debido a un pulso de muy corta satura y con el tiempo la unión J2 se polariza en sentido directo.
duración, la energía de control de compuerta se reduce en gran parte Entonces, el dispositivo se enciende por completo. La compuerta
y el consumo de energía de control de compuerta se minimiza. El p+ y la región del canal se pueden modelar como un transistor de
requerimiento de potencia de control de compuerta se reduce por unión de efecto de campo (JFET) que funciona en el modo bipolar.
un factor de cinco en comparación con el del GTO. Para aplicar una Fluyen electrones del cátodo a la región de la base bajo la
alta corriente de subida rápida, el IGCT incorpora un esfuerzo compuerta p+ a través del canal, y proporcionan la corriente de base
especial para reducir lo más posible la inductancia del circuito de del transistor p+n-p+. Debido al alto nivel de dopante de la
la compuerta. Esta característica también es necesaria para los compuerta p+, no fluyen electrones hacia ella. Una parte de la
circuitos de control de compuerta del MTO y el ETO. corriente de huecos fluye a través de la compuerta p+ y el canal
directamente hacia el cátodo. La corriente de huecos restante fluye
a través de la compuerta p+ hacia el canal como la corriente de
compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia
entre el cátodo y la compuerta da como resultado una gran y
uniforme concentración de portadores en esta región, de ahí que la
caída de voltaje sea insignificante.

Apagado. Por lo común, un SITH se apaga con la aplicación a la

compuerta de un voltaje negativo con respecto al cátodo. Si se
aplica un voltaje suficientemente negativo a la compuerta, se forma
una capa de agotamiento en torno a la compuerta p+. La capa de
agotamiento en J2 se extiende gradualmente hacia el canal. Se crea
una barrera de potencial en el canal, que hace que el canal se
estreche y elimina el exceso de portadores que hay en él. Si el
voltaje de compuerta es lo bastante grande, la capa de agotamiento
de regiones adyacentes a la compuerta se fusiona en el canal y
Ilustración 16 Sección transversal de un IGCT con diodo inverso
acaba por detener el flujo de la corriente de electrones en el canal.

10
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
Con el tiempo, la capa de agotamiento interrumpe por completo el
canal. A pesar de que no hay corriente de electrones, la corriente de
huecos continúa fluyendo debido a que los portadores excedentes
que hay en la base decaen con lentitud. La interrupción de la
corriente en el canal también detiene la inyección de electrones y
huecos en la región entre la compuerta y el cátodo; entonces el
diodo PiN parásito en esta región se apaga. Por consiguiente, el
voltaje negativo en la compuerta establece una barrera de potencial
en el canal que impide el transporte de electrones del cátodo al Ilustración 19 Tres tiristores conectados en serie
ánodo. El SITH es capaz de soportar un alto voltaje en el ánodo con
En el caso de diodos solamente se tienen que compartir los voltajes
una pequeña corriente de fuga y de cerrar por completo el canal.
de bloqueo en sentido inverso, en tanto que en el caso de los
tiristores se requieren redes que compartan el voltaje tanto en
condiciones inversas como en estado de apagado. Por lo común, el
reparto del voltaje se logra conectando resistores en paralelo con
cada tiristor, como se muestra en la Ilustración 19. Para un voltaje
compartido por igual las corrientes en estado de apagado difieren,
como se muestra en la Ilustración 20. Sean ns tiristores en la
cadena; la corriente en estado de apagado del tiristor T1 es ID1 y la
de los demás tiristores son iguales de modo que ID2 = ID3 = IDn, e
ID1 < ID2. Como el tiristor T1 tiene la corriente mínima en estado de
apagado, T1 comparte el voltaje más alto.

Si I1 es la corriente a través del resistor R en paralelo con T1 y las

corrientes a través de los demás resistores son iguales de modo que
I2 = I3 = In, la difusión de la corriente en estado de apagado es

𝛥𝐼𝐷 = 𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷1 = 𝐼𝑇 − 𝐼2 − 𝐼𝑇 + 𝐼1 = 𝐼1 − 𝐼2 o 𝐼1 = 𝐼2 − 𝛥𝐼𝐷

El voltaje a través de T1 es VD1 = RI1. Utilizando la ley del voltaje

Ilustración 17 Sección transversal y circuito equivalente de un SITH. de Kirchhoff se obtiene

𝑣𝑠 = 𝑉𝐷1 + (𝑛𝑠 −⊥)𝐼2 𝑅 = 𝑉𝐷1 + (𝑛𝑠 −⊥)(𝐼1 − 𝛥𝐼𝐷 )𝑅

VI. FUNCIONAMIENTO EN SERIE DE TIRISTORES = 𝑉𝐷1 + (𝑛𝑠 −⊥)𝐼1 𝑅 − (𝑛𝑠 −⊥)𝑅𝛥𝐼𝐷

Para aplicaciones de alto voltaje se pueden conectar dos o más = 𝑛𝑠 𝑉𝐷1 − (𝑛𝑠 −⊥)𝑅𝛥𝐼𝐷 (1)
tiristores en serie para proporcionar la capacidad de voltaje. Sin
embargo, debido a las variaciones en la producción, las
características de los tiristores del mismo tipo no son idénticas. La
Despejando la ecuación (1) para el voltaje VD1 a través de T1 se
Ilustración 18 muestra las características en estado de apagado de
obtiene
dos tiristores. Con la misma corriente en estado de apagado, sus
voltajes en estado de apagado difieren. 𝑣𝑠 +(𝑛𝑠 −1)𝑅𝛥𝐼𝐷
𝑣𝐷1 = 𝑛𝑠
(2)

Ilustración 20 Corrientes de fuga en sentido directo con voltaje

Ilustración 18 Características de dos tiristores en estado apagado compartido por igual

11
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 Un factor de reducción de capacidad (DRF) que normalmente se
utiliza para incrementar la confiabilidad de la cadena se define
como
𝑣𝑠
𝐷𝑅𝐹 = 1 − (7)
𝑛𝑠 𝑣𝐷𝑆(max)

VII. FUNCIONAMIENTO EN PARALELO DE TIRISTORES

Cuando los tiristores se conectan en paralelo, la corriente de la

carga no se comparte por igual por las diferencias en sus
características. Si un tiristor conduce más corriente que los demás,
su disipación de potencia se incrementa de tal modo que se
incrementa la temperatura de la unión y reduce la resistencia
interna. Esto, a su vez, incrementa la corriente compartida y puede
dañar el tiristor. Esta avalancha térmica se puede evitar con un
disipador térmico común, de modo que todas las unidades
Ilustración 21 Tiempo de recuperación inversa y voltaje compartido funcionen a la misma temperatura.

VD1 es máximo cuyo ∆ID es máxima. Para ID1 = 0 y ∆ID = ID2, la

ecuación (92) da el voltaje de estado permanente en el peor de los
casos a través de T1.

𝑣𝑠 +(𝑛𝑠 −1)𝑅𝛥𝐼𝐷2
𝑣𝐷𝑆(max) = (3)
𝑛𝑠 Ilustración 22 Corriente compartida de los tiristores

Durante el apagado, las diferencias en la carga almacenada Se puede conectar una pequeña resistencia, como se muestra en la
provocan diferencias en el voltaje inverso compartido, como se Ilustración 22, en serie con cada tiristor para hacer que la corriente
muestra en la Ilustración 21. El tiristor con la carga mínima se comparta por igual, pero puede haber una pérdida considerable
recuperada (o tiempo de recuperación inversa) enfrenta el voltaje de potencia en las resistencias en serie. Un método común para
transitorio más alto. Las capacitancias en la unión que controlan las compartir la corriente en las resistencias en serie. Un método
distribuciones del voltaje transitorio no son adecuadas y se suele común para que los tiristores compartan la corriente es utilizar
requerir la conexión de un capacitor C1 en paralelo con cada inductores magnéticamente acoplados, como se muestra en la
transistor como se muestra en la Ilustración 19. R1 limita la Ilustración 22. Si la corriente a través del tiristor T1 aumenta, se
corriente de descarga. Por lo general se utiliza la misma red RC puede inducir un voltaje de polaridad opuesta en los devanados del
para compartir el voltaje transitorio y para protección contra dv/dt. tiristor T2 y se puede reducir la impedancia a través de la trayectoria
de T2, con lo cual se incrementa el flujo de corriente a través de T2.
El voltaje transitorio a través de T1 se puede determinar aplicando
la relación de diferencia de voltaje.
𝑄2 −𝑄1 𝛥𝑄 VIII. PROTECCIÓN CONTRA di/dt
𝛥𝑣 = 𝑅𝛥𝐼𝐷 = 𝐶1
= 𝐶1
(4)
Un tiristor requiere un tiempo mínimo para propagar de manera
donde Q1 es la carga almacenada de T1 y Q2 es la carga de los demás uniforme la conducción de corriente por todas las uniones. Si la tasa
tiristores de modo que Q2 = Q3 = Qn y Q1 < Q2. Sustituyendo la de subida de la corriente del ánodo es muy rápida en comparación
ecuación (4) en la ecuación (2) produce con la velocidad de propagación de un proceso de encendido, se
puede dar un “punto caliente” localizado por la alta densidad de la
corriente y el dispositivo puede fallar a consecuencia de la
1 (𝑛𝑠 −1)𝛥𝑄 temperatura excesiva.
𝑣𝐷 = [𝑣 + ] (5)
𝑛𝑠 𝑠 𝐶1
Los dispositivos prácticos deben protegerse contra di/dt alta. Por
ejemplo, consideremos el circuito de la Ilustración 23. En
operación de estado estable, Dm conduce cuando el tiristor T1 está
El voltaje transitorio compartido en el peor de los casos que ocurre apagado. Si T1 se dispara cuando Dm aún está conduciendo, di/dt
cuando Q1 = 0 y ∆Q2 es puede ser muy alta y está limitada sólo por la inductancia parásita
del circuito.
1 (𝑛𝑠 −1)𝑄2
𝑣𝐷𝑇(max) = 𝑛 [𝑣𝑠 + 𝐶1
] (6)
𝑠

12
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
En la práctica, la di/dt se limita al agregar un inductor Ls en serie,
como se muestra en la Ilustración 23. La di/dt en sentido directo es
ⅆ𝑖 𝑣
ⅆ𝑡
= 𝐿𝑠 (8)
𝑠

donde Ls es la inductancia en serie e incluye cualquier inductancia

parásita.

Ilustración 24 Circuitos de protección dv/dt

Ilustración 23 Circuito de conmutación de tiristor con inductores que
limitan la di/dt
La carga puede formar un circuito en serie con la red amortiguadora
como se muestra en la Ilustración 24. La relación de
amortiguamiento δ de una ecuación de segundo grado es
PROTECCIÓN CONTRA dv/dt
𝛼 𝑅𝑠 +𝑅 𝐶𝑠
Si el interruptor S1 de la Ilustración 24 se cierra cuando t = 0, se 𝛿=𝜔 = 2
√𝐿 +𝐿 (12)
0 𝑠
puede aplicar un voltaje escalonado a través del tiristor T1 y puede
ser que la dv/dt sea lo bastante alta para encender el dispositivo. La donde Ls es la inductancia parásita, y L y R son la inductancia y la
dv/dt se puede limitar conectando un capacitor Cs como se muestra resistencia de la carga, respectivamente.
en la Ilustración 24. Cuando el tiristor se enciende, la corriente de
descarga del capacitor se limita con el resistor Rs, como se muestra Para limitar el rebase del voltaje pico aplicado a través del tiristor
en la Ilustración 24. se utiliza la relación de amortiguamiento en el rango de 0.5 a 1.0.
Si la inductancia de la carga es alta, lo cual suele ser el caso, Rs
Con un circuito RC conocido como circuito amortiguador, el puede ser alta y Cs puede ser pequeña para retener el valor deseado
voltaje a través del tiristor sube exponencialmente como se muestra de la relación de amortiguamiento. Un alto valor de Rs reduce la
en la Ilustración 24 y la dv/dt del circuito se determina corriente de descarga y un bajo valor de Cs reduce la pérdida por
aproximadamente según amortiguamiento. Los circuitos de la Ilustración 24 se deben
ⅆ𝑣 0.632𝑣𝑠 0.632𝑣𝑠
analizar a fondo para determinar el valor requerido de la relación
= = (9) de amortiguamiento para limitar la dv/dt al valor deseado. Una vez
ⅆ𝑡 𝜏 𝑅𝑠 𝐶𝑠
que se conoce la relación de amortiguamiento, se pueden
EL valor de la constante de tiempo del amortiguador τ = R sCs se determinar Rs y Cs. Se suele utilizar la misma red o amortiguador
puede determinar con la ecuación (9) para un valor conocido de RC tanto para protección contra dv/dt como para suprimir el voltaje
dv/dt. El valor de Rs se determina a partir de la corriente de descarga transitorio debido al tiempo de recuperación inversa.
ITD.
𝑣𝑠
𝑅𝑠 = (10) IX. CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTOR
𝐼𝑇𝐷

Es posible usar más de un resistor para dv/dt y la descarga, como En tiristores convertidores, existen potenciales diferentes en varias
se muestra en la Ilustración 24 R1 y Cs limitan la dv/dt. (R1 + R2) terminales. El circuito de potencia se somete a un alto voltaje, por
limita la corriente de descarga de modo que lo general de más de 100 V, y el circuito de compuerta se mantiene
a un bajo voltaje, típicamente de 12 a 30 V. Se requiere un circuito
𝑣𝑠
𝐼𝑇𝐷 = (11) de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador
𝑅1 +𝑅2
de pulsos de compuerta.

El aislamiento se puede lograr o con transformadores de pulsos o

con optoacopladores. Un optoacoplador podría ser un fototransistor
o un rectificador fotocontrolado de silicio (SCR), como se muestra
en la Ilustración 25. Un pulso corto a la entrada de un ILED, D1,
enciende el rectificador fotocontrolado de silicio (foto-SCR) T1 y
el tiristor de potencia T1 se dispara.

13
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
 también se induce un voltaje en el devanado auxiliar N3 en la base
del transistor Q1 de modo que el diodo D1 se polariza a la inversa y
el Q1 se apaga. Entretanto, el capacitor C1 se carga por conducto de
R1 y Q1 se enciende de nuevo. Este proceso de encendido y apagado
continúa mientras haya una señal de entrada v1 al aislador. En vez
de utilizar el devanado auxiliar como oscilador de bloqueo, una
compuerta lógica AND con un oscilador (o un temporizador)
podría generar un tren de pulsos como se muestra en la Ilustración
26. En la práctica, la compuerta AND no puede excitar al transistor
Ilustración 25 Aislador acoplado a una foto-SCR Q1 directa, y por lo común se conecta una etapa intermedia antes
del transistor.
tipo de aislamiento requiere una fuente de potencia aparte Vcc e
incrementa el costo y peso del circuito de disparo.

En la Ilustración 26 se muestra un arreglo de aislamiento simple

con transformadores de pulsos. Cuando se aplica un pulso de
voltaje adecuado a la base del transistor de conmutación Q1, el
transistor se satura y el voltaje Vcc de cd aparece a través del
primario del transformador, e induce un voltaje pulsante en el
secundario del transformador, el cual se aplica entre la compuerta
del tiristor y las terminales del cátodo. Cuando se retira el pulso de
la base del transistor Q1, el transistor se apaga y se induce un voltaje
de polaridad opuesta a través del primario y el diodo de conducción
libre Dm conduce. La corriente causada por la energía magnética
del transformador decae a través de Dm a cero. Durante este
decaimiento transitorio, en el secundario se induce un voltaje
inverso correspondiente. El ancho el pulso se puede incrementar
conectando un capacitor C en paralelo con el resistor R, como se
muestra en la Ilustración 26. El transformador conduce corriente
unidireccional el núcleo magnético se puede saturar, con lo que el
ancho del pulso se limita. Este tipo de aislamiento de pulsos es
adecuado para pulsos de 50 a 100 μs.

Ilustración 26 Aislamiento con transformador de pulsos

En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el

periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia
de carga (PF), por lo que el comienzo del periodo de conducción
del tiristor no está bien definido. En esta situación, a veces es
necesario disparar continuamente los tiristores, lo que hace que
aumenten las pérdidas del tiristor. Es preferible un tren de

pulsos que se puede obtener con un devanado auxiliar como se

muestra en la Ilustración 26. Cuando el transistor Q1 se enciende
14
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia