Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 90 vistas

    Componente Practico-Grupo 31

    Cargado por

    german.toro3885
    Este documento presenta 3 resúmenes de prácticas de electrónica de potencia realizadas para la universidad. La primera práctica caracteriza un SCR mediante simulaciones y mide parámetros como la corriente de disparo y el voltaje de cebado. La segunda caracteriza un MOSFET midiendo su curva de transferencia con varios voltajes de drenaje. La tercera usa un SCR con una fuente de CA para encender y apagar una bombilla.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Componente Practico-Grupo 31

    Cargado por

    german.toro3885
    90 vistas23 páginas
    Este documento presenta 3 resúmenes de prácticas de electrónica de potencia realizadas para la universidad. La primera práctica caracteriza un SCR mediante simulaciones y mide parámetros como la corriente de disparo y el voltaje de cebado. La segunda caracteriza un MOSFET midiendo su curva de transferencia con varios voltajes de drenaje. La tercera usa un SCR con una fuente de CA para encender y apagar una bombilla.

    Descripción original:

    Componente Practico-Grupo 31

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Este documento presenta 3 resúmenes de prácticas de electrónica de potencia realizadas para la universidad. La primera práctica caracteriza un SCR mediante simulaciones y mide parámetros como la corriente de disparo y el voltaje de cebado. La segunda caracteriza un MOSFET midiendo su curva de transferencia con varios voltajes de drenaje. La tercera usa un SCR con una fuente de CA para encender y apagar una bombilla.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    90 vistas23 páginas

    Componente Practico-Grupo 31

    Cargado por

    german.toro3885
    Este documento presenta 3 resúmenes de prácticas de electrónica de potencia realizadas para la universidad. La primera práctica caracteriza un SCR mediante simulaciones y mide parámetros como la corriente de disparo y el voltaje de cebado. La segunda caracteriza un MOSFET midiendo su curva de transferencia con varios voltajes de drenaje. La tercera usa un SCR con una fuente de CA para encender y apagar una bombilla.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    Está en la página 1de 23

    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

    UNAD

    COMPONENTE PRÁCTICO

    ELECTRONICA DE POTENCIA
    GRUPO: 31

    PRESENTADO AL TUTOR
    STEVEN BEDOYA

    PRESENTADO POR:
    GERMÁN TORO SÁNCHEZ
    CODIGO: 94315491

    Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

    Ingeniería Electrónica

    CEAD Palmira

    Mayo 15 2022
    Introducción.

    En este documento se presenta el desarrollo del componente práctico que


    comprende los circuitos que evidencian las características de los semiconductores de
    potencia, que comúnmente se usan para el control de circuitos de potencia, es así como
    algunos dispositivos electrónicos se pueden controlar con muy bajas corrientes, pero
    estos a su vez manejan cargas con corrientes mucho más alta como los transistores de
    compuerta aislada y un PWM para un motor DC.

    Por lo tanto, se muestran uno a uno las diferentes topologías y su respectiva


    evidencia gráfica desarrollando los registros de datos obtenidos en las simulaciones,
    cálculos teóricos y comprobaciones en el laboratorio o registro experimental.
    Practica No.1 Características del SCR

    Figura 1. Circuito esquemático práctica 1.

    Parámetros característicos:

     VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)


     VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
     IF: Máxima corriente directa permitida.
     PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
     VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
    cebado.
     IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR.
    Procedimiento
    1. Realice el montaje del circuito de la figura 1, anexando los voltímetros y
    amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el
    análisis del circuito.
    Figura 2. Circuito SCR en simulación con Proteus

    2. Ajuste el voltaje de la fuente “V2” de modo tal que el voltaje VAK del
    SCR sea aproximadamente 15 voltios.

    Figura 3. Circuito esquemático simulación SCR Off y VAK=15 V

    3. Con el potenciómetro “RV1” de 2K, vaya aumentando lentamente la


    corriente que ingresa por el pin de disparo del SCR (IG), justo hasta que el SCR
    conduzca. Responda a las siguientes preguntas:
    Con RV3 en 5k ohm y con RV1 en 5K ohm el voltaje entre el ánodo y el cátodo
    del SCR es igual a 15V

    Cuando llegamos a 1050 ohm en RV1, el paso de corriente es de 12.5mA y el


    voltaje entre el ánodo y el cátodo del SCR cae abruptamente a 0.59V

    Figura 4. Circuito esquemático simulación SCR=0.59V y VAK=15 V

     ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo conducir al SCR?


    Simulación: 12.5mA

     ¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?


    Pasa a 0.59V rápidamente, porque al llegar a la corriente de activación del gate
    del SCR, permite el paso de la corriente

     ¿Cuál era el voltaje VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del SCR y
    justo después del cierre del SCR?
     ¿Antes del cierre?
    VAK= 15V

    IAK= 0mA

     ¿Después del cierre?


    VAK= 0.59V

    IAK= 2.83mA
    4. Siga aumentando la corriente IG (la que ingresa por el pin de disparo) y
    vaya observando lo que ocurre con el voltaje VAK y la corriente IAK, responda
    la pregunta: ¿hay o no hay cambios? Explique esta situación, desde lo que sabe
    del comportamiento de los diodos.
    Se aumento al límite del potenciómetro 50 ohm, la corriente de marco 2.82mA y
    voltaje de 0.61V, hay cambios en la simulación, pero muy mínimos, por tanto se
    entiende que si se sigue aumentando la corriente de IG el SCR dará una salida de voltaje
    completa entre el ánodo y el cátodo, por tanto se esperaría encontrar como
    comportamiento en un led, que si se configura de manera correcta los valores de
    resistencias del circuito, el led encendería al aumentar la corriente de IG, y si se sigue
    aumentando, el led encendería con toda su luminosidad.

    5. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca


    lentamente la corriente de disparo, observando en cada momento tanto el voltaje
    VAK como la corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el SCR (es
    decir pasar a estado OFF), si la corriente de excitación de la puerta se volvió a
    reducir?
    Ahora realice una reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del lado
    izquierdo) de forma tal que el SCR pase a estado OFF, y explique la forma en que se
    debe proceder.

    Pasa esto debido al margen de activación de corriente del SCR lo que hace que,
    al tener una resistencia de valores bajos, los cambios de corriente son leves.

    Para que el circuito cambie de estado ON a OFF de manera rápida con el


    potenciómetro se podría hacer con un potenciómetro de más alto valor resistivo, con
    esto se lograría que los cambios de corriente sean más grandes, por tanto, llegara un
    punto en el que, al mover el potenciómetro, la corriente cambie de manera tan rápida
    que cambie de estado ON a OFF como un switch.
    Figura 5. Circuito SCR con switch de conmutación On.

    Figura 6. Circuito SCR con switch de conmutación Off.

    6. En la figura 2, se muestra un circuito de control con SCR partiendo del


    diseño de la figura 1, en este caso la fuente de voltaje V2 se ha cambiado por
    una fuente de corriente alterna de onda senoidal con 120 VRMS y 60Hz.
    Construya un circuito similar a este, según sus capacidades de diseño; coloque a
    la salida del cátodo del SCR una carga para corriente alterna (motor, bombillo,
    etc.). Instale un osciloscopio en los puntos A, B, C, u otras posiciones que
    considere importantes analizar, para que identifique el funcionamiento del SCR
    con corriente alterna. Analice los valores de frecuencia, amplitud y forma de
    onda que presenta el osciloscopio, y presente dos observaciones argumentativas
    sobre el comportamiento del circuito (cada una de al menos cinco renglones),
    puede guiarse con las preguntas que se le suministraron en los numerales
    anteriores.
    Figura 7. Circuito de control con SCR.
    En base a lo visto en el circuito SCR con fuente de voltaje directo, en este caso
    cambiando la fuente V2 por una de voltaje alterno de 120V y 60Hz, se realizó la
    siguiente configuración de las resistencias para lograr que la resistencia RV2 pudiera
    activar de manera rápida el paso de corriente del ánodo cátodo hacia el bombillo, y
    también se configuro RV4 de manera tal que en el bombillo cayeran los 12Vrms
    necesarios para que enciendas sin problemas.

    Figura 8. Esquema del circuito con alimentación a 120 VAC


    Se puede observar como con el potenciómetro en 2% que sería equivalente a
    100000∗0.02=2000 Ω el circuito no conduce corriente hacia el bombillo.

    Figura 9. Esquema de la simulación del circuito con alimentación a 120 VAC.

    Cuando se hace el cambio de RV2 a 1% que equivale a 100000∗0.01=1000 Ω


    se puede notar como se activa el paso de corriente del ánodo cátodo y el estado del
    bombillo pasa rápidamente de 0V a 12V, por tanto, enciende sin problemas.

    Como conclusión se tiene que el circuito SCR con una fuente de voltaje alterno
    actúa como un switch electrónico según la corriente que sea ingresada en IG o
    compuerta del SCR.
    Práctica No.2: Características del MOSFET

    Figura 1. El MOSFET.
    Figura 2.

    Figura 3. Curva característica del MOSFET

    Procedimiento:

    Características de transferencia
    1. Realice el montaje del circuito de la figura 3, anexando los voltímetros y
    amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el
    análisis del circuito.
    Figura 4. Montaje del circuito “Características del MOSFET”

    2. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V4 de forma tal que el voltaje del


    MOSFET sea VDS1 = 10 V, y teniendo el potenciómetro RV2 aproximadamente
    al 50% de su escala.

    3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V3 de forma que VGS inicie en


    cero voltios. Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3 (que hará las
    veces de ajuste grueso), vaya observando como disminuye el valor de VDS y
    aumenta el valor de IDS en la medida que se va aumentando el valor de
    alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios. Al acercarse al valor de
    voltaje VGS en el cual conmuta el Mosfet, puede hacer uso del potenciómetro
    RV5 (ajuste fino), para que logre identificar de mejor forma las condiciones
    eléctricas al momento del cierre.
    4. Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores, de VDS
     VDS2 = 12V
     VDS1 = 15V
    Diligencie las siguientes tablas con los datos tomados en su análisis:

    TABLA 1

    VDS inicial = 10 V VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15 V


    VGS IDS(mA) VDS(V) IDS(mA) VDS(V) IDS(mA) VDS(V)

    0 0 10V 0 11,98V 0 15V

    1 0 10V 0 11,98V 0,001mA 14,98V

    2 4,498mA 14,1mV 4,797mA 13,5mV 5,860mA 16,2mV

    3 4,507mA 0,1mV 4,815mA 0,1mV 5,883mA 0,2mV


    V th (mbral)
    4 4,51mA 0,1mV 4,817mA 0,1mV 5,884mA 0,1mV

    5 4,512mA 0,1mV 4,818mA 0,1mV 5,885mA 0,1mV

    Características de transferencia

    Tabla 1. Comportamiento VGS versus IDS en el MOSFET

    En todos los tres casos, seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de
    forma tal que pueda ir observando los cambios en IDS.

    A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima


    tensión de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.

    Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico


    del voltaje VGS (llamado VGS(th) voltaje umbral) ¿qué asegura un correcto
    funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?
    Figura xxx. Especificaciones técnicas fabricante IRFZ44N

    De acuerdo con las especificaciones del fabricante el Mosfet IRFZ44N requiere


    VGS=4V para garantizar su cierre; este valor coincide con el valor encontrado en la
    simulación.

    Características de drenaje:

    5. Ajustar el divisor de voltaje de V4 de forma tal que se tenga un VDS = 10


    V. Luego incrementar el VGS desde cero variando el divisor de voltaje de V3 hasta
    encontrar el valor de corte a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral). Registre
    este valor como VTH = ________

    6. Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero el
    voltaje VDS y en cada paso registre el valor de la corriente IDS, hasta encontrar
    que la IDS se mantiene constante, diligenciando estos valores en la tabla dada.
    7. Repetir el paso anterior (6) en variaciones de (VGS2 = VTH +0.5 V),
    (VGS3 = VTH +1 V), (VGS4 = VTH +1,5 V)

    Diligenciar la siguiente tabla

    TABLA 2

    VGS1 = 3 VGS2 = 3,5 VGS3 = 4 VGS4 =4,5


    VDS IDS VDS IDS VDS IDS VDS IDS
    (m V) (m A) (m V) (m A) (m V) (m A) (m V) (m A)

    0,1mV 4,071mA 0,1mV 4,113mA 0,1mV 4,105mA 0,1mV 4,088mA

    0,1mV 4,340mA 0,1mV 4,294mA 0,1mV 4,371mA 0,2mV 4,404mA

    0,1mV 4,520mA 0,2mV 4,494mA 0,1mV 4,541mA 0,2mV 4,613mA

    0,1mV 4,705mA 0,2mV 4,728mA 0,2mV 4,741mA 0,2mV 4,781mA

    0,1mV 4,99mA 0,2mV 5,151mA 0,2mV 5,013mA 0,2mV 5,075mA

    0,2mV 5,207mA 0,2mV 5,339mA 0,2mV 5,201mA 0,2mV 5,149mA

    0,2mV 5,45mA 0,2mV 5,60mA 0,2mV 5,473mA 0,2mV 5,442mA

    Características de drenaje

    Tabla 2. Comportamiento voltaje VDS VERSUS IDS en el MOSFET

    Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de


    elevadas

    potencias?
    1. Practica 3 Control de velocidad de un motor Dc por PWM

    Figura 5. Control de velocidad PWM

    El circuito de la figura 5, presenta un sistema de modulación PWM para


    controlar la velocidad de giro de un motor DC. La modulación se logra a partir del 555
    configurado como oscilador astable, a partir de las siguientes ecuaciones dadas por el
    fabricante:

    t ON =ln(2)∗( R 1+ R 2)∗C 2

    t OFF=ln ( 2 )∗( R 2 )∗C 2

    T =(t ON +t OFF )=ln (2)∗(R 1+2 R 2)∗C 2

    1 1/ln (2)
    f= =
    T (R 1+2 R 2)∗C 2

    Otros aspectos especificados en el datasheet señalan que:

    Vcc = 5 – 16 V
    Potencia de disipación máxima = 600 mV
    R1 ≥ 1KΩ
    R1+R2 ≤ 6.6 MΩ
    C2 ≥ 500Pf
    Figura 6. Duty Cicle de una señal PWM

    Procedimiento:

    1. Describa en un párrafo y apoyándose en gráficas en qué consiste la


    modulación PWM.

    La modulación PWM o modulación por ancho de pulso consiste en regular la


    potencia y energía que se entrega a una carga y consiste en modificar el ciclo de trabajo
    de una señal periódica (señal senoidal, cuadrada, etc).

    Figura 7. Control PWM.


    En la figura 7 se muestra como a través del ancho del pulso se puede controlar el
    brillo o intensidad de una lámpara, la energía que se transfiere a la carga está dada
    durante el tiempo que la señal de alimentación está en “alto”.

    2. Varíe el valor de potenciómetro RV2, a fin de que observe en la salida


    (pin 3) del 555, el ciclo de trabajo de la señal de control PWM. Identifique el Duty
    cicle Máximo y mínimo del sistema de control del circuito dado, y verifique estos
    valores con las ecuaciones dadas por el fabricante.

    3. Haga los cálculos correspondientes y de ser necesario modifique el


    circuito dado inicialmente, de forma que, logre un control entre el 20% y el 80%
    del Ducty cicle. Especifique cuáles serían los valores seleccionados para R1, R2,
    C2, de forma que se cumpla lo solicitado, y este efecto se vea en el control de la
    velocidad del motor.

    Ducty cicle 0%
    Ducty cicle 20%

    Ducty cicle 80%


    Ducty cicle 50%

    Ducty cicle 100%

    4. Revise los fundamentos teóricos de la configuración puente H, para


    realizar el control de giro de un motor. Implemente el puente H con cuatro Mosfet,
    como complemento al control de velocidad PWM dado, de forma que obtenga un
    circuito de control de velocidad y sentido de giro de un motor monofásico.

    5. Debe hacer los cálculos y la verificación que se cumplan los suministros


    de corriente y voltaje que requiere el puente H para operar de forma segura.
    A la salida del transistor Q2 se tiene un divisor de voltaje con las resistencias
    R3, R4 y R5 conectadas en serie; el voltaje de alimentación es 12 VDC y por ley de
    Ohm tenemos:

    R 3=1 k

    R 4=500

    R 5=1 k
    V 12
    I= = =0,0048 Amp
    R 2500

    VR 5=1 k∗0,0048

    VR 5=4,8VDC

    De esta manera garantizamos el correcto funcionamiento de los Mosfet.

    Conclusiones

    El uso del SCR permite realizar el control de este dispositivo con corrientes del
    orden de los mA (corrientes muy bajas) y usar el SCR como interruptor para encender o
    apagar cargas, se puede utilizar On-Off; una ventaja de estos dispositivos electrónicos
    es la velocidad de respuesta, o sea se puede realizar swichear a altas velocidades.

    De la forma como se experimentó con el SCR se pudo observar que para


    alimentación con voltaje de corriente alterna, el diodo del dispositivo realiza
    rectificación de la señal en media onda, esta particularidad puede limitar su uso en
    diversas aplicaciones.

    A diferencia del SCR el dispositivo electrónico Mosfet se controla por voltaje,


    este dispositivo permite ser swicheado colocando un voltaje mayor a su umbral en VGS
    para colocarlo en estado On y de la misma manera al reducir el voltaje VGS se puede
    abrir para apagar la carga. Los Mosfet permiten ser swicheado a mayor velocidad que
    los SCR, por esta razón se usan en circuitos que requieren de swichear a altas
    velocidades de conmutación.

    En el control de potencia de diversas cargas es necesario sobre la marcha realizar


    ajustes de potencia como medida de control, es así como el PWM o modulación por
    ancho de pulso llega a suplir esta necesidad. Con el manejo de el ancho de pulso arriba
    (+VCC) en el tiempo se puede controlar la potencia entregada a la carga y con otro
    tiempo con la señal en bajo o 0V se puede limitar la potencia entregada.

    El conjunto de señal PWM y el uso del Mosfet permiten implementar el control


    de potencia, de esta manera se controla la velocidad de un motor o muchas otras
    aplicaciones. Incluso el uso del puente H que es la disposición de 4 Mosfet permite
    realizar inversión de la alimentación a la carga que en muchas aplicaciones industriales
    es de mucha utilidad.

    Bibliografía.

     Díaz Rodríguez, J. (2012). Sistema híbrido de energía utilizando energía solar y


    red eléctrica: Hybrid power system using solar energy and power line supply.
    Lámpsakos, . 7, 69–77. Recuperado de:
    https://bibliotecavirtual.unad.edu.co/login?url=http://search.ebscohost.com/
    login.aspx?
    direct=true&db=edsdnp&AN=edsdnp.4490202ART&lang=es&site=eds-
    live&scope=site
     Ambhore, D., Borghate, V. B., Maddugari, S. K., Soni, N., & Sabyasachi, S.
    (2018). Hybrid SPWM Techniques for Five Level Cascaded H-Bridge Inverter.
    2018 8th IEEE India International Conferencia on Power Electronics (IICPE),
    Power Electronics (IICPE), 2018 8th IEEE India International Conference On,
    1–5. Recuperado de:
    https://bibliotecavirtual.unad.edu.co/login?url=http://search.ebscohost.com/
    login.aspx?direct=true&db=edseee&AN=edseee.8709579&lang=es&site=eds-
    live&scope=site

     Muñoz, J. (2012). Introducción a los Sistemas Digitales: Un enfoque usando


    Lenguajes de Descripción de Hardware. (Capítulos 1, pp. 19-66). Madrid.
    Recuperado de: https://openlibra.com/es/book/introduccion-a-los-sistemas-
    digitales 

     Palmer, James E., and David E. Perlman (1995). Introducción a los sistemas
    digitales, McGraw-Hill Interamericana. (Capítulos 2 y 3, pp. 1-69). ProQuest
    Ebook Central, Recuperado de: 
    https://ebookcentral-proquest-com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/
    lib/unadsp/reader.action?docID=3192137&ppg=1

    También podría gustarte

    pFad - Phonifier reborn

    Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.

    Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.


    Alternative Proxies:

    Alternative Proxy

    pFad Proxy

    pFad v3 Proxy

    pFad v4 Proxy