Unidad 1

Descargar como docx, pdf o txt
Descargar como docx, pdf o txt
Está en la página 1de 32

1.

1 Antecedentes de la electrónica de potencia


¿QUÉ ES LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA?

La electrónica de potencia se puede definir como una parte de la electrónica que


se dedica a estudiar todos aquellos sistemas y circuitos electrónicos con el
objetivo de controlar, convertir y procesar la energía eléctrica.
“Power Electronics Circuits, Device and Applications” dice que

La electrónica de potencia es la aplicación de la electrónica de estado sólido para


el control y conversión de la potencia eléctrica.
Hablando específicamente de esta definición, podemos deducir que la parte de
control se encarga de las características de todo sistema en lazo cerrado.
La potencia se ocupa de todos aquellos sistemas que tengan como objetivo la
generación o distribución de la potencia eléctrica. Al final, la parte de la electrónica
hace referencia a todos aquellos circuitos o dispositivos de estado sólido que
trabajan con señales para obtener un control necesario.
De esta forma, la electrónica de potencia otorga la posibilidad de convertir y
adaptar la energía eléctrica para diversos fines, como la alimentación controlada
de otros sistemas de potencia, controlar la velocidad de maquinas eléctricas, o
simplemente para convertir la energía eléctrica de corriente alterna a continua o al
revés.

¿Electrónica de potencia y la electrónica clásica?


A diferencia de la electrónica de señal, donde su principal característica es la
ganancia y su función base es la amplificación, la electrónica de potencia posee
como concepto principal el rendimiento y su función base suele ser la conversión.

Los dispositivos semiconductores de potencia deben de trabajar como


interruptores de energía (encendido/apagado), y dicha labor debe estar bajo el
régimen de la conmutación. De esta forma, los componentes de la electrónica de
potencia deben cumplir con las siguientes características:

 Soporte de grandes cantidades de voltaje y de corriente cuando se está en


estado de bloqueo, con caídas de voltaje en sus extremos.
 Poseer dos estados principales: de alta impedancia (bloqueo) y de alta
impedancia (conducción).
 Versatilidad al pasar de un estado de impedancia a otro.
 Facilidad para pasar de estado a estado.
 Otra de las diferencias más importantes que existe entre la electrónica de
potencia y la electrónica clásica, es que en la electrónica de potencia la
mayoría de las veces se trabajan con sistemas y circuitos que ocupan una
cantidad de energía mucho más grande, mientras que en la electrónica
clásica algunas aplicaciones no pasan de trabajar con 5 volts, por ejemplo.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA


No todo es miel sobre hojuelas, la electrónica de potencia tiene ciertas ventajas y
desventajas, a continuación te desgloso ambas:
VENTAJAS
 Poca necesidad de mantenimiento: la mayoría de los sistemas de
electrónica de potencia (en especial los transformadores) no requieren
mucho mantenimiento; esto es debido a su simplicidad, ya que el diseño de
estos equipos no tienen partes mecánicas en movimiento.
 Alta eficiencia: gracias a que en la electrónica de potencia se utilizan
componentes semiconductores de potencia, los sistemas poseen poca
perdida de energía.
 Respuesta rápida: a diferencia de los equipos mecánicos y
electromecánicos, los sistemas pertenecientes a la electrónica de potencia
tienen una respuesta dinámica eficiente y rápida.
 Bajo costo: esta ventaja se debe a que los sistemas de electrónica de
potencia son de tamaño reducido y de menor peso; en consecuencia, estos
equipos tienen un menor costo de fabricación y de instalación.

DESVENTAJAS

 Armónicos: los sistemas de electrónica de potencia tienden a crear


armónicos, tanto en la parte del circuito de carga, como en la parte de la
conexión de la fuente de alimentación. Estos armónicos se crean en la
tensión y en la corriente del dispositivo. Este fenómeno sucede con más
frecuencia en los convertidores.
 Regeneración: en los convertidores electrónicos de potencia, es complejo
que se presente una eficiente regeneración de energía.
 Factor de potencia: volviendo a los convertidores, los que convierten de
corriente alterna (C.A) a corriente continua (C.C) o viceversa, funcionan con
un factor de potencia de entrada muy bajo, siendo necesaria la instalación
de equipos de compensación de potencia reactiva.
 Capacidad de carga: los controladores electrónicos de potencia tienden a
poseer una baja capacidad de carga.

Historia breve de electrónica de potencia


La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Posteriormente aparecieron, gradualmente, el
rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla
controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la
energía hasta la década de 1950
En 1948 se inicia la primera revolución electrónica con la invención del transistor
de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y
Schockley. Otros de los grandes inventos fue la del transistor de disparo pnpn, que
se definio como tiristor o recticador controlado de silicio (SCR por sus siglas en
inglés). La segunda revolución electrónica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor
comercial por General Electric Company.
Ese fue el principio de la nueva era de la electrónica de potencia, hasta la
fecha se han introducido diversos dispositivos semiconductores de potencia y
ténicas de conversión. La revolución de la electrónica de potencia nos está dando
la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía con una
eficiencia cada vez mayor.

1.1.1 Terminología y principios de operación de la familia de


tiristores(SCR,TRIAC,UJT,PUT,ETC)

SCR
SIMBOLOGIA
Y CURVA CARACTERISTICA
Un tiristor SCR es un dispositivo compuesto por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de
la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.

Contiene tres conexiones llamados ánodo, cátodo y gate (puerta). Este


último es el encargado de inspeccionar el paso de corriente entre el ánodo
y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado,
consintiendo circular la corriente en un solo sentido.

Al no aplicarse ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la


conducción y en el momento en que se utiliza la tensión, el tiristor comienza
a conducir.

Principio de funcionamiento de un tiristor SCR


SCR es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. Su principio de
funcionamiento es como un diodo rectificador controlado, que permite
circular la corriente en un solo sentido.

Cuando funciona con corriente alterna el SCR se des-excita en cada


alternancia o semi-ciclo y con corriente continua, se necesita un circuito de
bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

TRIAC

SIMBOLOGIA

El Triac de las siglas del inglés TRIodo Alternating Current. Se define como
un interruptor de CA de 3 terminales que es diferente de los otros
rectificadores controlados por silicio en el sentido de que puede conducir en
ambas direcciones Si la señal de puerta(Gate) aplicada es positiva(+) o
negativa(-), permite el flujo de corriente.

Este componente de 3 terminales y 4 capas que controla la energía de


CA(corriente alterna). Se utilizan para conmutar y controlar la alimentación
de CC(corriente continua).

Curva característica

Principios de funcionamiento
Transistor UJT

El transistor UJT es un elemento compuesto por dos bases B1,B2 entre las
que va situada una resistencia de silicio tipo N esta resistencia se denomina
interbase RBB que su valor esta comprendido entre 4,7 a 9,1,en un punto
determinado de esta resistencia va colocado un diodo pn cuyo anodo hace
de emisor
La resistencia Rbb puede obtenerse mediante una barra o cubo de silicio la
unión de emisor se realiza entoncer por aleación con un hilo de aluminio
esta tecnología confiere unas caracterisitcas de corriente inversa al diodo
emisor base y una gran dispension de la tensión de pico
Funcionamiento de UJT
Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 (B1), VEB1 es menor que un
cierto valor denominado voltaje pico Vp, el UJT en ese instante está
apagado y es imposible que en este fluya una corriente de E a B1 por lo
que la corriente en el emisor es cero.
Cuando VEB1 excede a Vp, en una pequeñísima cantidad, el UJT se
dispara o se enciende. Cuando esto sucede, el circuito de E a B1 se
convierte en prácticamente un circuito cerrado y la corriente empieza a
surgir de una terminal hacia la otra.
En virtualmente todos los circuitos UJT, esa ráfaga de corriente del emisor
(E ) a (B1) es fugaz y el UJT inmediatamente se revierte de regreso a la
condición de apagado.
Para que el UJT entre en funcionamiento, se le aplica un voltaje de
corriente directa externo entre B2 y B1, siendo B2 la terminal más positiva.
El voltaje entre las dos terminales de base se simboliza mediante VB2B1
más 0.6V. este porcentaje fijo se denomina.
.

Curva característica UJT

PUT
(Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del
transistor bipolar común (que tiene 3 capas: NPN o PNP), tiene 4 capas.

Este transistor tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres


son: cátodo K, ánodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor
permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT
son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son controlados por la
terminal G.
Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A
y K y la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de
A (ánodo) a K (cátodo) es muy pequeña.
Funcionamiento de un PUT – Transistor Uniunión Programable
Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente
entre A y K es muy pequeña) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el
Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G.

Solo hasta que la tensión en A alcance el valor Vp, este transistor entrará
en conducción (encendido) y se mantendrá en este estado hasta que IA
corriente que atraviesa el transistor) sea reducido de valor. Esto se logra
reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K.

Curva caracteristica “PUT”

Mientras la tensión Vak no alcance el valor Vp, el PUT estará abierto, por lo
cual los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel
Vp, el dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y
por lo tanto un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su
estado de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo
suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento
1.1.2 clasificación y características voltaje corriente de los tiristores
(Dispositivo símbolo caracteristicas eléctricas unidireccionales y
bidireccionales)

Clasificación de los tiristores


Hay varios tipos de tiristores para diversas aplicaciones, que incluyen:
tiristores de tipo inversor, asimétricos y de control de fase. Otras variantes
incluyen tiristores de apagado de puerta y tiristores activados por luz.

Tiristores de control de fase: este tipo de tiristor no tiene capacidades de


conmutación rápida y, en cambio, opera a la frecuencia de línea (50/60 Hz).
Como resultado, los tiristores de control de fase son apropiados para
aplicaciones de frecuencia industrial, como unidades de CC, soldadura por
resistencia y ciertas aplicaciones de transmisión de energía.

Tiristores inversores: con un tiempo de encendido y apagado rápido, los


tiristores inversores a menudo funcionan con una fuente de alimentación de
CC y se encuentran en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. El
tensión varía típicamente como una función inversa del tiempo de apagado.

Tiristores asimétricos: los tiristores asimétricos no bloquean cantidades


sustanciales de corriente inversa. Los tiristores asimétricos, comúnmente
abreviados como ASCR, funcionan bien en aplicaciones donde el tensión
inverso es relativamente bajo, entre 20 y 30 voltios (V), y donde el tensión
directo está entre 400 y 2000 V.
Tiristor de apagado de puerta (GTO): Un tiristor de apagado de puerta
(GTO) es adecuado para aplicaciones con tensión superior a 2500 V o una
corriente superior a 400 A. Es importante que todos los componentes del
GTO estén activados al mismo tiempo. Asimismo, es igualmente importante
que todos los componentes se apaguen al mismo tiempo, de lo contrario, el
tiristor corre el riesgo de sobrecargarse y dañarse posteriormente.

Tiristores activados por luz: también llamados fototiristores, los tiristores


activados por luz (LTT) están diseñados específicamente para reaccionar al
exceso de portadores que se producen ópticamente. Si se producen
suficientes portadores, se cumplen las condiciones para activar el tiristor y
el tiristor se enciende.
Control de fase
SCR(unidireccionales)

Voltajes y corrientes
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los
dispositivos de uso más común en los circuitos de control de potencia. Se
utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se
encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta
un máximo de 3,000 A.

Características eléctricas
 Su característica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en
circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.
 Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un
diodo común (ver la corriente de fuga característica que se muestra
en el gráfico).
 En la región de polarización en directo el SCR se comporta también
como un diodo común, siempre que el SCR ya haya sido activado
(On). Ver los puntos D y E.
 Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el
voltaje de ánodo a cátodo es menor (VC).
 Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (ver el punto B
y A, y el voltaje ánodo-cátodo VB y VA).
 Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje
ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que el SCR conduzca
(se ponga en On, esté activo)

Triac(Bidireccional)

Características eléctricas (voltajes y corrientes)


Diac (bidireccional)

Características eléctricas
Un Diac se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de
ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 40 vol- tios según la referencia.
sus principales características son:
- Tensión de disparo
- Corriente de disparo
- Tensión de simetría (ver grafico anterior)
- Tensión de recuperación
- Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5
a 1 watt.)
Tiristor GTO(unidireccional)

Características eléctricas
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de
fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta
que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado.
Es adecuado para aplicaciones con tensión superior a 2500 V o una corriente
superior a 400 A.
1.2 CIRCUITO DE DISPARO
El circuito de disparo o "Trigger" se encargará de indicar el comienzo de la parte
útil de la señal de entrada, básicamente cuando la señal pase a ser bien mayor o
bien menor que un nivel de referencia que será fijado por la salida de un conversor
D/A.

Tendrá un circuito comparador muy rápido del estilo del LM319 tomando por un
lado una muestra de la señal de la salida del amplificador de vertical y por otro una
tensión de referencia de la salida de un DAC que indicará el punto de disparo.

La salida del comparador se acondicionará a los niveles TTL y se utilizará bien


en su flanco positivo o bien el negativo como señal de inicio de muestreo, bueno
más bien, se considerará inicio de la cuenta atrás para finalizar el muestreo pues
se pretende que podamos tener una muestra del "PRE-TRIGGER" para ello se
realizará muestreo desde antes de que ocurra una situación de disparo,
terminando el muestreo aproximadamente a 3/4 de capacidad de la memoria
RAM, con lo que tendremos una muestra de antes del disparo de 1/4 de RAM. Es
decir, tendremos 1/4 de pre-trigger, 1/2 de muestra principal y 1/4 de post-
muestra.
Referencias: PNP 2N2907(60v-600mA-200Mhz) como comparador para circuito
de trigger o bien LM319 con un tiempo de respuesta de 80 nseg
Diseño del circuito disparo:

1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima


el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante
el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuación 9-1).

2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensión base-emisor con


el BJT en estado de conducción, se determina I1 de la ecuación 9-2.

3. Se calcula R1 de la ecuación 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt.


Un valor pequeño de VBB disminuye las pérdidas (del orden de VBB.I1)
en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeño de VBB
aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuación 9-3).
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de Potencia

 En el circuito a): τon=(R1+R2)CGS y τoff= R2CGS ;


 Problemas: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor
pequeño.
 Aparece una disipación de potencia importante durante toff debido al pequeño valor de
R1: Poff≈(toff/T)(VBB2/R1).
 En el circuito b): τon= τoff= RGCGS.
 No se presenta el problema de disipación, al conducir sólo uno de los dos transistores a la
vez.
 Puede hacerse RG muy pequeña (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de
puerta podrá hacerse mucho más rápido y por tanto la conmutación del dispositivo (MOS
o IGBT).
 Existen en el mercado numerosos CI con salida análoga a esta última, por ejemplo DS0026
ó UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.

1.2.1Circuitos de disparo sin aislamiento


El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de
potencia, y consiste en las salidas de un convertidor que depende de la forma de
onda en que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de
conmutación, las características del circuito de disparo son elementos clave para
obtener la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de
potencia.
El diseño de un circuito excitador requiere conocer las características
de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores
apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unión (BJT),
transistores de efecto decampo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
 EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequeña, del
orden de los nano amperes.
El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la
capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir
conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con mayor rapidez
la capacitancia de compuerta.

Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la


capacitancia es IG = VG / RS y el valor de estado permanente de voltaje de
compuerta es VGS = RGVG / (RS + R1 + RG)
donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta.

 EXCITADOR DE BASE PARA BJT

La velocidad de conmutación se puede aumentar reduciendo el tiempo


de activación y el tiempo apagado.
Se puede reducir el tiempo de encendido permitiendo un pico de la corriente de
base durante la activación, dando como resultado una B forzada baja al principio.
Después de la activación puede aumentar la B forzada baja hasta un
valor suficientemente alto como para mantener el transistor en la región
de casi saturación.
El tiempo de desactivación se puede reducir invirtiendo la corriente de base y
permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación. Al aumentar el
valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el
tiempo de almacenamiento.
Las técnicas de uso común para optimizar la activación de la base de un transistor
son:

 Control de encendido

La corrección de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la


figura. Cuando se
conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el resistor R1 y el
valor inicial de esa corriente es:
IB= (VI - VBE)/R1
Y el valor final de la corriente de base es:
IBS= (VI - VBE)/R1 + R2

 Control de apagado

Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a –V2 durante el apagado, el VC se


suma a V2 como
el voltaje inverso a través del transistor. Por lo tanto, habrá un pico de la corriente
de base durante
el apagado.

 Control proporcional en base

Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga, la


corriente de
encendido de la base cambia en proporción a la corriente del colector.

 Control por anti saturación


Si el transistor se excita muy rápido, el tiempo de almacenamiento que es
proporcional a la
corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de conmutación. Se puede
reducir el tiempo
de almacenamiento operando el transistor con una saturación gradual, en lugar de
muy rápida.
Esto se puede hacer sujetador el voltaje de colector a emisor a un valor
predeterminado, la
corriente del colector es:
IC = (VCC -VCM)/RC
Donde VCM es el voltaje sujetador y VCM> VCD(Sat)

1.2.2. Circuitos de disparo con aislamiento

Necesidad de aislamiento de la Señal Lógica de Control:


 Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de protección del personal que
maneja los equipos de control.

 Diferentes niveles de tensión dentro del convertidor y por tanto diferentes


referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers.

 Se necesitan diferentes fuentes de alimentación auxiliares para los diferentes


niveles de tensión. Existen diferentes métodos que se estudiarán en los próximos
apartados

 El aislamiento galvánico se consigue empleando optoacopladores


transformadores de pulsos.

Acoplados Óptimamente

El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento eléctrico entre el circuito


de control y el de potencia.

 Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos


espúreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad
parásita entre el LED y el fototransistor.

 Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo
y del fototransistor que no debe superar la tensión de ruptura.
 Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras ópticas,
(inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensión y evitan el efecto inductancia
de los cables largos).

 No permiten transportar potencia, sólo señal, por lo que será necesario una
fuente de alimentación auxiliar y un amplificador.

 Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de


Control

 Este circuito es útil para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas
(Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta).

 Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con


impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y +/- 15v

Algunas características:
• El opto acoplador permite conseguir un buen aislamiento eléctrico entre el
circuito de control y
el de potencia.
• Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos
falsos
en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parasita
entre el LED y el fototransistor.
• No permiten transportar potencia, solo señal, por lo que será necesario una
fuente de
alimentación auxiliar y un amplificador.

Acoplados magnéticamente
En electrónica se denomina acoplamiento magnético al fenómeno físico por el cual
el paso de una corriente eléctrica variable en el tiempo por una bobina produce
una diferencia de potencial entre los extremos de las demás bobinas del circuito.
Este fenómeno se explica combinando las leyes de Ampere y de Faraday. Por la
primera, sabemos que toda corriente eléctrica variable en el tiempo crea un campo
magnético proporcional, también variable en el tiempo. La segunda nos indica que
todo flujo magnético variable en el tiempo que atraviesa una superficie cerrada por
un circuito induce una diferencia de potencial en este circuito. Un equipo ó
dispositivo eléctrico diseñado en base al concepto de acoplamiento magnético es
el transformador, que consiste constructivamente de dos bobinas o arrollamientos
(circuitos) acopladas magnéticamente, con el objetivo operativo de transferir
energía de un arrollamiento (circuito) a otro. Los transformadores son equipos
importantes de un sistema eléctrico ó electrónico que tienen la función de
aumentar y/o disminuir tensiones y corrientes de la corriente alterna.
Señal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso

 El transformador de pulsos permite transportar una señal de cierta potencia, y a


veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentación auxiliar

 El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la


inductancia de magnetización

 Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D˜0.5 pueden


conectarse directamente, conectándose bien a la puerta de transistores de
potencia, o en circuitos análogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores

La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
rectificadores serán de alta frecuencia, pero de señal.
1.2.3.4. Microcontroladores
Es un circuito integrado que es el componente
principal de una aplicación embebida. Es como
una pequeña computadora que incluye
sistemas para controlar elementos de
entrada/salida. También incluye a un
procesador y por supuesto memoria que puede
guardar el programa y sus variables (flash y
RAM). Funciona como una mini PC. Su función
es la de automatizar procesos y procesar
información.
El microcontrolador se aplica en toda clase de inventos y productos donde se
requiere seguir un proceso automático dependiendo de las condiciones de
distintas entradas.
Elementos de un Microcontrolador
Un microcontrolador al menos tendrá:
- Microprocesador.
- Periféricos (unidades de entrada/salida)
- Memoria.

Elementos internos en un microcontrolador


Un procesador incluye al menos tres elementos, ALU, unidad de control y
registros.
ALU. También conocida como Unidad Aritmetica y Lógica. Está unidad esta
compuesta por los circuitos electrónicos digitales del tipo combinatorios
(compuertas, sumadores, multiplicadores), cuya principal función es el realizar
operaciones. Estas operaciones están divididas en tres tipos:

Lógicas. Como las operaciones básicas de las compuertas lógicas, como la


suma lógica (OR), multiplicación lógica (AND), diferencia lógica (XOR) y
negación (NOT). Una operación lógica sólo puede tener como entradas y
como salidas una respuesta lógica (0 o 1). Esto dependiendo de los niveles de
voltajes de una señal digital.

Aritméticas. Las operaciones artiméticas son la suma, resta, multiplicación y


división. Dependiendo del procesador (8, 16, 32 o 64 bits) será la rapidez con
la que se pueden hacer dichas operaciones.

Miscelaneas. En estas operaciones caen todas las demás operaciones como


la transferencia de bits (<< >>).
Unidad de control. La unidad de control es el conjunto de sistemas digitales
secuenciales (aquellos que tienen memoria) que permiten distribuir la lógica de las
señales.

Registros. Los registros son las memorias principales de los procesadores, ya


que funcionan a la misma velocidad que el procesador a diferencia de otras
memorias un tanto más lentas (como la RAM, FLASH o la CACHE). Los registros
están construidos por Flip-Flops. Los Flip-Flops son circuitos digitales
secuenciales.

Microcontrolador y sus memorias


La memoria de los microcontroladores puede dividirse en cuatro tipos distintos:
para el programa, generalmente es una memoria interna del tipo FLASH. También
para las variables de los programas se llama RAM. Los registros de propósito
general que utiliza el procesador para guardar los resultados de las operaciones
así como los datos que se traen y llevan a la RAM y finalmente la memoria externa
que se utiliza para guardar mediciones y/o datos de calibración.

Memoria de programa – FLASH


La memoria de programa es la que se utiliza cuando estamos programando a
nuestra aplicación. Cada instrucción del lenguaje ensamblador o de lenguaje C o
de un lenguaje de alto nivel, es convertida a instrucciones maquina que requieren
de un tamaño particular de bits para ser guardadas. Estos bits o instrucciones se
guardan en la FLASH.

Si tenemos poca FLASH, entonces sólo podremos hacer programas pequeños.

Memoria de datos – RAM


La memoria de datos se utiliza cada vez que agregamos una variable nuestro
programa. Como la variable seguramente se utilizara como entrada para un
proceso o calculo, está requiere de estar disponible a una velocidad relativamente
rápida. Esté tipo de información se guarda en la RAM – Random Access Memory
ó Memoria de Acceso Aleatorio por sus siglas en ingles.

Si tenemos poca RAM, nuestra aplicación no podrá tener muchas variables.

Microcontrolador y sus Registros

Los registros son las memorias digitales más rápidas. Se construyen con Flip-
Flops y generalmente funcionan a una velocidad cercana a la del procesador. En
algunos procesadores, también incluyen un tipo de memoria llamada CACHE.
Está no puede guardar operaciones y sólo es un puente entre el procesador y la
memoria principal. Por ejemplo, se puede ver la estructura del registro 74LS377 el
cual puede funcionar como un registro (memoria).
Aplicaciones de los microcontroladores
Los microcontroladores tienen un muchas aplicaciones en los sistemas digitales.
Por ejemplo para el diseño de controladores de temperatura automáticos,
maquinas dispensadoras, dispositivos biomédicos. En la industria del
entretenimiento como juguetes. Incluso en aplicaciones aeroespaciales, sistemas
de medición, sistemas de instrumentación. También por ejemplo para el desarrollo
y automatización de experimentos científicos. Incluso para automatizar procesos,
maquinas tragamonedas, hornos de microondas, lavadoras, controladores de
audio, controladores de video. Finalmente como lectores de huellas digitales,
cámaras, celulares y así sucesivamente podemos platicar un sin fin de
aplicaciones en donde los microcontroladores son útiles. Por ejemplo, Arduino es
una de las aplicaciones más usadas de un microcontrolador. Por está razón, el
aprender a usar un microcontrolador, es una materia básica en las carreras
relacionadas con la electrónica, la robótica, biomedicina, mecatronica y ciencias
computacionales.

1.2.3.5. Moduladores del ancho de pulso


La modulación por ancho de pulsos (PWM) es un método habitual para establecer
de forma eficiente una frecuencia fija en fuentes de alimentación conmutadas. Su
aplicación se extiende a todo tipo de fuentes de alimentación en sistemas de
control industriales, electrónica de potencia y sistemas de comunicación digital.
Por lo tanto, PWM es un método muy extendido especialmente en el diseño de
convertidores D/A, p. ej. amplificadores de audio de clase D, fuentes de
alimentación DC/DC e inversores, p. ej. controles de frecuencia variable (VFD) de
motores de corriente continua y accionamientos de motores trifásicos.
Especialmente las señales diferenciales en puentes o accionamientos de motores
multifásicos presentan características bipolares de doble pulso y plantean a los
ingenieros retos que deben afrontar en su trabajo diario de desarrollo y medida.
¿Cómo funciona un PWM?
Un PWM funciona como un interruptor, que constantemente se activa y desactiva,
regulando la cantidad de corriente y por ende de potencia, que se entrega al
dispositivo que se desea controlar. Éstos dispositivos pueden ser motores CC o
fuentes de luz en CC, entre otros.
Si un motor es alimentado con 12 voltios, recibe todo el tiempo la corriente que
este pide y entrega la máxima potencia, si es alimentado con 0 voltios, no recibe
corriente y no obtiene potencia.
En un sistema PWM el motor recibe corriente por un tiempo y deja de recibirlo por
otro, repitiéndose este proceso continuamente. Si se aumenta el tiempo en que el
pulso está en nivel alto (12 V en nuestro ejemplo), se entrega más potencia y si se
reduce el tiempo entrega menos potencia.
Control de motores de CC por Ancho de Pulso (PWM)
La Regulación por Ancho de Pulso de un motor de CC está basada en el hecho de
que si se recorta la CC de alimentación en forma de una onda cuadrada, la
energía que recibe el motor disminuirá de manera proporcional a la relación entre
la parte alta (habilita corriente) y baja (cero corriente) del ciclo de la onda
cuadrada. Controlando esta relación se logra variar la velocidad del motor de una
manera bastante aceptable.
El circuito que se ve a continuación es un ejemplo de un control de Regulación de
Ancho de Pulso (PWM, Pulse-Width-Modulated en inglés), que se podría adaptar
al circuito de un Puente H (Puente H: Circuito para controlar motores de corriente
continua. El nombre se refiere a la posición en que quedan los transistores en el
diagrama del circuito).

Ventajas de la modulación por ancho de pulso


La principal ventaja es la eficiencia energética. El circuito que tenga este método
de control, entrega a la carga una cantidad de potencia que es proporcional a la
potencia que necesita para realizar su trabajo.
- Si se necesita aumentar la velocidad de un motor se incrementa la potencia que
se le entrega (ciclo de trabajo mayor)
- Si se necesita disminuir la velocidad de un motor se disminuye la potencia que
se le entrega. (ciclo de trabajo menor)

También podría gustarte

pFad - Phonifier reborn

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.

Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.


Alternative Proxies:

Alternative Proxy

pFad Proxy

pFad v3 Proxy

pFad v4 Proxy