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PRATICAS EM ELETRONICA
ENGENHARIA ELÉTRICA

AMPLIFICADORES TBJ E JFET

MODELO RE DO TRANSISTOR
AMPLIFICADORES PARA PEQUENOS SINAIS
Aluno:Marcos Vinícius Santos da Silva.
Profª: Gilson Amorim
Centro Universitário Jorge Amado, Av.Luís Viana Filho, 6775, 41.745-130, Paralela,
Salvador-BA.

RESUMO
Os transistores são dispositivos eletrônicos, que possuem a capacidade de operar como chaves
eletrônicas ou como amplificadores de sinais. Este componente está presente na maioria dos
circuitos eletrônicos atuais. Como chave eletrônica, o transistor é a base da construção de
microprocessadores, chips e até conversores de potência para energia renovável e acionamento
de máquinas. Já como amplificador de sinal, os transistores constroem sensores
industriais, amplificadores de som, transmissores, etc.
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O QUE É UM TRANSISTOR?
Como mencionado, um transistor é um dispositivo eletrônico que opera de duas maneiras:
como chave ou como amplificador. Normalmente, os transistores possuem três terminais, e
dependendo da polarização desses terminais, ou seja, do nível de tensão e/ou corrente
aplicado, eles operam em uma de três regiões:

Região de corte – Onde não há corrente elétrica circulando pelo dispositivo. Nesta região, o
transistor é uma chave aberta;

Região ativa – Nesta região, que pode ter nome diferente, dependendo do tipo de transistor, o
dispositivo opera como uma fonte de corrente controlada. Com isso, podemos construir
amplificadores de sinais para diversas aplicações analógicas;

Região de Saturação – Nesta região (que também tem nome diferente, dependendo do tipo
de componente), a corrente do dispositivo é levada ao limite máximo que o circuito externo ao
transistor consegue entregar. Com isso, o dispositivo consegue conduzir uma corrente
máxima, mas apresenta uma tensão de saída baixa. Portanto, ele é uma chave fechada.

Podemos ver que, combinando as regiões de corte e saturação, temos uma chave eletrônica. Já
operando na região ativa, temos um amplificador. Contudo, a polarização dos terminais do
transistor para definir em qual região operar, depende principalmente do tipo de transistor.
Existem basicamente três tipos de transistores atualmente:

 TBJ – Transistor Bipolar de Junção;

 FET – Transistor de Efeito de Campo, que é subdividido em MOSFET, JFET,
MESFET, entre outros;

Os dois tipos de transistores tem diferenças construtivas muito grandes entre si. Assim,
enquanto o acionamento de um transistor demanda uma corrente de entrada, o outro requer
uma tensão de entrada. Enquanto um trabalha bem em alta frequência, outro trabalha bem em
alta potência. Portanto, conhecer bem os tipos de transistor é importante para selecionar o
dispositivo mais adequado para o seu projeto.

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

Apesar de a primeira patente sobre transistores ser de um transistor de efeito de campo, feita
em 1909 pelo físico Julius Edgar Lilienfield, o primeiro transistor realmente construído é o
transistor bipolar de junção, também chamado de TBJ. Ele foi desenvolvido no Bell Labs, em
1947, pelos físicos John Bardeen, Walter Brattain e William Schokley, o que lhes garantiu o
prêmio Nobel de Física em 1956.
A construção do TBJ lembra um sanduíche de cristais de silício, formando duas
configurações: NPN e PNP, onde o cristal N é rico em elétrons e o cristal P é rico em lacunas,
ou seja, faltas de elétrons que funcionam como cargas positivas. Essa junção entre materiais P
e N também é a base dos diodos, assim, o TBJ é na realidade a união de dois diodos, apesar
do seu funcionamento não ser explicado por essa comparação. A Figura a seguir ilustra as
estruturas de TBJ com os diodos de Junção, os três terminais do dispositivo (Base, Coletor e
Emissor) e a sua simbologia. Note que a principal diferença entre a simbologia do NPN e PNP
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está na direção da seta do terminal de emissor, que aponta para o sentido do diodo da junção
base-emissor (JBE).

FUNCIONAMENTO DO TBJ
O funcionamento do TBJ vai depender da polarização dos dois diodos de junção, de modo
que:

 Quando o diodo de Base-emissor é reversamente polarizado, ou seja, tem uma

tensão menor do que 0,7V, não há circulação de corrente e o TBJ está na região
de corte;
 Caso o diodo de base-emissor seja diretamente polarizado e o diodo de base-
coletor, reversamente polarizado, o transistor conduz. Haverá, contudo, uma
relação entre a corrente de base e a corrente de coletor, dada por Ic = hfe x Ib,
onde hfe é o ganho DC do dispositivo. Essa relação linear possibilita o controle
da corrente de saída do transistor (no coletor) em função da corrente de entrada
(na base), definindo a região ativa.
 Ao se aumentar a corrente de base, na região ativa, a corrente de coletor também
aumenta, mas a tensão entre o coletor e o emissor diminui, devido às perdas no
circuito externo ao TBJ. Com isso, há um ponto onde o diodo de base-coletor será
diretamente polarizado, fazendo com que a tensão VCE seja mínima e a corrente
de coletor seja máxima. Neste ponto, a corrente de base não mais influencia a
corrente de coletor, havendo a Saturação do TBJ.

O princípio de funcionamento de um TBJ, seja ele NPN ou PNP é igual. Contudo, há uma
inversão de polaridade nas tensões e correntes de um transistor para outro. A figura a seguir
mostra as polarizações e sentidos de corrente nos terminais do TBJ, tanto para dispositivos
NPN, quanto para PNP.
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TRANSISTORES JFET
Os transistores JFET (Junction FET) possuem uma construção bem diferente dos MOSFETs.
Como ilustra a figura a seguir, o JFET também pode ser do tipo Canal N e Canal P, porém,
não existe um Gate isolado como nos MOSFETs. Ao contrário, um JFET canal N, por
exemplo, possui um corpo de material tipo N com duas “ilhas” do tipo P, onde o ligamos o
terminal do Gate. Essas ilhas acabam deixando um canal entre elas, por onde os elétrons (ou
lacunas) irão circular. Note que o terminal de Drain e o de Source estão ligados no mesmo
material, sendo que, em um primeiro momento, o que limita a corrente quando existe uma
tensão VDS aplicada é a resistência de corpo do material tipo N.

FUNCIONAMENTO DO JFET
Diferentemente do MOSFET, onde a estrutura MOS funciona como um capacitor, no caso do
JFET, existe uma junção PN, ou seja, um diodo, entre Gate e Source. Como não queremos que
esse diodo conduza, a tensão VGS deve ser negativa, no JFET canal N, e positiva, no JFET
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canal P. Além disso, a tensão VDS deve ser positiva no JFET canal N e negativa no JFET
canal P, o que também evita a condução entre o corpo do dispositivo e o Gate.
Pensando num JFET canal N, quando VGS = 0, o canal entre as ilhas de Gate tem sua maior
largura. Assim, nesta condição o JFET conduz sua maior corrente. Se VGS agora ficar
negativo, o campo elétrico entre Gate e Source vai expulsar elétrons do canal, criando uma
camada de depleção e reduzindo ID. Para um determinado valor de VGS, chamado de VGS
de corte, a camada de depleção cobre todo canal e o JFET entra no modo de corte (ID=0).
Os outros dois modos de operação do JFET dependem da tensão VDS. Supondo que o JFET
tenha uma VGS fixa: quando VDS é pequena, o canal tem uma largura também fixa e o JFET
vai se comportar como uma resistência (região de triodo). Agora, quando VDS começa a
crescer, o campo elétrico entre o corpo do JFET e o Gate, no extremo mais próximo do Drain,
também cresce. Assim, a camada de depleção deixa de ser uniforme ao longo do canal e se
torna mais estreita próximo do Drain. Assim, como ocorre com o MOSFET, isso faz com que
a sensibilidade da corrente de Drain com a tensão VDS reduza. A partir de um ponto,
chamado de Tensão de Pinchoff (Vp), a corrente ID fica constante, que é a região de
Saturação do JFET.

MODELO EQUIVALENTE
O modelo DC, em geral utilizado para polarização de transistores, não consegue representar
adequadamente as pequenas variações CA. Em BJT, existem 4 parâmetros de interesse:
 – i B, i C, vBE,Vce
 vBE como função de i B e vCE
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 iC como função de i B e vCE

Considere os parâmetros IB, IC, VBE, VCE do transistor operando no ponto Q (ponto de
operação)
– iB = IB+∆iB
– vCE = VCE+∆vCE
As mudanças ∆iB e ∆vCE resultam nas mudanças CA de vBE e ic que podem ser encontradas
pela série de Taylor na região vizinha ao ponto Q, ou seja:

As derivadas parciais são calculadas no ponto Q:

– vBE (IB,VCE ) =VBE
– iC (IB,VCE ) =IC
Podemos denotar as mudanças CA em vBE e iC assim como ∆vBE e ∆iC por:
– vBE(IE+∆iB, VCE+∆iCE)=VBE+∆vBE
– iC(IE+∆iB, VCE+∆iCE)=iC+∆iC
Aplicando um pequeno sinal CA nós mudamos iB e vCE com pequenos valores ∆iB e ∆vCE
que faz com que o transistor responda mudando vBE e IC, ∆vBE e ∆iCE.
Respostas do transistor a sinais CA são dadas por:

As derivadas parciais são as inclinações das curvas próximas ao ponto de operação Q.

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Considerando as derivadas parciais próximas ao ponto de operação Q. Definimos então os

parâmetros:

Onde:
hie - resistor de entrada do rasistor, dado em Ohms (Ω)
hre - sem unidade
hfe - sem unidade (ganho)
hoe – condutância de saída, dado em mhos (Siemens)
A resposta do transistor para pequenos sinais CA é dado por:

 Modelo equivalente da entrada do transistor:

 Modelo equivalente da saída do transistor:

 Modelo equivalente da entrada/saída do transistor:

O modelo equivalente de pequeno sinal é matematicamente válido apenas para sinais de

pequena amplitude. Os parametros h são fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes
parâmetros podem mudar substancialmente dependo do fabricante.
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AMPLIFICADORES PARA PEQUENOS SINAIS

Para analisar o funcionamento do transistor como amplificador é conveniente substituir este
dispositivo (o transistor) por um modelo linearizado do mesmo. Este modelo linearizado é
válido apenas para um dado ponto de polarização e para sinais de entrada e saída
suficientemente pequenos para não alterarem o ponto quiescente. Antes de analisarmos os
diversos parâmetros do modelo, convém lembrar que para o modelo incremental valem
algumas regras importantes:
 o modelo incremental inclui parâmetros cujos valores são válidos para um
determinado ponto de polarização. Portanto o uso destes valores só pode ser feito se
for mantido o ponto de polarização para o qual tais valores tenham sido calculados;
 por descrever o dispositivo como sendo linear, vale o principio da superposição de
álgebra linear. Assim consideramos primeiramente, para cálculo da polarização, os
valores DC (de maior dimensão e fixos) para correntes e tensões. O modelo é então
usado para estudo das variações dos valores de tensão e corrente decorrentes da
presença de um sinal. Tais variações possuem valores AC (de menor dimensão e
variáveis), e são estudados desconsiderando-se os valores de polarização, já
previamente considerados. O resultado final é a soma de ambos, mas é conveniente
separá-los para fins de análise, pois se prestam a propósitos diferentes: o DC é para
manter um ponto de funcionamento do circuito amplificador, enquanto que o AC é
para avaliar o sinal que está sendo por ele amplificado.
 assim o ponto de polarização está implícito no modelo: o para a polarização
trabalhamos com os valores totais das tensões VBE, VCE, VCB, bem como das
correntes IB, IC e IE; o para a análise de pequenos sinais devemos portanto considerar
apenas as tensões incrementais vbe, vce , vcb , bem como as correntes incrementais ib,
ic, e ie.
 o modelo substitui o transistor para o circuito externo, ou seja para análise do circuito
no qual ele se encontra; entretanto este modelo não deve ser usado para interpretar o
fenômeno físico que realmente ocorre no interior do dispositivo.
Os modelos incrementais mais largamente utilizados são o quadripolo p-híbrido (baixas a
altas freqüências) e o quadripolo h (médias freqüências). Ambos os modelos são locais e
válidos apenas para o transistor operando na região ativa. O conceito de baixa, média e
alta freqüência ficará mais claro nas seções seguintes.
Uma vez que o modelo p-híbrido é capaz de representar o transistor em todas as faixas de
freqüências (baixas, médias e altas), procederemos à análise do circuito amplificador a
transistor utilizando-nos dele, devidamente simplificado para cada uma das faixas de
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freqüências.
Como na prática geralmente os fabricantes fornecem as características dos transistores
através de parâmetros h, no Apêndice I são apresentados o modelo baseado em parâmetros
h e sua equivalência com o p-híbrido.
O circuito equivalente p-híbrido para um transistor em configuração emissor comum.

No modelo incremental valem apenas as correntes incrementais ie, ib, ic. As correntes IE,
IB, e IC estão implícitas nos parâmetros deste modelo, tendo servido de base para o
cálculo do valor de cada um dos parâmetros deste modelo. Em relação ao modelo p-
híbrido a que estamos mais acostumados podemos ver duas modificações: a inclusão das
resistências rBB’ e rm, e o uso da denominação vb’e ao invés de vp, sendo que ambas
representam a mesma tensão (queda sobre rp). Essas inclusões modelam efeitos de
segunda ordem que normalmente não são tratados em livros-texto introdutórios. Assim,
temos:
 rBB’ resistência entre o contato externo da base e a região interna do transistor que
funciona como base; na prática constata-se que esta resistência é de cerca de 50 a
1000 W dependendo do transistor.
 rp resistência equivalente enxergada pela corrente iB entre a base efetiva e o
emissor. Assim, devemos ter:

sendo vb’e a tensão que efetivamente controlará a corrente de emissor ie.

Sabendo-se que a expressão da corrente de emissor na polarização é:

a sua expansão em série nos permite identificar o termo linear (de primeira ordem)
como sendo aquele que representa a corrente incremental de emissor:

No circuito equivalente apresenta o modelo p-híbrido completo. Entretanto, este modelo pode
ser bastante simplificado dependendo da faixa de freqüências utilizada. Assim, em freqüências
baixas e médias podemos utilizar um circuito onde o efeito dos capacitores é desprezado.
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Este modelo é válido enquanto pudermos desprezar C0, Cp e Cm, ou seja, enquanto a
impedância das capacitâncias na freqüência considerada for muito maior que a da resistência
paralela a ela:

Para freqüências muito altas, podemos também fazer algumas simplificações. Nesta situação,
há uma reversão na ordem de grandeza relativa entre a as capacitâncias e resistências, mais
fortemente para as junções base-emissor e base-coletor. As expressões acima deixam então de
ser válidas.

Podemos encontrar duas freqüências próprias do transistor: a freqüência de transição ou de

ganho unitário fT e a freqüência de corte superior fCS.
Se curto-circuitarmos, para corrente alternada, o coletor com o emissor (figura 4), podemos
obter a expressão do ganho de corrente do circuito (I0/Ib) em função da freqüência. Verifica-
se que o ganho do circuito pode ser dado aproximadamente por:

onde

O cálculo desta expressão é feito usando o teorema de Miller. A expressão acima demonstra
que em altas freqüências o amplificador se comporta como um circuito de pólo simples.
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Observe, como mostrado acima, que o ganho de corrente varia com a freqüência, e que
portanto podemos calcular a freqüência fT para a qual o ganho de corrente do transistor em
montagem emissor comum com o emissor e coletor curto-circuitados (em corrente alternada)
tem valor unitário:

Para wT/wCS >> 1, temos:

Esta expressão tem um importante significado: o produto da banda (faixa de freqüência até
atingir o corte superior) de um amplificador pelo valor de seu ganho nesta mesma faixa é
constante, e igual à freqüência de ganho unitário. Portanto há um compromisso entre banda e
ganho: ao se aumentar um deles o outro será reduzido, pois são inversamente proporcionais.
Finalmente:

O parâmetro fT, como mostra a fig. 6, é altamente dependente da corrente de coletor IC.
Quando o transistor está trabalhando em regime linear (nem saturado, nem cortado) numa
aproximação de primeira ordem, o valor de Cp também varia proporcionalmente com a
corrente. Desta forma, a variação de gm é compensada pela de Cp, mantendo assim fT
praticamente constante. Esta é a região de interesse para a construção dos amplificadores.

Conclusão
Os transistores são componentes eletrônicos indispensáveis na construção de qualquer
equipamento atualmente, servindo com igual importância a sistemas analógicos, digitais e de
potência.
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Referencias

O que são transistores e quais tipos mais usados? (eltgeral.com.br)

Pesquisado: 03/10/2024
psi2307_2004-Teoria-5-AmpPS.doc (usp.br)
Pesquisado: 04/10/2024
Microsoft PowerPoint - aula_06 (ufpe.br)
Pesquisado: 05/10/2024
Microsoft PowerPoint - TBJ_A5G [Modo de Compatibilidade] (usp.br)
Pesquisado 05/10/2024