REPÚBLICA DE ANGOLA

MINISTÉRIO DAS TELECOMUNICAÇÕES, TECNOLOGIAS DE

INFORMAÇÃO E COMUNICAÇÃO SOCIAL
INSTITUTO DE TELECOMUNICAÇÕES

Trabalho de Eletricidade e Eletrônica

MOSFET no modo de depleção

Curvas do MOSFET D

Luanda, 2025
 FICHA TECNICA
Grupo n 02
Turma: C
Classe: 12
Turno: Tarde
Curso: Eletrônica e Telecomunicações

Integrantes do grupo:
4- Angelina Canas
5- Antolânia Capela
6- Aurio Sebastião
 INTRODUÇÃO

O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Óxido de Metal-Semicondutor) é

amplamente utilizado na indústria eletrônica devido à sua eficiência e versatilidade. Este
componente desempenha um papel fundamental em circuitos analógicos e digitais, sendo capaz
de controlar correntes com alta precisão. Dentre os diferentes modos de operação do MOSFET,
destaca-se o modo de depleção, que apresenta características particulares e é aplicado em uma
variedade de contextos, como amplificação de sinais, proteção de circuitos e controle de corrente.

Neste trabalho, exploraremos o funcionamento do MOSFET no modo de depleção,

enfatizando suas características, curvas de operação e aplicações práticas. A análise incluirá as
vantagens e desvantagens desse dispositivo, bem como a apresentação de suas curvas
características e aspectos técnicos. Nosso objetivo é compreender a relevância e o impacto deste
componente em sistemas eletrônicos modernos, destacando seu papel em projetos de eletrônica e
telecomunicações.
 DESENVOLVIMENTO

MOSFET no modo de depleção

O MOSFET no modo de depleção (MOSFET D) é uma variante do transistor de efeito de
campo de semicondutor (MOSFET) que é usado em diversas aplicações eletrônicas. Este tipo de
transistor opera de maneira diferente do MOSFET no modo de enriquecimento, oferecendo uma
gama distinta de funcionalidades e características que são aproveitadas em circuitos
especializados.

Os MOSFETs possuem características similares ao JFETs, com algumas vantagens

adicionais que os tornam muito úteis. No entanto eles têm algumas diferenças que podemos
visualizar abaixo

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) sendo um

tipo mais comumde transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos,
pode serencontrado de dois modos diferentes depleção e tipo enriquecimento. No entanto, nesse
resumovamos focar apenas no modo depleção.O MOSFET Depleção tem características como 4
terminais, alta impedância de entrada e canalpreviamente formado

O controle de corrente em MOSFET depleção, da

mesma forma em que nos dispositivos JFET, é feitopelo
controle da largura do canal, através do potencial aplicado à
porta do dispositivo. No caso decanal P, se a porta for
submetida ao mesmo potencial do terminal fonte, haverá
circulação decorrente fonte, Drain.
 A Figura 12-1 mostra um MOSFET no modo de depleção, uma pastilha de material n com
uma porta isolada no lado esquerdo e uma região p no lado direito.A região p é chamada de
substrato. Os elétrons que circulam da fonte para o dreno passam pelo estreito canal entre a porta
e o substrato p. Uma camada fina de dióxido de silício (SiO 2) é depositada no lado esquerdo do
canal. O dióxido de silício é o mesmo que vidro, que é um isolante. Em um MOSFET a porta é
metálica. Pelo fato de a porta metálica ser isolada do canal, circula uma corrente desprezível pela
porta mesmo que a tensão na porta seja positiva.
A Figura 12-2a mostra um MOSFET no modo de depleção com uma tensão na porta
negativa. A fonte V DD força os elétrons livres a circular da fonte para o dreno. Esses elétrons
circulam pelo estreito canal do lado esquerdo do substrato p. Como no caso do JFET, a tensão na
porta controla a corrente no dreno. Quando a tensão é suficientemente negativa, a corrente no
dreno é cortada. Portanto, o funcionamento de um MOSFET no modo de depleção é similar ao de
um JFET quando VGS é negativa. Como a porta está isolada, podemos também usar uma tensão
positiva na entrada, como mostra a Figura 12-2b. A tensão positiva na porta aumenta o número
de elétrons livres que circulam pelo canal. Quanto mais positiva a tensão na porta, maior a
condução da fonte para o dreno.

Aplicação do MOSFET no modo de depleção

O MOSFET no modo de depleção é aplicado em vários sítios devido às suas propriedades

únicas:
 Em amplificadores de baixa distorção o MOSFET-D: é usado em amplificadores
de sinais fracos, como em radiofrequência (RF) e em circuito analógicos, devido
ao seu controle preciso de corrente.
 Circuitos de proteção e condução: no modo de depleção o MOSFET pode atuar
como um interruptor de proteção contra sobrecorrentes e curtos-circuitos.
  Circuitos de controle de corrente: como o comportamento do MOSFET pode ser
ajustado facilmente com a tensão do gate, ele é usado para controlar a corrente em
circuitos de controle de pote e comutação.
 Osciladores e fontes de alimentação: em circuitos osciladores e fontes de
alimentação, o MOSFET-D pode atuar como um comutador eficiente, controlando
a variação da corrente com base na modulação de tensão de gate.

Vantagens do MOSFET no modo de depleção

 Eficiência no controle da corrente: O mosfet pode oferecer um controle muito
preciso sobre a corrente de dreno, o que é ideial para amplificadores e circuitos
RF.
 Baixa potência de comutação: devido ao design, o mosfet no modo de depleção
consome menos energia de comutação, o que é uma vantagem em aplicações onde
a eficiência energética é crítica.
 Alta resistência de isolamento: MOSFET-D possui alta resistência à corrente de
fuga, proporcionando um isolamento eficiente quando o dispositivo está em corte.

 Operação sem corrente de gate: em comparação com outros transistores, o

MOSFET-D não requer uma corrente do gate significativa, o que torna seu uso
mais eficiente em certos circuitos.

Desvantagens do MOSFET no modo depleção

 Sensibilidade ao ambiente: o Mosfet-D pode ser sensível a variação de
temperatura, o que pode alterar suas características de operação.
 Maior complexidade no controle do gate: para o controle preciso da corrente, o
mosfet-D pode exigir circuitos adicionais para regular a tensão de gate com
precisão, o que pode aumentar a complexidade do circuito.
 Dificuldade em miniaturizar: como o controle da corrente no modo de depleção
depende do campo eléctrico aplicado ao gate, pode ser mais difícil miniaturizar o
dispositivo para circuito de alta densidade.
 Baixa tolerância à variação de tensões: a tensão de limiar negativa torna o mosfet
menos tolerante à variações de tensão de gate em alguns projetos.
 Constituição do mosfet no modo de depleção
O mosfet no modo de depleção é constituído por três terminais principais:
O gate (G): terminal utilizado para controlar a condução do canal;
O dreno (D): terminal pelo qual a corrente flui para fora do transistor;
A fonte (S): terminal de entrada da corrente.

Curvas do MOSFET-D

A curva do dreno, relaciona a tensão entre os terminais do dreno e da fonte e a corrente no

dreno. Assim como em um transistor JFET, são varias as curvas para uma tensão entre a porta e a
fonte especifica, em que o ponto de trabalho é o cruzamento entre a recta formada pela corrente
de saturação e a tensão do corte.
A corrente Idss não representa mais a corrente máxima no dreno, sendo a corrente em que
a tensão no terminal da porta é nula. Já a corrente máxima é determinada pela tensão fornecida ao
dreno e o resistor conectado a este.

A Figura 12-3a mostra uma família de curvas de dreno para

um MOSFET no modo de depleção canal n típico. Observe que as curvas acima de VGS = 0 são
positivas e as curvas abaixo de VGS= 0 são negativas. Como é um caso de JFET, a curva de
baixo é para VGS = VGS (corte) e a corrente no dreno será aproximadamente zero. Conforme
mostrado, quando VGS = 0 V, a corrente no dreno será igual à I DSS. Isso demonstra que o
MOSFET no modo de depleção, ou MOSFET-D, é um dispositivo normalmente em condução.
Quando VGS é negativa, a corrente no dreno será reduzida. Em comparação com um JFET canal
n, o MOSFET canal n pode ter VGS positiva e ainda assim funcionar corretamente. É por isso
que não há junção pn para ele ficar diretamente polarizado. Quando VGS tornar-se positiva, ID
aumentará seguindo a equação quadrática:

Quando VGS é negativa, o MOSFET-D está operando no modo de depleção. Quando

VGS é positiva, o MOSFET-D está operando no modo de crescimento. Assim como no JFET, as
curvas do MOSFET-D mostram uma região ôhmica, uma região de fonte de corrente e uma
região de corte. A Figura 12-3b é a curva de transcondutância para um MOSFET-D. Novamente,
I DSS é a corrente no dreno com a porta em curto com a fonte. I DSS já não é a corrente máxima
possível no dreno. A curva parabólica de transcondutância segue a mesma relação quadrática que
existe em um JFET. Isso significa que a análise de um MOSFET no modo de depleção é quase
idêntica a de um circuito com JFET. A principal diferença é a possibilidade de VGS ser relativa
ou positiva.

Existe
também um MOSFET-D canal p. Ele consiste em um canal p do dreno para a fonte, ao longo de
um substrato tipo n. Novamente, a porta é isolada do canal. O funcionamento do MOSFET canal
p é complementar ao do MOSFET canal n.
Exercícios
 Conclusão
Neste trabalho, exploramos o funcionamento e as características do MOSFET no modo de
depleção, destacando sua estrutura, operação e as diferenças em relação a outros dispositivos
semicondutores, como o JFET. Compreendemos que o MOSFET é um componente crucial na
eletrônica moderna, devido à sua capacidade de controlar a condução elétrica por meio de tensões
aplicadas à porta isolada, sem a necessidade de corrente significativa.
O mosfet no modo de depleção é uma tecnologia fundamental no design de circuito
eletrônicos, oferecendo características exclusivas para o controle de corrente e tensão. Sua
aplicação em amplificadores, circuitos RF, osciladores e sistemas de controle o torna crucial em
várias indústrias, como telecomunicações e dispositivos de potência. Embora ofereça várias
vantagens como maior controle e eficiência, também apresenta algumas desvantagens, com a
sensibilidade ao ambiente e maior complexidade de controle. É essencial entender suas
características e limitações ao projetar circuitos que utilizam esse tipo de transistor.