TMG0565 TitanMicro
TMG0565 TitanMicro
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一、功能概述
低启动电流和工作电流
内置前沿消隐(LEB)
内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿
内置抖频功能可以降低 EMI
逐周期限制电流
空载或轻载时降频和跳周期工作模式
过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护;
二、特性描述
入跳周期模式,符合“能源之星”等待机功耗标准要求。
三、典型应用
*
Vo+
2
1 3 直流输出
L *
EMI
交流输入 滤波器 *
Vo-
4
N
8
5
NC
CS
DRDIN DRDIN
GND
TMG0X65
VDD
NC
FB
1
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绿色低功耗开关电源控制器 TMG0X65
三、典型输出功率
输出功率
型号 230V±15% AC 90-264V AC
三、产品封装形式及引脚功能
NC 3 6 NC
DRAIN 4 5 DRAIN
管脚序号 名称 功能描述
1 FB 电压反馈引脚,通过连接光耦到地来调整占控比。
2 VDD 电源供电输入脚。
3、6 NC 空脚
8 GND 接地引脚
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四、内部框图
五、极限参数及推荐值 http://www.DataSheet4U.net/
注意:极限参数是定义芯片的工作的极限值,超过这些工作条件时将会使电路功能失常,甚至造
成损坏,因此,实际的应用中必须低于推荐值。
符号 参数 推荐值 极限值 单位
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六、电气参数
(如非特别指明均指 VDD=15V,TA=25℃)
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振荡部份
fOSC 振荡频率 62 67 72 kHz
fOSC-BM 跳周期振荡频率 20 kHz
f△shuffling 抖频范围 6 %
fDV 频偏 vs VDD 电压 VDD=10V to 23V 0.2 1 %
输出部份
DMAX 最大占空比 75 80 85 %
BVDSS 漏源击穿电压 VGS=0V, ID=250uA 650 V
IDSS 漏源漏电流 VGS=0V, VDS=650V 100 uA
TMG0321 ID=0.5A,VGS=10V 12 15
TMG0165 ID=0.8A,VGS=10V 7.4 8.5
RDS-ON TMG0265 导通电阻 ID=1A,VGS=10V 4.7 5.5 Ω
七、功能描述
启动电压及电流
典型的启动电流为 5uA,可以使用阻值较大而功耗较小的启动电阻,以减小功率损耗。当
VDD 电压上升到 15.5V 时,电路开始启动工作,VDD 滤波电容持续对电路供电直到由变压器的辅
助绕组提供电流。在此期间 VDD 电压不能低于 9.5V。一个 1.5~2MΩ,0.25W 的启动电阻和一个
10uF/25V 的电解电容可满足电源的启动需要。
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轻载跳周期工作
在空载或轻载的情况下,FB 的电压自动降低。当 VFB < 1.4V 且 VDD> 10 V 时电路会进入间
歇振荡状态,震荡输出将停止一段时间,减少开关次数,降低开关损耗。当 VFB>1.4V 时,电路进
入正常工作状态。
振荡频率和抖频
内置工作频率典型值为67KHz,由于频率抖动功能的作用,开关频率在63K到71K之间变化,
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以减小某一个频率点对外的辐射,从而降低了EMI,更容易满足设计要求,
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前沿消隐
在 MOS 开启的瞬间,由于寄生电容和次级整流管反向恢复时间等原因,在电流检测电阻上
将会有一个尖峰电压。TMG0X65 内置了 350nS 的前沿消隐电路,可以屏蔽尖峰电压,避免了电
路的误动作,省去了常用的 RC 滤波器。
峰值电流补偿
由于电路内部的信号传送延时,使电感电流发生额外过冲。传播延时的时间并不因输入电
压变化而变化,但电感电流的过冲量随输入电压升高而陡增,高输入电压和低输入电压条件下的
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最大输出功率相差甚远。TMG0X65 通过引入一个动态变化的斜坡电压来均衡高低压输出特性。
过流检测电压限值随占空比的变化从 0.8~1.0V
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斜坡补偿
VDD 过压、欠压保护
逐周期电流限制保护
在每个周期,峰值电流都不会超过峰值电流限流值。当电流达到峰值限流电流后,输出功
率就不能再变大,导至 FB 的电压升高,发生过载保护。
过载或系统开环保护、输出短路保护
当发生开环(反馈环路发生故障,如光耦开路)、过功率、输出短路等异常时,FB 引脚的电
压会上升,当 VFB>3.7V 时,将恒定输出功率,如果此异常维持 50mS 以上,电路关闭输出,直
到 VDD 欠压后电路重新启动。
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过温度保护
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八、应用实例
输入电压:90~264VAC
输出:12V1.5A
空载损耗:<0.3W
效率:>80%(满载)
原理图
Y1
2.2nF
R6
FUSE1 CX1 D1 D2 C1 R3 C2 T1 20Ω 0.5W
1A 0.22u/275V 1N4007 1N4007 33u/400V 100K 1W 4.7nF/1KV EF20
1 C5 L1
1nF/100V C7
3uH
* 470u/16V
+12V1.5A
LF1 2
20mH R1 D7
VAR1 MBR10100
750K 10
7D471 3
D5
AC IN FR107
C6
4
*8 1000u/16V
RT1 * GND
5D-9 R4
1Ω1W 5
D3 D4 R7 R8 R10
R2 R5
8
NC
GND
Drain Drain
R9 C8
U1 1K 100nF/25V
VDD
TMG0365
NC
FB
D6 U3
1N4004 TL431
1
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R11
2.4K
C4
C3 4.7nF/50V
10u/35V
变压器结构图
磁芯:EF20(PC40)
骨架:EF20(5+5)
电感量: PIN1-PIN3 L=800uH±10%
漏感: PIN1-PIN3 80uH max (其它脚短路)
3mm 3mm
屏蔽 Φ0.15绕满一层
1 N4 PIN4 PIN5
N1Φ0.3*35Ts
2 N2 PIN2 PIN3
N2Φ0.3*35Ts 10 屏蔽 PIN1 悬空
3 N3 Φ0.55*10Ts N3 PIN8 PIN10
4 8 屏蔽 PIN1 悬空
N4 Φ0.15*11Ts N1 PIN1 PIN2
5
骨架
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九、封装尺寸
封装型号:DIP8
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(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)
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