TMG0565 TitanMicro

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绿色低功耗开关电源控制器 TMG0X65

一、功能概述

低启动电流和工作电流

内置前沿消隐(LEB)

内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿

内置抖频功能可以降低 EMI

逐周期限制电流

空载或轻载时降频和跳周期工作模式

过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护;

二、特性描述

TMG0X65 芯片是一款高集成度、高性能的 PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关


电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类小功率的开关电源。采用 DIP8 封装,无需加散
热器可输出 0~36W 的功率。电路结构简单,成本低。具有完善的保护功能,包括过压、欠压、
过温、过载及短路等保护。固定振荡频率及抖频功能,可以降低 EMI。待机功率低,在待机时进 http://www.DataSheet4U.net/

入跳周期模式,符合“能源之星”等待机功耗标准要求。

三、典型应用

*
Vo+
2

1 3 直流输出
L *
EMI

交流输入 滤波器 *
Vo-
4

N
8

5
NC
CS

DRDIN DRDIN
GND

TMG0X65
VDD

NC
FB
1

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三、典型输出功率

输出功率

型号 230V±15% AC 90-264V AC

开放式 适配器 开放式 适配器

TMG0321 15W 10W 12W 8W

TMG0165 20W 13W 16W 12W

TMG0265 27W 18W 20W 15W

TMG0365 32W 22W 25W 18W

TMG0565 36W 27W 30W 21W

最大功率条件 Ta=40°C, Tj=125°C PCB 附铜面积 = 6cm²

三、产品封装形式及引脚功能

采用 DIP-8 封装,其中 3、6 脚为空脚,


FB
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1 8 GND
以保证高低压之间有足够的安全间距。
VDD 2 7 CS

NC 3 6 NC

DRAIN 4 5 DRAIN

管脚序号 名称 功能描述

1 FB 电压反馈引脚,通过连接光耦到地来调整占控比。

2 VDD 电源供电输入脚。

3、6 NC 空脚

4、5 DRAIN MOS 漏极

7 CS 电流检测引脚(MOS 源极),外接电阻来检测 MOS 电流

8 GND 接地引脚

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四、内部框图

五、极限参数及推荐值 http://www.DataSheet4U.net/

注意:极限参数是定义芯片的工作的极限值,超过这些工作条件时将会使电路功能失常,甚至造
成损坏,因此,实际的应用中必须低于推荐值。

符号 参数 推荐值 极限值 单位

VDD 供电电压 10~23 30 V


VFB FB 引脚输入电压 0~5.5 -0.3~ 7.0 V
VCS CS 引脚输入电压 -0.3 ~ 5.0 V
θJC 热阻(结点到外壳) 82.5 °C/W
TJ 工作结点温度 -40 ~ +150 °C
TSTG 存储温度范围 -40~ +150 °C
TA 工作环境温度 -20~+80 -40~ +130 °C
TL 焊接温度(10 秒) 260 °C
人体模式, JESD22-A114 2.0
ESD 抗静电能力 kV
机器模式, JESD22-A115 0.2

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六、电气参数

(如非特别指明均指 VDD=15V,TA=25℃)

符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位


供电部份
VDD-ON 启动电压 13.5 14.5 15.5 V
VDD-OFF 关闭电压 8 9 10 V
IDD-ST 启动电流 VDD=VDD-ON– 0.5V 5 20 uA
IDD-OP 正常工作电流 2.5 4 mA
VDD-OVP VDD 过压保护 23 24 V
VDD-CLAMP VDD 钳位电压 IDD=5mA 25 27 V
VDD-BM VDD 跳周期模式电压 10 V
反馈部份
AV PWM 比较器增益 1.7 V/V
ZFB FB 引脚输入阻抗 6.0 kΩ
VFB-OPEN FB 开路电压 http://www.DataSheet4U.net/
4.4 4.7 5.0 V
VFB-PL FB 过载电压阀值 3.7 V
TPD 过载延时时间 50 ms
VFB-BM 进入跳周期模式 FB 电压 1.4 V
电流检测部份
ZCS CS 引脚输入阻抗 5.0 kΩ
VCSTH-H 电流限流值(最大占空比) 1.0 1.1 V
VCSTH-L 电流限制值(最小占空比) 0.7 0.8 V
TLEB 前沿尖峰消隐时间 350 ns
TPD 延时输出时间 60 ns

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振荡部份
fOSC 振荡频率 62 67 72 kHz
fOSC-BM 跳周期振荡频率 20 kHz
f△shuffling 抖频范围 6 %
fDV 频偏 vs VDD 电压 VDD=10V to 23V 0.2 1 %
输出部份
DMAX 最大占空比 75 80 85 %
BVDSS 漏源击穿电压 VGS=0V, ID=250uA 650 V
IDSS 漏源漏电流 VGS=0V, VDS=650V 100 uA
TMG0321 ID=0.5A,VGS=10V 12 15
TMG0165 ID=0.8A,VGS=10V 7.4 8.5
RDS-ON TMG0265 导通电阻 ID=1A,VGS=10V 4.7 5.5 Ω

TMG0365 ID=2A,VGS=10V 3.0 3.5


TMG0565 ID=3A,VGS=10V 2.1 2.5
过温保护部份
TOTP 过温度保护 http://www.DataSheet4U.net/
135 °C

七、功能描述

启动电压及电流
典型的启动电流为 5uA,可以使用阻值较大而功耗较小的启动电阻,以减小功率损耗。当
VDD 电压上升到 15.5V 时,电路开始启动工作,VDD 滤波电容持续对电路供电直到由变压器的辅
助绕组提供电流。在此期间 VDD 电压不能低于 9.5V。一个 1.5~2MΩ,0.25W 的启动电阻和一个
10uF/25V 的电解电容可满足电源的启动需要。

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轻载跳周期工作
在空载或轻载的情况下,FB 的电压自动降低。当 VFB < 1.4V 且 VDD> 10 V 时电路会进入间
歇振荡状态,震荡输出将停止一段时间,减少开关次数,降低开关损耗。当 VFB>1.4V 时,电路进
入正常工作状态。

振荡频率和抖频
内置工作频率典型值为67KHz,由于频率抖动功能的作用,开关频率在63K到71K之间变化,
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以减小某一个频率点对外的辐射,从而降低了EMI,更容易满足设计要求,

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前沿消隐
在 MOS 开启的瞬间,由于寄生电容和次级整流管反向恢复时间等原因,在电流检测电阻上
将会有一个尖峰电压。TMG0X65 内置了 350nS 的前沿消隐电路,可以屏蔽尖峰电压,避免了电
路的误动作,省去了常用的 RC 滤波器。

峰值电流补偿

由于电路内部的信号传送延时,使电感电流发生额外过冲。传播延时的时间并不因输入电
压变化而变化,但电感电流的过冲量随输入电压升高而陡增,高输入电压和低输入电压条件下的
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最大输出功率相差甚远。TMG0X65 通过引入一个动态变化的斜坡电压来均衡高低压输出特性。
过流检测电压限值随占空比的变化从 0.8~1.0V

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斜坡补偿

在 CCM 状态下工作时,如果占空比大于 50%时,电路容易出现次谐波振荡,TMG0X65 内


置斜坡补偿电路可以有效防止次谐波振荡的出现。

VDD 过压、欠压保护

当 VDD>23V 时,电路会进入过压保护,输出脉冲会立即停止,直到 VDD 掉到欠压后电路重


新启动,另外 VDD 还设置了钳位电路,防止过高的 VDD 冲击电压损坏电路。如果 VDD 电压下落到
8.5V 以下时电路将会发生欠压保护,电路停止工作。

逐周期电流限制保护

在每个周期,峰值电流都不会超过峰值电流限流值。当电流达到峰值限流电流后,输出功
率就不能再变大,导至 FB 的电压升高,发生过载保护。

过载或系统开环保护、输出短路保护

当发生开环(反馈环路发生故障,如光耦开路)、过功率、输出短路等异常时,FB 引脚的电
压会上升,当 VFB>3.7V 时,将恒定输出功率,如果此异常维持 50mS 以上,电路关闭输出,直
到 VDD 欠压后电路重新启动。
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过温度保护

如果电路发生过热,当内部结点温度超过 130°C 以上时,电路发生过热保护关闭输出,直


到 VDD 欠压后电路重新启动。

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八、应用实例

输入电压:90~264VAC
输出:12V1.5A
空载损耗:<0.3W
效率:>80%(满载)
原理图

Y1
2.2nF
R6
FUSE1 CX1 D1 D2 C1 R3 C2 T1 20Ω 0.5W
1A 0.22u/275V 1N4007 1N4007 33u/400V 100K 1W 4.7nF/1KV EF20
1 C5 L1
1nF/100V C7
3uH
* 470u/16V
+12V1.5A
LF1 2
20mH R1 D7
VAR1 MBR10100
750K 10
7D471 3
D5
AC IN FR107
C6
4
*8 1000u/16V
RT1 * GND
5D-9 R4
1Ω1W 5
D3 D4 R7 R8 R10
R2 R5
8

1N4007 1N4007 360Ω 1K 9.1K


750K 10Ω U2
PC817C
CS

NC
GND

Drain Drain

R9 C8
U1 1K 100nF/25V
VDD

TMG0365
NC
FB

D6 U3
1N4004 TL431
1

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R11
2.4K
C4
C3 4.7nF/50V
10u/35V

变压器结构图

磁芯:EF20(PC40)
骨架:EF20(5+5)
电感量: PIN1-PIN3 L=800uH±10%
漏感: PIN1-PIN3 80uH max (其它脚短路)

3mm 3mm
屏蔽 Φ0.15绕满一层
1 N4 PIN4 PIN5
N1Φ0.3*35Ts
2 N2 PIN2 PIN3
N2Φ0.3*35Ts 10 屏蔽 PIN1 悬空
3 N3 Φ0.55*10Ts N3 PIN8 PIN10
4 8 屏蔽 PIN1 悬空
N4 Φ0.15*11Ts N1 PIN1 PIN2
5

骨架

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九、封装尺寸

封装型号:DIP8

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(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)

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