Experimento 5

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS EXPERIENCIAN°5
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE

INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N°5
ELTRANSITOR BIPOLAR
NPN.CARACTERISTICAS BASICAS
 DOCENTE
Jose Luis Mestas Ramos
 ESTUDIANTES
Alcántara Saavedra Milagros Asunción 19190225
Peña Sembrera Jose Rivaldo 19190058
Vásquez Alberca Andrés Aldair 19190229
 GRUPO L-24
Lunes 6-8pm
Lunes 04 de enero del 2021
LIMA-PERÚ
2021
OBJETIVOS
 Estudiar las diferentes polarizaciones del transistor bipolar para su operación en alterna.
 Determinar las condiciones de funcionamiento del transistor en sus configuraciones, así como las
limitaciones existentes, tanto para continua como para alterna.
EQUIPOS Y MATERIALES
 Osciloscopio
 Multímetro digital
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Miliamperímetro DC
 Microamperímetro DC
 Resistores de R1 = 47KΩ/56 KΩ, R2 = 22KΩ/3.3 KΩ, Rc = 1.2KΩ/3.3KΩ, RL = 10KΩ/1 KΩ, Re = 1 KΩ
 Condensadores de Ci = 10uF, Co = 22uF, Ce = 100uF
 Transistores BC548 (NPN) o BC558 (PNP)
 01 protoboard
 Cables de conexión diversos
 01 Computadora con Multisim
V. PROCEDIMIENTO
1. Considerando los valores nominales de los componentes
utilizados, realizar la simulación del circuito mostrado en la figura
5.1. Considere todos los casos indicados en el paso 3. Llenar los
valores correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función

ohmímetro del multímetro. Llene la tabla 5.1
FALTA
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa

Base –Emisor 1093 >60M
Base – Colector 1069 >60M
Colector - Emisor >60M >60M
3. Implementar el circuito de la figura 5.1

SIMULACION EN PROTEUS
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic), el emisor (Ie) y la base (Ib)
cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de 0Ω.
b. . Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor

(Vbe) y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2 d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los
pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 5.3
Tabla 5.2
Valores 𝑅1 = 56 𝐾Ω 𝐼𝑐(𝑚𝐴) 𝐼𝑒(𝑚𝐴) 𝐼𝑏(𝑢𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑉)

Teóricos 8,3 8,3 52 1,87 0,7 1,85
Simulado 8.34 8.39 51.6 1.81 0.72 1.85
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 5.3
Tabla 5.3
Valores 𝑅1 = 68 𝐾Ω 𝐼𝑐(𝑚𝐴) 𝐼𝑒(𝑚𝐴) 𝐼𝑏(𝑢𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑉)

Teóricos 7,3 7,34 44 3,09 0,7 1,61
Simulado 6.87 6.92 41.8 3.61 0.72 1.52
e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que

sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0) llenar la tabla 5.4.
valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

P1=100k Simulados 11.5 11.6 77.4 0.49 0.75 0
Teóricos 11.63 11.77 40.4 0.285 0.74 0.06
P1=250k Simulados 3.52 3.52 13 8.48 0.7 0
Teóricos 2.37 2.39 6.8 9.53 0.648 0
P1=500k Simulados 1.94m 1.83m 0.01 12 0.5 0
Teóricos 0.7m 0.7m 0.2 12 0.448 0
P1=1M Simulados 0 0 0 12 0.26 0
Teóricos 0 0 0 12 0.27 0
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida
Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.
Vi Vo Av Vo Av(sin Ce)
R1=56k 0.88 1.488 1.66 2.7 2.5
R1=68k 0.9 1.57 2.73 1.58 2.3
 Siendo el amarillo la señal de entrada y azul la de salida a una escala de 5mv:



V.
CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el multímetro en función ohmímetro.
En la tabla 1 se observa que las resistencias base – emisor, base-colector y colector emisor en
polarización directa son bajas, ya que en directa el transistor conduce corriente. En inversa ocurre
lo contrario por que el transistor no conduce corriente.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del

experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
RECTA DE CARGA DE LA TABLA 5.2


3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?
Debido a los valores obtenidos por medio del cálculo teórico, así como su
posterior comprobación usando el simulador, podemos concluir que ambas se
encuentran en zona activa y trabajara con un modelo lineal donde los
comportamientos de los parámetros estarán sometidas a ecuaciones
matemáticas que modelan el fenómeno.
Sin embargo, nuestra recta de carga nos indica que al pasar de la resistencia de
56 a 68 se acerca a la región de saturación, por lo que si de seguir aumentando
la resistencia estaríamos en dicha región y el transistor dejaría de trabajar
normalmente.
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a

150KΩ? Explicar los valores e indicar el valor teórico.
Si se aumenta R1 el punto de operación de desplazaría a la región de corte,
debido a que el Vce aumentaría y por ende estará mas cerca a la región de corte.
Cálculos teóricos:
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de

este experimento (transistor NPN) con respecto al anterior
(transistor PNP).
La diferencia que existe entre un transistor NPN y PNP

radica fundamentalmente es la polaridad de sus electrodos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es
mediante un polímetro.
Este dispone de dos orificios para inserta el transistor, uno
para NPN y el otro para PNP. Para obtener la medida de la
ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, y
ya se podrá determinar si es PNP o

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Lunes 04 de enero del 2021

2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función

Resistencia Directa Inversa

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

b. . Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor

Valores 𝑅1 = 56 𝐾Ω 𝐼𝑐(𝑚𝐴) 𝐼𝑒(𝑚𝐴) 𝐼𝑏(𝑢𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑉)

Valores 𝑅1 = 68 𝐾Ω 𝐼𝑐(𝑚𝐴) 𝐼𝑒(𝑚𝐴) 𝐼𝑏(𝑢𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑉)

e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que

valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

 Siendo el amarillo la señal de entrada y azul la de salida a una escala de 5mv:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del

RECTA DE CARGA DE LA TABLA 5.2

RECTA DE CARGA DE LA TABLA 5.3

RECTA DE CARGA DE LA TABLA 5.4

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a

5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de

La diferencia que existe entre un transistor NPN y PNP

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