TCFE07082 10 Analise Circuitos TJB

1
Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica
Análise de Circuitos com

Transístores Bipolares
Teresa Mendes de Almeida
TeresaMAlmeida@ist.utl.pt
DEEC
Área Científica de Electrónica
© T.M.Almeida IST-DEEC-
ACElectrónica Maio de 2008
2
Matéria
Transístores de junção bipolares
NPN e PNP
zonas de funcionamento
corte, zona activa, saturação
Circuitos amplificadores
o transístor como amplificador
modelo incremental
circuito de polarização
circuitos seguidor de emissor e amplificador de tensão (emissor comum)
Efeito da temperatura
polarização estabilizada
Fontes de corrente
Par diferencial com carga resistiva
Exemplos de aplicação
© T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrónica TCFE Análise de Circuitos com Transístores Bipolares Maio de 2008
3
Transístor de junção bipolar
TJB - transístor de junção bipolar
fabricado com material semicondutor (silício)
dispositivo com 3 terminais
NPN n
C – colector
B – base
p
E – emissor
n
baseia-se em 2 junções PN
base-colector (BC) PNP p
base-emissor (BE)
2 tipos de transístores n
p
NPN e PNP
símbolo
seta – marca o terminal do emissor – marca sentido da corrente
indica sentido da junção pn entre base e emissor
dispositivo não-linear → usar modelo linear para analisar circuito com TJB
4
Transístor NPN Transístor PNP
constituídos por 3 regiões de material semicondutor

dispostas em camadas
base tem espessura reduzida
colector e emissor são diferentes
dimensões e constituição são diferentes
funcionamento do TJB é mais complexo do que considerar apenas 2 junções

(como se fossem apenas 2 díodos isolados) porque a base é muito estreita
2 junções interagem ente si – não são independentes
5
Aplicação das leis de Kirchhoff
KVL – tensões entre terminais (circular entre terminais)
KCL – correntes a entrar/sair dos terminais (TJB visto como um nó)
Sentidos/polaridades convencionais das correntes/tensões
valores positivos – quando transístor está em condução
NPN PNP
iB + iC = iE
vBC + vCE − vBE = 0 vEB − vCB − vEC = 0

PNP – mesmas equações que PNP – sentidos / polaridades trocados
6
Regiões de funcionamento do TJB
modos de funcionamento do TJB de acordo com polarização das junções pn
polarização directa – “díodo ON” – vD = VON
polarização inversa – “díodo OFF” – vD < VON
Região de Junção BE Junção BC Aplicação

funcionamento típica
CORTE Polarizada Polarizada Circuitos lógicos
inversamente inversamente
Zona Polarizada Polarizada AMPLIFICADOR
ACTIVA directamente inversamente
SATURAÇÃO Polarizada Polarizada Circuitos lógicos
directamente directamente
Amplificador Porta lógica NOR

gerador interruptor
comandado
7
Corte
TJB cortado (não conduz) NPN n PNP p
2 junções inversamente polarizadas
NPN vBE < 0 vCE > 0 p n
n p
PNP vEB < 0 vEC > 0
transístor não é percorrido por corrente
comporta-se como “interruptor aberto”
iB = iC = iE = 0
Modelo equivalente
circuito aberto entre todos os terminais
transístor não intervém no circuito onde está inserido
Na prática considera-se o TJB cortado

vBE < VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V )
8
Zona Activa
TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)
junção BE directamente polarizada vBE = VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V )
junção BC inversamente polarizada vCE > 2V ( tipicamente )
corrente de colector é directamente proporcional à corrente de base
vBE
VT
iC ≈ I S e
iC = β iB
iE = iB + iC = (1 + β ) iB
1+ β
iE = iC
β
Modelo equivalente Ganho de corrente β (hFE)
NPN: β ≈ 100 – 200
PNP: β ≈ 20 – 50
β elevado – cálculo aproximado
gerador comandado iB<<iC ⇒ iE ≈ iC (aproximação)
9
Saturação
TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)
2 junções directamente polarizadas
as tensões entre os terminais são impostas pelo transístor
vBE = VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V ) vCE = VCESAT ( ≈ 0,1V − 0, 2V )
as correntes são determinadas pelo circuito exterior
é o circuito exterior que determina se TJB está na saturação ou na zona
activa
iC calculada por análise do circuito iC < β iB iE = iB + iC
Modelo equivalente
B iB iC C
VBE ON VCESAT
iE
E
10
Equações TJB
Equações escritas para NPN
Para PNP – trocar sentidos correntes / polaridades tensões
CORTE ZONA ACTIVA SATURAÇÃO

Junções inversamente Junção BE directamente Junções directamente
polarizadas polarizada polarizadas
Junção BC inversamente iE = iB + iC
iB = iC = iE = 0 polarizada
vBE
iC < β iB
VT
iC ≈ I S e
vBE < VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V ) iC = β iB vCE = VCESAT ( ≈ 0,1V − 0, 2V )
iE = iB + iC = (1 + β ) iB vBE = VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V )
vBE = VBEON ( ≈ 0,5V − 0, 7V )
11
Exemplo de aplicação NPN
Calcular tensões e correntes vBE = VBEON

hipótese: considerar TJB na zona activa → iC = β iB
i = i + i = 1 + β i
β = 50 E B C ( )B
VBEON = 0, 7V VBE = VBEON = 0, 7V
VCESAT = 0, 2V VE = 0 − VBEON = −0, 7V
VE − ( −10 ) VE − ( −10 )
IE = = = 0,93mA
RE 10k
n IE
IB = = 18, 2 µ A
p 1+ β
n
I C = β I B = 0,91mA
VC = 10 − RC I C = 10 − 5 × 0,91 = 5, 45V
VC > VB BC inversamente polarizada
VCE = VC − VE = 5, 45 − ( −0, 7 ) = 6,15V >> VCESAT
confirmada a hipótese de zona activa

12
Exemplo de aplicação PNP
Calcular VC sabendo que VB=1V e VE=1,7V
Qual o ganho de corrente β?
PNP – sentidos das correntes são invertidos relativamente a NPN
VEB=VEBon=0,7V considerar hipótese de zona activa
VEB = VEBON = 0, 7V
VEBON = 0, 7V
10 − VE 10 − 1, 7
VECSAT = 0, 2V IE = = = 1, 66mA
RE 5k
VB − 0 1
IB = = = 10µ A
p RB 100k
IE
n p I E = (1 + β ) I B → β= − 1 = 165
IB
I C = I E − I B = 1, 65mA
VC = RC I C + ( −10 ) = −1, 75V
VB > VC CB inversamente polarizada
VEC = VE − VC = 1, 7 − ( −1, 75 ) = 3, 45V >> VECSAT
13
Exemplo de aplicação
Calcular correntes e tensões para diferentes sinais de entrada
VIN = VB = {0V,+4V, +6V}
β = 100 VBEon= 0,7V VCEsat= 0,2V
VIN = VB = +4V
hipótese: zona activa VE = VB − VBEon = 4 − 0, 7 = 3,3V
VE − 0 3,3
IE = = = 1mA
RE 3,3k
β
IC = I E = 0,99mA
1+ β
VC = 10 − RC I C = 10 − 4, 7 × 0,99 = 5,3V
VC > VB BC inversamente polarizada
I B = I E − I C = 0, 01mA = 10 µ A
VCE = VC − VE = 5,3 − 3,3 = 2V >> VCESAT
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Exemplo de aplicação (cont.)
VIN = VB = +6V
hipótese: zona activa β = 100
VBEon= 0,7V
VCEsat= 0,2V
VC < VB → junção BC não pode estar inversamente polarizada

TJB não pode estar na zona activa
considerar hipótese de saturação e voltar a fazer os cálculos
15
VIN = VB = +6V iC < β iB iE = iB + iC
hipótese: zona de saturação vCE = VCE ( ≈ 0,1V − 0, 2V ) SAT
vBE = VBE ( ≈ 0,5V − 0, 7V ) ON
β = 100
VBEon= 0,7V
VCEsat= 0,2V
IC < βIB → confirma-se hipótese de saturação
16
VIN = VB = 0V
hipótese: corte
correntes são nulas
junções BE e BC inversamente polarizadas
17
Circuito inversor lógico / amplificador
Característica de
transferência
Zona
ACT
IVA
Circuito inversor lógico
TJB corte / saturação
VI nível baixo / alto
Circuito amplificador
TJB a funcionar na zona activa
vI = VI + vi (DC + AC)
vi
VI – circuito de polarização
vi – sinal a amplificar
TJB não pode sair da zona activa (vi pequeno)

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Polarização
Tensões e correntes DC para TJB ficar na ZONA ACTIVA
junção base-emissor directamente polarizada (VBEon ≈ 0,7V)
tensão VCE apropriada
maximizar a amplitude do sinal de saída (meio da característica)
obter corrente IC pretendida

Circuito de polarização
um bom circuito de polarização deve ser insensível a variações dos
parâmetros:
valores reais das resistências (são diferentes dos valores nominais)
VCC
ganho de corrente, β, do TJB
temperatura (IC varia com T) RC IC

R1
Exemplo de circuito de polarização IB VC
VB
circuito resistivo VE
R2
fonte de alimentação e resistências RE IE
impõe o ponto de funcionamento em repouso (PFR)
19
O Transístor como amplificador
TJB a funcionar como amplificador
TJB tem de ser polarizado para funcionar na ZONA ACTIVA
Polarização
estabelecer uma corrente constante (DC) no emissor (ou no colector)
corrente IE (ou IC) deve ser insensível a variações de temperatura e do β
Análise do circuito
DC – polarização
calcular o ponto de funcionamento em repouso (PFR)
componente AC eliminada
VBE
VT
PFR
IC = I S e
IC 1+ β
IB = IE = IC
β β
VC = VCC − RC I C
AC – amplificador
fontes DC eliminadas
20
Transcondutância – gm
vBE VBE vbe vbe VBE
VT VT VT VT VT vbe = ∆vBE
vBE = VBE + vbe iC = I S e = IS e e = IC e IC = I S e 
ic = ∆iC
 v  vbe << VT
iC ≈ I C 1 + be  ←  x PFR
 VT  e ≈ 1 + x
I I
iC = I C + C vbe = I C + ic ic = C vbe
VT VT
ic = gm vbe → fonte de corrente
controlada por tensão
IC
gm =
VT
∆iC
I C = 1mA 
tipicamente  g m = 40mS
VT = 25mV 
declive da curva iC-vBE ∂iC ∆i

gm = ≈ C
∂vBE ∆vBE ∆vBE
no PFR
21
Resistência entre a Base e o Emissor (olhando da base)
iC IC 1 IC I g
iB = = + vbe = C + m vbe iB = I B + ib
β β β VT β β ∆iB
vbe ∆vBE β
rπ = ≈ = β
ib ∆iB gm rπ =
gm ∆vBE
Resistência entre o Emissor e a Base (olhando do emissor)

β +1 β +1
iE = iC = ( IC + g m vbe ) iE = I E + ie
β β
β +1 1
ie = g v ≈ g m vbe re =
β m be gm ∆iE
vbe ∆vBE 1 ∆vBE
re = = ≈
ie ∆iE gm
22
Modelo para sinais fracos (incremental)
Circuito equivalente do TJB
modelo linear que caracteriza o funcionamento do TJB na zona activa
válido para sinais fracos (pequenas variações das grandezas em torno do
ponto de funcionamento em repouso)
Modelo incremental com fonte de corrente controlada por
Tensão: Corrente:
IC β 1
gm = rπ = re = Modelo
VT gm gm mais
utilizado
Maio de 2008
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Circuitos amplificadores
Circuito Seguidor de Emissor
obter no emissor uma réplica do sinal de entrada
ganho unitário
impedância de entrada elevada
impedância de saída baixa
aplicação – isolar o gerador da carga
Circuito de Emissor-comum (Amplificador de Tensão)

obter no colector uma réplica (invertida) amplificada do sinal de entrada
ganho maior do que 1 (em módulo)
inverte o sinal de entrada
impedância de entrada elevada
aplicação – amplificar o sinal de entrada
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Seguidor de Emissor
Ganho de tensão unitário
VCC
vI = VI + vi
iC vi
iB VO = VI − VBEon vo
vO = vI − VBEon  Vi
vo = vi
+ iE
vI +
vo ∆vO ∆vE
- RE vO Av = = = =1
- vi ∆vI ∆vB
VCC
Impedância de entrada iC
∆v iI iB
RI = I
∆iI
iE
∆vI = ∆vE = RE ∆iE = RE ( β + 1) ∆iB = RE ( β + 1) ∆iI +
+
vI
RE vO
RI = ( β + 1) RE -
-
impedância de entrada é elevada RI
25
Seguidor de Emissor
Impedância de saída VCC
eliminada entrada vI iC
iB
RB – resistência devida à polarização
∆v iE iO
RO = O ∆iO = −∆iE +
∆iO RB
R vO
∆vO = ∆vE = ∆vB = − RB ∆iB -
RB
∆i RO = RO
∆iB = E β +1
β +1
Aplicação – isolador (buffer) RI elevada
isolar gerador de sinal (vG,RG) da carga RL Av = 1
RO baixa
26
Seguidor de Emissor
uma possível sequência de passos para dimensionar o
circuito de polarização pode ser:
1) escolher valor da corrente IC (ou então IE)
2) escolher valor de VCE
(para se ficar a meio da característica de transferência)
3) escolher RC e RE (admitindo IE=IC)
VCC = VCE + (RC+RE) IE
4) calcular VB para garantir VBE≈0,7V (VBEon)
5) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR2
6) obtém-se a equação de um divisor de tensão Este circuito
não é único.
R2 VCC Podem ser
VB = VCC I R1 = I R 2 =
R1 + R2 R1 + R2 usados outros
circuitos dife-
7) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB rentes deste!
27
Amplificador de Tensão (Emissor-comum)
VCC
Amplifica (e inverte) o sinal de entrada
entrada – na base RC
saída – no colector
emissor – comum à entrada iB iC +
e à saída + iE vO
vI
- RE
Ganho de Tensão -
vo ∆vO ∆vC
Av = = → Av =
vi ∆vI ∆vB
∆vE ∆vB
∆vE = ∆vB ∆iE = ≈ ∆iC ∆vC = − RC ∆iC → ∆vC = − RC
RE RE
RC
Av = − → ganho de tensão controlado por RC e RE
RE
se RE=0 o ganho seria infinito… Na prática o ganho é sempre finito!

1
TJB tem resistência de emissor intrínseca, re, finita! re =
gm
28
VCC
Impedância de entrada
usar o modelo incremental do TJB para calcular Rin RC
iB iC +
B iin ic C
+ + iE vO
r ib ib vI
- RE
vin E RC -
RE ie
-
vin ∆vIN
Rin = = Rin
iin ∆iIN
ib = iin
vin = rπ ib + RE ie  → vin =  rπ + ( β + 1) RE  iin Rin = rπ + ( β + 1) RE
ie = ib + β ib
( β + 1) RE >> rπ → Rin ≈ ( β + 1) RE
Rin = ( β + 1) RE
29
VCC
Impedância de saída
usar o modelo incremental do TJB para calcular Rout RC
gerador de entrada eliminado iB iC +
+ iE vO
vI
- RE
-
vout ∆vOUT
Rout = =
iout ∆iOUT
KVL → rπ ib + RE ( ib + β ib ) = 0 → ib = 0
Rout = RC
v
vout = RC I RC = RC iout → out = RC
iout
30
uma possível sequência de passos para dimensionar o
circuito de polarização pode ser:
1) escolher valor da corrente IC (ou então IE≈IC)
2) escolher valor de VC – geralmente VC = VCC / 2
(para se ficar a meio da característica de transferência)
3) calcular RC: VCC = VC - RC IC
4) calcular RE, usando o valor do ganho de tensão Av = - RC / RE
5) calcular VB para garantir VBE≈0,7V (VBEon): VB = VBE + REIE
6) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR2
7) obtém-se a equação de um divisor de tensão
R2 VCC
VB = VCC I R1 = I R 2 =
R1 + R2 R1 + R2
8) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB
31
Acoplamento entre amplificadores
Acoplamento AC
para não alterar a polarização dos vários andares amplificadores
usam-se condensadores de acoplamento entre os amplificadores
condensadores bloqueiam componente DC
em DC o condensador é um circuito-aberto
deixam passar a componente variável (AC) do sinal a amplificar

escolhem-se as capacidades dos condensadores para que nas frequências de
interesse os condensadores correspondam a curto-circuitos (válido em
frequências médias)
ZC ≈ 0
1
ZC =
ωC
 f = 10kHz

C = 150 µ F
Z C = 0,106Ω ≈ 0Ω
32
Dependência da temperatura
Ganho de corrente β
depende da corrente IC
aumenta com a temperatura
Tensão vBE
diminui com a temperatura
iC 
vBE ≈ VT ln 
IS  ∆vBE
 ⇒ ≈ −2mV /º C
kT ∆T
VT = I S (T ) 
q 
Circuitos de polarização estabilizada

compensar efeitos da variação da temperatura
RE – circuito de polarização inclui resistência ligada ao emissor
circuito integrado – usar fontes de corrente (feitas com TJBs e resistências)
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Polarização estabilizada
Resistência RE
estabiliza a corrente IE quando há variação da temperatura
Quando a temperatura aumenta

∆vBE
vBE diminui ≈ −2mV /º C
∆T
vBE
VT
iC diminui iC ≈ I S e
iE ≈ iC diminui → vE = RE iE diminui
R2
VB não se altera I R1 , I R 2 >> iB → VB ≈ VCC
R1 + R2
vBE = VB – vE aumenta, contrariando o aumento inicial devido à temperatura
iE ≈ iC fica estabilizada, apesar da variação da temperatura
34
Efeito de Early
Modelo aproximado (Modelo Ebers-Moll)
vBE
iC só depende de vBE iC ≈ I S e VT
vBE
TJB real VT  vCE 
iC = I S e 1 + 
iC depende de vBE e de vCE  VA 
VA – tensão de Early (tipicamente 50 – 100 V)
extrapolando as curvas, encontram-se no ponto vCE = -VA
Efeito de Early
iC aumenta com vCE (vBE constante)
resistência vista do colector
não é infinita
ro −1 =
∆iC
≈
IC VA
∆vCE VA
ro =
VBE IC
ro acrescentada no
modelo incremental
35
Fonte de Corrente
Usando uma fonte de corrente ligada ao emissor
IE fica imposta pela fonte de corrente
deixa de haver dependência da temperatura
Fontes de corrente
usadas nos circuitos de polarização em circuito integrado
estabelecer corrente IC≈IE estável
construídas com transístores e resistências
Exemplo
fonte de corrente simples
transístores são iguais
Q1=Q2
VBE1 = VBE2
I ≈ IREF NPN PNP
36
Espelho de corrente
Fonte de corrente simples – espelho de corrente
obter uma fonte de corrente a partir da tensão de alimentação do CI
circuito que reproduz uma corrente (consegue “espelhar” uma corrente)
Conversor V-I
fonte VCC e resistência R em série
equivalente a fonte de corrente com
resistência em paralelo
permite obter IREF
Conversor I-V VBE 1
VT
Transístor Q1 I C1 = I S 1e
está sempre na zona activa
está ligado como um díodo (junção BC curto-circuito)
Conversor V-I VBE 2

VT
IC 2 = I S 2e
Transístor Q2
tem de estar na zona activa (tensão V tem de garantir VCE2 zona activa)
37
Espelho de corrente
Fonte de corrente – espelho de corrente
VBE 1 VBE 2
VT VT
I C1 = I S 1e IC 2 = I S 2e
VBE1 = VBE 2
 ⇒ I C1 = I C 2 IC2
 I S 1 = I S 2 ← Q1 = Q2 IC1
IB2
Cálculo aproximado (análise ideal)
IB1
desprezando as correntes de base (β→∞)
I ≈ I REF
I B1 + I B 2 << I C1 I REF ≈ I C1
VCC + VEE − VBE1
VCC − ( −VEE ) = RI REF + VBE1 → I REF =
R
escolher R para se ter a IREF desejada para a fonte de corrente
Cálculo exacto (análise real) 1 β = 100
I= I REF
β é finito (não desprezar IB1+IB2) 2 I = 0,98 I REF
1+
I C1 IC 2 β I − I REF
I REF = I C1 + I B1 + I B 2 = I C1 + + × 100% = −2%
β β I REF
38
Espelho de corrente
Resistência de saída (incremental)
substituir TJBs por modelo incremental
fontes DC (VCC e -VEE)

do ponto de vista incremental ficam ligadas à massa
porque não têm componente variável (AC)
ib1 = ib 2 = 0
VA
Rout = r02 =
IC 2
Rout elevada
39
Espelho de corrente múltiplo
Fonte de corrente múltipla VBE
VT
IC = I S e
corrente de referência espelhada várias vezes
todos TJBs têm as bases ligadas → VBEref = VBE1 = VBE2 = … = VBEN
TJBs são iguais QREF = Q1 = Q2 = … = QN → ISref = IS1 = IS2 = … = ISN
então ICref = IC1 = IC2 = … = ICN → IBref = IB1 = IB2 = … = IBN (IC=βIB)
I REF = I Cref + I Bref + I B1 + I B 2 + ... + I BN

I Cref
I REF = I Cref + (1 + N )
β
1
I1 = I 2 = ... = I N = I
N + 1 REF
Bases 1+
β
todas
ligadas
quanto maior o número de TJBs, pior vai ser a relação IK / IREF
40
Espelho de corrente melhorado
Compensar o erro introduzido pelas correntes de base
acrescentado um transístor (Q3) – fornece as correntes de base
VBE1 = VBE 2
 ⇒ I C1 = I C 2
I = I
 S1 S 2
I E 3 = I B1 + I B 2  I B1 + I B 2
 I B3 =
I E 3 = ( β + 1) I B 3  β +1
1 I C1 + I C 2
I REF = I C1 + I B 3 = I C1 +
β β +1
1 1
I= I REF I≈ I REF
2 2
1+ 1+
β ( β + 1) β2
Comparando com a fonte simples 1

I= I REF
foi possível reduzir o erro devido às correntes de base 2
1+
2 / β2 << 2 / β (para β=100 o erro é agora -0,02%) β
41
Amplificador Diferencial
Circuito amplificador com 2 entradas
tem por objectivo amplificar a diferença entre os sinais de entrada
vO = GD ( v1 − v2 )
v1
Sinais de entrada vC vD
geralmente v1 ≠ v2 v2
v1 e v2 podem decompor-se em 2 parcelas
componente de modo comum (componente simétrica)
o que é comum às 2 entradas v +v

vC = 1 2  vD
é a média dos 2 sinais 2 v1 = vC + 2
componente diferencial (componente anti-simétrica)

v = v − vD
é a diferença entre os 2 sinais vD = v1 − v2  2 C
2
42
Amplificador Diferencial
Sinal de saída (combinação linear das entradas)
pode ser descrito como a soma de 2 parcelas (teorema da sobreposição)
saída em função de v1 e v2 vO = vO1 + vO 2
saída em função de vC e vD vO = vOC + vOD
Ganho de tensão
GC – ganho de tensão de modo comum vO = GC vC + GD vD
calcula-se fazendo v1 = v2
vO
v1 = v2 → vD = 0 → vO = GC vC → GC =
vC
GD – ganho de tensão de modo diferencial
calcula-se fazendo v1 = -v2
vO
v1 = −v2 → vC = 0 → vO = GD vD → GD =
vD GD
CMRR – relação de rejeição do modo comum CMRR =
GC
caso ideal → GC = 0 → CMRR = +∞
na prática → GC é baixo mas GC ≠ 0 → CMRR ≠ +∞ GD
CMRRdB =
GC dB
43
Par diferencial
Circuito fundamental em microelectrónica
pode ser realizado com TJBs (bipolar junction transistor) ou com outro tipo
de transístores
JFET – junction field-effect transistor
MOSFET – metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
pode ter carga resistiva ou activa +VCC +VCC

resistiva – Rs ligadas aos colectores
activa – são usadas fontes de corrente RC1 RC2
Aplicações principais vO1 + vO12 - vO2

amplificação de sinais diferenciais
conversão de sinais diferenciais em
v1 v2
sinais não-diferenciais
amplificadores operacionais IEE
andar de entrada – 1º andar amplificador
circuitos lógicos (família lógica ECL) -VEE
© T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrónica TCFE Análise de Circuitos com Transístores Bipolares

Maio de 2008
44
Par Diferencial com carga resistiva
Amplificador diferencial com BJT +VCC +VCC
TJBs directamente acoplados pelo emissor
transístores iguais (Q1=Q2) RC1 RC2
Q1 e Q2 no mesmo circuito integrado vO1 + vO12 - vO2

2 fontes de alimentação (+VCC e –VEE)
fonte de corrente (IEE)
2 sinais de entrada (v1 e v2) v1 v2
aplicados nas bases
IEE
sinal de saída (3 possibilidades)
simples – no colector de Q1 -VEE
vO1 = vC1
vO1 = vC1 = VCC − RC1iC1
simples – no colector de Q2
vO2 = vC2
vO 2 = vC 2 = VCC − RC 2iC 2
saída diferencial – entre os colectores vO12 = vO1 − vO 2
vO12 = vO1 - vO2 vO12 = − RC1iC1 + RC 2iC 2
45
Funcionamento em Modo Comum
Modo Comum: v1 = v2 = vC vD = 0 +VCC +VCC
há simetria no circuito
RC1 RC2
IEE divide-se igualmente por Q1 e Q2
transístores estão na zona activa

vO1 + vO12 - vO2
I β
iE1 = iE 2 = EE α= → iC = α iE
2 β +1
vC vC
β I EE I EE I EE
iC1 = iC 2 = =α ≈
β +1 2 2 2
IEE
β >> 1 → α ≈ 1
correntes são independentes do sinal de entrada -VEE
circuito não responde à componente de modo comum das entradas
RC1 = RC 2 = RC
I I EE
vO1 = vO 2 = VCC − α RC EE vO1 = vO 2 ≈ VCC − RC vO12 = 0
2 2
vO12 = vO1 − vO 2 = 0
46
Funcionamento em Modo Diferencial
Modo Diferencial: v1 = -v2 = vD/2 vC = 0
+VCC +VCC
há anti-simetria no circuito
vx = 0 (teorema da sobreposição)
RC1 RC2
v1 = +1,5V e v2 = -1,5V vO1 + vO12 - vO2
Q1está na zona activa
Q2 está cortado
vD vD
toda a corrente passa em Q1 x
2 2
iE1 = I EE iC1 = α I EE ≈ I EE
vO1 = VCC − α RC I EE ≈ VCC − RC I EE , vO 2 = VCC IEE
vO12 = −α RC I EE ≈ − RC I EE -VEE
v1 = -1,5V e v2 = +1,5V
Q1 está cortado, Q2 está na zona activa, toda corrente passa em Q2
Corrente passa em Q1 ou Q2 consoante polaridade de vD
Modo puramente diferencial (vC=0): obtém-se saída diferencial
47
Característica de Transferência
Funcionamento em modo diferencial (v1 = -v2 = vD/2 vC = 0)
vBE 1 vBE 2 +VCC +VCC
VT VT
iC1 = I S 1e iC 2 = I S 2 e
Q1 = Q2 → I S1 = I S 2 = I S RC1 iC1 iC2 RC2
vBE 1 − vBE 2 vD vO1 + vO12 - vO2
iC1 VT VT
=e =e
iC 2
iE1 + iE 2 = I EE iC1 + iC 2 = α I EE vD iE1 iE2 vD
2 2
IEE
α I EE
iC 2 = vD -VEE
+
1+ e VT
α I EE
iC1 = vD zona linear
−
1+ e VT |vD| < 2VT ≈ 50mV
48
Característica de transferência: vO12(vD)
α I EE α I EE
iC1 = v
iC 2 = vD
− D +
1+ e VT
1+ e VT
vO1 = VCC − RC1iC1 vO 2 = VCC − RC 2iC 2
α I EE
vO1 = VCC − RC1 vD
−
1+ e VT
α I EE
vO 2 = VCC − RC 2 vD
+
1+ e VT
e x − e− x
RC1 = RC 2 = RC tanh x = x − x
e +e
 v   v 
vO12 = α I EE RC tanh  − D  vO12 ≈ I EE RC tanh  − D 
zona linear
 2VT   2VT 
|vD| < 2VT ≈ 50mV
49
Na prática a zona linear considera-se para |vD| < 10mV
zona linear é muito estreita
apenas permite a amplificação de sinais vD muito pequenos
Característica de transferência aproximada
VCC
aproximação válida na zona linear
vO1 vO2
α ≈1 RC1 = RC 2 = RC
VCC-RCIEE/2
I EE = iE1 + iE 2 ≈ iC1 + iC 2
do ponto de vista incremental é VCC-RCIEE
preciso considerar re (resistência
intrínseca vista do emissor) RCIEE
1 VT V 2V vO12
re = = = T = T
g m I C I EE 2 I EE
0 2VT 4VT 6VT vD
pode
I v I EE vD
obter-se iC1 = EE + D iC 2 = − RCIEE
2 2re 2 2re
50
Característica de transferência aproximada
I v  I v  RC
vO1 = VCC − RC  EE + D  vO 2 = VCC − RC  EE − D  vO12 = − vD
 2 2re   2 2re  re
Limites de validade da aproximação considerada

quando o par diferencial está desequilibrado VCC
Q1 condução, Q2 cortado vO1 vO2
iC1 = I EE , iC 2 = 0 → vD = re I EE = 2VT VCC-RCIEE/2
Q2 condução, Q1 cortado VCC-RCIEE

iC 2 = I EE , iC1 = 0 → vD = − re I EE = −2VT
RCIEE
Como aumentar a zona linear, para vO12
se poder amplificar sinais maiores? 0 2VT 4VT 6VT vD

acrescentar resistência em série com o emissor
RCIEE
como consequência o ganho do circuito diminui
51
Par Diferencial com degeneração de emissor
Acrescentadas resistências em série com os emissores
considerando as equações anteriores
basta substituir re por re+RX
Alterações introduzidas por RX
zona linear aumenta
podem ser amplificados sinais vD de
amplitude mais elevada RX RX

distorção no sinal de saída diminui
ganho diferencial diminui (declive diminui)

impedância de entrada aumenta
com RX
RX mais elevada sem RX
IEE
zona linear estende-se mais iC1
i C2
Exemplo
VT
RX = 40 → vD < 20VT = 0,5V
I EE
0 2VT 4VT 6VT vD
52
Amplificador Operacional com BJT
Exemplo: AmpOp com 4 andares de amplificação
Q1-Q2
par diferencial
saída diferencial
Q4-Q5
par diferencial
saída simples
Q7
amplificador tensão
emissor comum
Q8
seguidor emissor
Q9,Q3,Q6
fonte de corrente
múltipla
53
Modelos Equivalentes
Sinais fortes (large signal model)
RCIEE
característica de transferência vo12(vD) vO12
 v  0 2VT 4VT 6VT vD

vO12 ≈ I EE RC tanh  − D 
 2VT  RCIEE
Sinais fracos (small signal model)

vd = ∆vD vc = ∆vC vo1 = ∆vO1 vo 2 = ∆vO 2 vo12 = ∆vO12
modelo incremental (válido para pequenas variações do sinal de entrada)
análise do circuito (funcionamento dinâmico linear)
TJB – substituído pelo seu modelo incremental
Fontes de tensão VCC e VEE
substituídas por curto-circuito (à massa)
Fonte de corrente IEE
fonte ideal – substituída por circuito aberto (REE=+∞)
fonte real – substituída pela sua resistência interna (REE≠+∞)
54
Modo Diferencial
Ganho de Modo Diferencial
definido relativamente a cada uma das saídas
∆v v ∆v v ∆v − ∆vO 2 ∆vO12 vo12
Gd 1 = O1 = o1 Gd 2 = O 2 = o 2 Gd = O1 = =
∆vD vd ∆vD vd ∆v D ∆vD vd
vd vd v1 + v2
entrada diferencial v1 = v2 = − v1 − v2 = vd = 0 = vc
2 2 2
VCC VCC VCC VCC
RC1 RC2 RC1 RC2

vo1 vo2 vo1 vo2
Vd Vd
+ 2 2
vX=0
vd RX RX RX RX
IEE,REE IEE,REE
- -VEE -VEE
55
Modo Diferencial
basta fazer a análise de um circuito de emissor comum para obter o ganho
vd
= rπ ib + RX ( β + 1) ib
2
vo1 = − RC1β ib
 vo1 β RC1 RC RC1 = RC 2 = RC

Gd 1 = v = − 2  r + ( β + 1) R  ≈ − 2 R
 d π X  X
 Gd = −
RC
G = vo 2 = + β RC 2 RC
≈ + RX
 d 2 vd 2  rπ + ( β + 1) RX  2 RX

v β RC1 R RC
Gd = o12 = − ≈− C Gd 1 = −Gd 2 = −
vd rπ + ( β + 1) RX RX 2 RX
56
Modo Diferencial
Quando não há degeneração de emissor (RX=0)

considera-se a resistência intrínseca vista do emissor (re)
substituir RX por re nas equações do ganho
RC RC VT VT 2VT G = − R
I EE
Gd = − Gd 1 = −Gd 2 = − r ≈ = = d C
re 2re
e
I C I EE 2 I EE 2VT
Impedância de entrada
impedância vista pelo gerador de tensão vd ligado entre as 2 entradas
Rid = 2  rπ + ( β + 1) RX  Rid = 2rπ ( RX = 0)
Impedância de saída
impedância vista da saída simples Ros = RC
saída num dos colectores
Rod = 2 RC
impedância vista da saída diferencial
57
Modo Comum
Ganho de Modo Comum
definido relativamente a cada uma das saídas
∆vO1 vo1 ∆vO 2 vo 2 ∆vO1 − ∆vO 2 ∆vO12 vo12
Gc1 = = Gc 2 = = Gc = = =
∆vC vc ∆vC vc ∆vC ∆vC vc
entrada comum v1 = v2 = vc v1 − v2 = 0 = vd
VCC VCC VCC VCC
RC1 RC2 RC1 RC2

vo1 vo2 vo1 vo2
vc vc
+ RX IX=0 RX
vc RX RX IEE/2 IEE/2
IEE,REE 2REE 2REE
- -VEE -VEE -VEE
58
Modo Comum
Ganho de Modo Comum
basta fazer a análise de um circuito de emissor comum para obter o ganho
vc = rπ ib + ( RX + 2 REE )( β + 1) ib
vo1 = − RC1β ib
RC1 = RC 2 = RC
REE >> RX
vo1 β RC1 RC
Gc1 = Gc 2 = =− Gc1 = Gc 2 = −
vc rπ + ( β + 1)( RX + 2 REE ) 2 REE
RC vo12
Gc1 = Gc 2 ≈ − Gc = =0 Gc = 0
2 REE vd
Impedância de entrada Ric =
1
 rπ + ( β + 1)( RX + 2 REE ) 
vista pelo gerador de tensão vc 2
ligado às 2 entradas Ric ≈ ( β + 1) REE
59
Relação de Rejeição de Modo Comum
CMRR – saída diferencial
G
se par diferencial for perfeitamente simétrico CMRR = d = +∞
I EE Gc
Gc = 0 Gd = − RC
2VT
na prática – existem sempre assimetrias – CMRR é finita mas muito elevada
CMRR – saída num dos colectores

RC RC REE I EE
Gc1 = Gc 2 ≈ − Gd 1 = −Gd 2 = − CMRR =
2 REE 2re 2VT
Gd 1 G R 2r R REE R I
CMRR = = d 2 = C e = EE = = EE EE
Gc1 Gc 2 RC 2 REE re 2VT I EE 2VT
projecto para CMRR elevada

garantir simetria no par diferencial
fonte de corrente com resistência interna elevada (espelho de corrente)
resistência RX baixa (quando há degeneração do emissor)
60
Par Diferencial com Espelho de Corrente
Fonte de corrente
realizada com espelho de corrente
resistência de saída da fonte de corrente é elevada (REE = ro)
REE I EE VCC VCC VCC
CMRR =
2VT
RC1 RC2
VA
REE = ro = IREF
vo1 vo2
IC
v1 v2
V + VEE − VBEon
I EE = I C = I REF = CC
RREF RREF
RX RX
V
CMRR = A IEE
2VT REE
VA = 100V

VT = 25mV
CMRR = 2000 CMRRdB = 66dB -VEE

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1

Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica

Análise de Circuitos com

indica sentido da junção pn entre base e emissor

constituídos por 3 regiões de material semicondutor

base tem espessura reduzida

colector e emissor são diferentes

dimensões e constituição são diferentes

funcionamento do TJB é mais complexo do que considerar apenas 2 junções

vBC + vCE − vBE = 0 vEB − vCB − vEC = 0

polarização inversa – “díodo OFF” – vD < VON

Região de Junção BE Junção BC Aplicação

Amplificador Porta lógica NOR

Na prática considera-se o TJB cortado

CORTE ZONA ACTIVA SATURAÇÃO

confirmada a hipótese de zona activa

VC < VB → junção BC não pode estar inversamente polarizada

vBE = VBE ( ≈ 0,5V − 0, 7V ) ON

junções BE e BC inversamente polarizadas

TJB não pode sair da zona activa (vi pequeno)

obter corrente IC pretendida

temperatura (IC varia com T) RC IC

declive da curva iC-vBE ∂iC ∆i

Resistência entre o Emissor e a Base (olhando do emissor)

Circuito de Emissor-comum (Amplificador de Tensão)

impedância de entrada é elevada RI

se RE=0 o ganho seria infinito… Na prática o ganho é sempre finito!

deixam passar a componente variável (AC) do sinal a amplificar

Circuitos de polarização estabilizada

circuito integrado – usar fontes de corrente (feitas com TJBs e resistências)

Quando a temperatura aumenta

iE ≈ iC fica estabilizada, apesar da variação da temperatura

Conversor V-I VBE 2

fontes DC (VCC e -VEE)

porque não têm componente variável (AC)

I REF = I Cref + I Bref + I B1 + I B 2 + ... + I BN

Comparando com a fonte simples 1

o que é comum às 2 entradas v +v

MOSFET – metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

pode ter carga resistiva ou activa +VCC +VCC

activa – são usadas fontes de corrente RC1 RC2

Aplicações principais vO1 + vO12 - vO2

circuitos lógicos (família lógica ECL) -VEE

© T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrónica TCFE Análise de Circuitos com Transístores Bipolares

Q1 e Q2 no mesmo circuito integrado vO1 + vO12 - vO2

transístores estão na zona activa

vO1 = VCC − RC1iC1 vO 2 = VCC − RC 2iC 2

Limites de validade da aproximação considerada

Q2 condução, Q1 cortado VCC-RCIEE

se poder amplificar sinais maiores? 0 2VT 4VT 6VT vD

amplitude mais elevada RX RX

ganho diferencial diminui (declive diminui)

 v  0 2VT 4VT 6VT vD

Sinais fracos (small signal model)

Fontes de tensão VCC e VEE

substituídas por curto-circuito (à massa)

Fonte de corrente IEE

fonte ideal – substituída por circuito aberto (REE=+∞)