O documento apresenta uma introdução sobre transistores bipolares de junção (TBJ), descrevendo sua estrutura composta por três regiões (emissor, base e coletor) e suas regiões de operação (ativo, corte e saturação). Também explica o princípio de funcionamento do TBJ em modo ativo, onde uma pequena corrente na base controla uma maior corrente no coletor.
O documento apresenta uma introdução sobre transistores bipolares de junção (TBJ), descrevendo sua estrutura composta por três regiões (emissor, base e coletor) e suas regiões de operação (ativo, corte e saturação). Também explica o princípio de funcionamento do TBJ em modo ativo, onde uma pequena corrente na base controla uma maior corrente no coletor.
O documento apresenta uma introdução sobre transistores bipolares de junção (TBJ), descrevendo sua estrutura composta por três regiões (emissor, base e coletor) e suas regiões de operação (ativo, corte e saturação). Também explica o princípio de funcionamento do TBJ em modo ativo, onde uma pequena corrente na base controla uma maior corrente no coletor.
O documento apresenta uma introdução sobre transistores bipolares de junção (TBJ), descrevendo sua estrutura composta por três regiões (emissor, base e coletor) e suas regiões de operação (ativo, corte e saturação). Também explica o princípio de funcionamento do TBJ em modo ativo, onde uma pequena corrente na base controla uma maior corrente no coletor.
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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
Transistores e introdução ao TBJ
DCE 14 Antônio Padilha L. Bo
TEMA DA AULA
• Transistores – O que é um transistor? – Histórico – Aplicações – Tipos • Transistores Bipolares de Junção (TBJ) – Estrutura – Regiões de operação – Princípio de funcionamento em modo ativo – Um modelo simples para um TBJ em modo ativo – Exemplo de circuito
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TRANSISTORES
• O que é um transistor? – Dispositivo eletrônico em que uma pequena corrente elétrica é usada para controlar uma corrente maior em outros dois terminais – Funções básicas • Amplificador • Chave • História – 1947: dispositivo em que uma pequena corrente sobre uma junção PN poderia controlar a corrente sobre um outro eletrodo. Foi o primeiro transistor (TRANSfer resISTOR) • Foi a invenção que permitiu a “era do conhecimento” – 1958: um dos primeiros circuitos integrados
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TRANSISTORES
• Aplicações – É o componente fundamental de uma fonte controlada, que é o elemento básico da eletrônica analógica – É o componente fundamental de uma chave lógica, que é o elemento básico da eletrônica digital • Tipos principais – Transistores Bipolares de Junção (TBJ) e Transistores de Efeito de Campo MOS (MOSFET) – MOSFETs são os dispositivos mais utilizados atualmente – MOSFET Vs. TBJ • TBJ é um dispositivo bipolar, enquanto o MOSFET é unipolar • O MOSFET fornece maior impedância de entrada e propicia menor consumo de energia • O TBJ é mais indicado para operações em alta frequência e quando altas correntes estão envolvidas. Além disso, é muitas vezes preferido quando são utilizados componentes discretos, tendo em vista a grande quantidade de componentes disponíveis
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TRANSISTORES
• Mas então por que estudar o TBJ?
– Você precisará frequentemente entender as propriedades de entrada e saída do circuito para conectá-los a outros circuitos – O TBJ é um ótimo recurso para interface entre CIs e outros circuitos que você projetará – Muitas vezes o CI que você necessita simplesmente não existe. Nesse caso, você deverá projetar o circuito a partir de transistores discretos – Talvez seja você quem vai projetar tais CIs
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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
• Estrutura – É um dispositivo semicondutor de 3 terminais composto por 2 junções PN – As 3 regiões que o compõem são chamadas de emissor, base e coletor – Diferentes níveis de dopagem são aplicados nessas regiões
NPN
PNP DCE 14 Antônio Padilha L. Bo TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
• Estrutura – Analisando as duas junções PN isoladamente, JEB e JCB, cada uma delas representa um diodo de junção PN – Vale lembrar nesse momento que um diodo comum possui 3 regiões distintas de operação • Condução: polarização direta • Corte: polarização reversa • Ruptura: polarização reversa – Entre essas 3 regiões de operação, em geral transistores não são projetados para operar na região de ruptura
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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
• Regiões de operação – Ao controlar as tensões nos terminais de um TBJ, podem ser definidas 4 regiões distintas de operação • Ativo: transistor utilizado como amplificador • Corte e saturação: transistor utilizado como chave • Ativo reverso: pouca aplicação prática – A tabela abaixo relaciona as áreas às tensões observadas nos terminais do TBJ
Modo JEB JCB Tensão aplicada (npn)
Corte Reversa Reversa VE > V B < V C Ativo Direta Reversa VE < V B < V C Ativo reverso Reversa Direta VE > V B > V C Saturação Direta Direta VE < V B > V C
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• Princípio de funcionamento em modo ativo
– Aqui utilizamos um dispositivo npn • A operação de um transistor pnp é semelhante. As diferenças são os papéis dos elétrons e lacunas, as polaridades das tensões de polarização e os sentidos das correntes.
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DCE 14 Antônio Padilha L. Bo TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
• Princípio de funcionamento em modo ativo
– Analisando calmamente.. (1) Como a junção JEB está diretamente polarizada, a região de depleção diminui e a junção conduz (2) Entretanto, devido às diferenças de dopagem e construção, apenas parte dos elétrons provenientes do emissor se combinam com lacunas na base (3) Esses poucos elétrons que se combinam na base formam a corrente que flui pelo terminal da base, IB (4) A maior parte dos elétrons provenientes do emissor acaba por ultrapassar a JCB, devido à energia acumulada pela polarização de JEB e pela distribuição dos elétrons na base. Assim, como o nome indica, o coletor coleta os elétrons enviados pelo emissor. (5) Ao atingir o coletor, os elétrons são atraídos pelo campo elétrico produzido pela polarização reversa da JCB (6) Esses elétrons formam a corrente do coletor, IC, que é bem maior que IB (7) A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do emissor para o coletor
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• Modelo simples para um TBJ em modo ativo
– Considerando que JEB está diretamente polarizada e que JCB está reversamente polarizada, podemos assumir o seguinte modelo simplificado • O ganho de corrente de emissor comum, β, cujo valor normalmente varia entre 20-200, é dado por
• A corrente do emissor, IE, é dada por
• Assim, define,se também
• em que
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• Exemplo de circuito: TBJ como chave
– Nesse circuito, a ideia é usar uma pequena corrente para controlar uma corrente maior em outro circuito – Quando a chave estiver aberta, não há corrente na base, então não há corrente no coletor – Quando a chave estiver fechada, JEB conduz, provocando a condução na polarização reversa em JCB
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• Exemplo de circuito: TBJ como chave
– Com a chave fechada, a tensão na base sobe para 0.7 V, devido a polarização direta de JEB – Nesse cenário a queda de tensão no resistor seria de 9.3 V, então IB = 9.3 mA – Assim, considerando β = 100, IC = 930 mA
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• Exemplo de circuito: TBJ como chave
– Essa avaliação, entretanto, está errada.. Por quê? – Com uma tensão de 10 V, a corrente pela lâmpada é de 100 mA – Assim, para obter uma corrente maior, a tensão no coletor deveria estar abaixo de zero – Como isso não é possível, o transistor está em saturação, ou seja, ambas junções estão polarizadas diretamente
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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
• Algumas considerações sobre circuitos com TBJ
– Um circuito cujo desempenho depende de β não é um bom circuito – Deve-se ter sempre cuidado com a tensão entre a base e o emissor, VBE, caso contrário correntes muito elevadas vão fluir na base – A corrente no coletor não é proveniente de um diodo polarizado diretamente, e assim um aumento da tensão entre o coletor e a base não provoca aumento considerável na corrente
