• Os transistores são dispositivos de estado sólido semelhantes aos diodos estudados nas aulas anteriores. No entanto, são mais complexos e podem ser utilizados de diversas formas, e por isso podemos dizer que o transistor é o componente ativo mais importante na eletrônica e sua descoberta tornou possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos;
• Na prática, hoje seria difícil encontrar um equipamento eletrônico que não possua um transistor em seu circuito, seja como um componente discreto ou internamente em um circuito integrado (CI), que pode possuir até mesmo milhões de transistores. Transistores • Há dois tipos principais de transistores: os transistores bipolar de junção (TBJs), e os transistores de efeito de campo, hoje o tipo dominante em eletrônica digital;
• Apenas fazendo uma comparação superficial, os TBJs se destacam pela precisão e baixo nível de ruído, enquanto os FETs se destacam pelo baixo consumo de potência, alta impedância e comutação de alta corrente;
• A capacidade do transistor de amplificar sinais elétricos permitiu que
em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, viesse a substituir as antigas válvulas na maioria das aplicações Eletrônicas. O transistor, diferentemente das válvulas, não necessita de uma corrente adicional para aquecê-lo, e é muito menor que a válvula “equivalente”. Transistor não polarizado • Um transistor tem três regiões dopadas. A região inferior é chamada de emissor, a região do meio é a base e a região superior é o coletor. Em um transistor real, a região da base é muito mais estreita comparada com as regiões do coletor e do emissor;
• O transistor da figura é um dispositivo npn porque existe uma
região p entre duas regiões n. Lembre-se de que os portadores majoritários são elétrons livres em um material tipo n e as lacunas em um material tipo p;
• Os transistores também podem ser produzidos também como
dispositivos pnp. Um transistor pnp tem uma região n entre duas regiões p. Transistor não polarizado • O transistor tem duas junções: uma entre o emissor e a base e outra entre o coletor e a base. Por isso o transistor é similar a dois diodos virados costa com costa. O diodo debaixo é chamado de diodo-base emissor ou simplesmente diodo emissor. O diodo de cima é chamado de diodo-base coletor ou diodo coletor;
• Devido à força de repulsão que cada elétron sofre dos
demais, os elétrons livres presentes na região n se espalharão em todas as direções. Os elétrons livres na região n se difundem através da junção e se recombinam com as lacunas na região p. Visualize os elétrons livres em cada região n cruzando a junção e recombinando-se com as lacunas. Transistor não polarizado
• O resultado é duas camadas de depleção. Para cada uma dessas camadas de depleção, a barreira de potencial é cerca de 0,7 V na temperatura de 25°C para um transistor de silício. (0,3 V a 25ºC para um transistor de germânio);
• O emissor é fortemente dopado. Por outro lado, a base é
fracamente dopada. O nível de dopagem do coletor é intermediário, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. O coletor é fisicamente a região mais Larga das três. Transistor polarizado
• Aqui temos um transistor polarizado. O sinal de menos representa os elétrons livres.
O emissor fortemente dopado tem a seguinte função: emitir ou injetar elétrons livres na base. A base fracamente dopada tem também uma função bem definida: passar os elétrons injetados pelo emissor para o coletor. O coletor tem esse nome porque coleta ou captura a maior parte dos elétrons da base;
• A fonte da esquerda VBB polariza diretamente o
diodo emissor e a fonte da direita VCC polariza reversamente o diodo coletor. Embora sejam possíveis outros métodos de polarização, o diodo emissor polarizado diretamente e o diodo coletor polarizado reversamente são os que produzem os melhores resultados. Transistor polarizado
• No instante em que a polarização direta é
aplicada no diodo emissor, os elétrons no emissor ainda não penetraram na região da base. Se VBB for maior que a barreira de potencial base-emissor, os elétrons do emissor entrarão na região da base;
• Teoricamente esses elétrons livres podem circular
em qualquer um dos dois sentidos. Primeiro, eles podem circular para a esquerda e sair pela base, passando através de RB e indo para o terminal positivo da fonte. Segundo, os elétrons livres podem circular para o coletor. Transistor polarizado • Que caminho tomará a maioria dos elétrons livres? A maioria deles seguirá para o coletor. Por quê? Por duas razões: a base é fracamente dopada e muito estreita. Uma dopagem fraca significa que os elétrons livres têm um tempo de vida maior na região da base. A região da base muito estreita significa que os elétrons livres têm uma distância curta para chegar ao coletor. Por essas duas razões, quase todos os elétrons injetados pelo emissor passam da base para o coletor; • Apenas um pouco de elétrons livres se recombinarão com as lacunas na base fracamente dopada . Depois como elétrons de valência, eles circularão pelo resistor da base para o lado positivo da fonte VBB. Transistor polarizado • A maioria dos elétrons livres vai para o coletor, Uma vez dentro do coletor, eles são atraídos pela fonte de tensão VCC. Por isso, os elétrons livres circulam através do coletor e de RC até alcançarem o terminal positivo da fonte de tensão do coletor;
• Veja um resumo, VBB polariza diretamente o diodo
emissor, forçando os elétrons livres do emissor a entrar na base. A base estreita e fracamente dopada dá à quase todos os elétrons tempo de vida suficiente para se difundirem no coletor. Esses elétrons circulam pelo coletor, através de R C, e entram no terminal positivo da fonte de tensão VCC. Transistor Correntes
• Existem três correntes diferentes num transistor: a corrente no emissor
IE, a corrente na base IB e a corrente no coletor IC;
• Como o emissor é uma fonte de elétrons, ele tem a maior corrente.
Como quase todos os elétrons circulam para o coletor, a corrente no coletor é aproximadamente igual à corrente no emissor, . A corrente na base é muito menor se comparada com essas outras correntes, quase sempre menor que 1% da corrente do coletor; Transistor Correntes Transistor Correntes Transistor Correntes Transistor Conexão
• Existem três modos utilizados para conectar um transistor: em EC (emissor comum), CC
(coletor comum) ou BC (base comum);
• o lado comum ou o GND (terra) de cada fonte de tensão está conectado ao emissor. Por isso, o circuito é tratado por conexão em emissor comum (EC);
• O circuito tem duas malhas. A da esquerda é a
malha da base e a da direita é a malha do coletor . Transistor Conexão EB
• Na malha da base, a fonte VBB polariza o diodo emissor diretamente com RB como resistência de limitação de corrente. Variando VBB ou RB, podemos variar a corrente da base. Variando a corrente da base podemos variar a corrente do coletor. Em outras palavras, a corrente da base controla a corrente do coletor. Isso significa que uma corrente baixa controla uma corrente alta (coletor) Transistor Conexão EB
• Na malha do coletor, uma fonte de tensão VCC polariza reversamente o diodo
coletor com RC. A fonte de tensão VCC deve polarizar o diodo coletor com tensão positiva para que possa coletar os elétrons livres injetados na base;
• Na corrente da base circulando na malha da esquerda produz
uma tensão no resistor da base RB com a polaridade positiva. De modo similar, a corrente que circula no coletor na malha da direita produz uma tensão no resistor do coletor RC deve ser positiva. Transistor Conexão EB
• A notação com subscrito duplo é usada em circuitos com transistor. Quando os subscritos são iguais, a tensão representa uma fonte (VBB e VCC). Quando os subscritos são diferentes, a tensão é entre dois pontos do circuito (VBE e VEC);
• Pode-se calcular as tensões com subscritos duplos de qualquer circuito com transistor: Para o Emissor Comum o VE é zero, a tensão fica simplificada para: Transistor Curva da Base • Polarizar um transistor é aplicar em seus terminais tensões de polaridades apropriadas que o levem às condições normais de funcionamento;
• inicialmente o cursor do potenciômetro está todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tensão aplicada à base do transistor é 0;
• Nestas condições, a junção que existe entre a base e o emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, não tem polarização alguma e nenhuma corrente pode fluir. A corrente de base do transistor é zero;
• nestas condições a corrente entre o coletor e
o emissor do transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 é nula. Transistor Curva da Base • Movimentando gradualmente o cursor do potenciômetro no sentido de aumentar a tensão aplicada à base do transistor, nada ocorre de anormal até atingirmos o ponto em que a barreira de potencial da junção emissor-base do transistor é vencida. A tensão que precisamos para iniciar a condução é a mesma que estudamos no caso dos diodos;
• Com 0,3 V, se o transistor for feito de germânio, e com 0,7 V, se o transistor for de silício. Com uma tensão desta ordem, começa a circular uma pequena corrente entre a base e o emissor. Esta corrente, entretanto, tem um efeito interessante sobre o transistor: uma corrente também começa a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente é proporcional à corrente de base. Transistor Curva da Base Transistor Curva do Coletor
• À medida que movimentamos mais o potenciômetro, no sentido de aumentar a corrente
de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na mesma proporção;
• Se uma corrente de base de 0,1 mA provoca uma corrente de coletor de 10 mA, dizemos que o ganho de corrente, ou fator de amplificação do transistor, é 100 vezes. A corrente de coletor é 100 vezes maior que a corrente de base. A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor não se mantém em toda a faixa possível de valores. Transistor Curva do Coletor
• Há um ponto em que um aumento de corrente de base não provoca mais um aumento na
corrente de coletor que então se estabiliza. Dizemos que chegamos ao ponto de saturação, ou seja, o transistor “satura”;
• Observe então que existe um trecho linear deste
gráfico, que é denominado “curva característica do transistor”, em que existe uma proporção direta entre a corrente de base e a corrente de emissor que ela provoca Transistores comuns podem apresentar “ganhos” de corrente entre 2 e 800, dependendo do modo como são fabricados e a finalidade a que se destinam. Transistor Tensão e Potência do Coletor
• A potência do transistor é igual à tensão coletor-emissor multiplicada pela corrente do
coletor. A potência é a causa do aumento da temperatura na junção do diodo coletor. Quanto maior a potência, maior a temperatura na junção;
• Os transistores queimam quando a temperatura na junção está entre 150ºC e 200°C. Uma das principais informações fornecidas pelas folhas de dados é a potência nominal máxima PD(máx). A dissipação de potência máxima deve ser menor que PD(máx). Caso contrário, o transistor será danificado. Transistor Região de Operação • A curva da figura tem regiões diferentes onde as ações de um transistor mudam. Primeiro, existe a região do meio, onde VEC está entre 1 V e 40 V. Ela representa a operação normal do transistor;
• Nessa região, o diodo emissor está diretamente polarizado
e o diodo coletor está reversamente polarizado. Além disso, o coletor está capturando quase todos os elétrons que o emissor está injetando na base;
• É por isso que a variação na tensão do coletor não afeta a
corrente do coletor. Essa região é chamada de região ativa. Graficamente, a região ativa é a parte horizontal da curva. Em outras palavras, a corrente no coletor é constante nesta região. Transistor Região de Operação
• Outra região de operação é a região de ruptura. O transistor nunca deve operar nessa região porque ele será danificado. Ao contrário do diodo Zener, que foi otimizado para funcionar na região de ruptura, um transistor não foi projetado para operar na região de ruptura;
• Onde a curva começa a aumentar, onde VEC está entre, 0 V
e alguns décimos de um volt. A parte inclinada da curva é chamada de região de saturação. Nessa região, o diodo coletor tem uma tensão positiva insuficiente para que o coletor possa capturar todos os elétrons livres injetados na base. Nessa região, a corrente na base IB é maior que a normal e o ganho de corrente βcc é menor que o normal. Transistor Região de Operação
• Na região ativa da figura, cada corrente do coletor é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
• Com outros transistores, o ganho de corrente pode ser
diferente de 100, mas as formas das curvas serão similares. Todos os transistores têm uma região ativa, uma região de saturação e uma região de ruptura. A região ativa é a mais importante, porque há a possibilidade de uma amplificação (um aumento) dos sinais na região ativa. Transistor Região de Operação
• A figura tem uma curva inesperada, a primeira curva debaixo. Observe que a corrente da base é zero, mas ainda existe uma corrente do coletor. Essa curva inferior é chamada de região de corte do transistor, e a baixa corrente do coletor é chamada de corrente de corte do coletor;
• Por que existe uma corrente no coletor se não existe corrente
na base? Porque o diodo coletor tem uma corrente reversa de portadores minoritários e uma corrente de fuga da superfície. Em um circuito bem projetado, a corrente de corte do coletor é baixa o suficiente para ser desprezada;
• Por exemplo, o 2N3904 tem uma corrente de corte do coletor
de 50 nA. Transistor Região de Operação
• Um transistor tem quatro regiões de operação distintas: ativa, corte, saturação
e ruptura. Os transistores operam na região ativa quando são usados como amplificadores de sinais fracos. A região ativa é algumas vezes chamada de região linear porque variações no sinal de entrada produzem variações no sinal de saída. As regiões de saturação e corte são usadas nos circuitos digitais e circuitos de computador, referidos como circuitos de chaveamento. Transistor Região de Operação Transistor Região de Operação Transistor Operação Transistor Operação Transistor Operação Transistor Potência e Dissipação
• IC é a corrente CC nominal máxima do coletor. Isso significa que o 2N3904 pode conduzir uma corrente direta de até 200 mA, desde que não exceda a potência nominal. O próximo valor nominal, PD, é a potência nominal máxima do dispositivo. Essa potência nominal máxima depende do que você está tentando fazer para manter o transistor frio. Se o transistor não estiver sendo ventilado e não tiver um dissipador de calor, sua temperatura no encapsulamento TC será bem mais alta que a temperatura ambiente TA;
• Em muitas aplicações um transistor de pequeno sinal como o 2N3904 não é
ventilado e não tem um dissipador de calor. Nesse caso, o 2N3904 tem uma potencia nominal de 625 mW quando a temperatura ambiente TA é de 25º C. Transistor Potência e Dissipação
• O fator de degradação do 2N3904 é dado como 5 mW/°C. Isso significa que você deve reduzir a potência nominal de 625 mW por 5 mW para cada grau acima de 25°C; • Uma forma de aumentar a potência nominal de um transistor é retirando o calor interno mais rapidamente. Essa é a função de um dissipador de calor (uma massa metálica). Se aumentarmos a superfície do encapsulamento do transistor, permitiremos que o calor seja trocado com o meio ambiente mais facilmente. Transistor Potência e Dissipação Transistor Variações no ganho de Corrente
• O ganho de corrente βcc de um transistor depende de três fatores: do transistor, da
corrente no coletor e da temperatura. Por exemplo, quando você substitui um transistor por outro do mesmo tipo, o ganho de corrente geralmente muda. Do mesmo modo, se a corrente no coletor ou a temperatura mudar, o ganho de corrente muda;
• a folha de dados do 2N3904 fornece um hFE mínimo de 100 e um máximo de 300 quando a temperatura for de 25ºC e a corrente no coletor de 10 mA. Se produzirmos milhares de circuitos do mesmo tipo com o 2N3904, alguns dos transistores terão um ganho de corrente tão baixo quanto 100 (pior caso), e outros terão um ganho de corrente tão alto quanto 300 (melhor caso). Transistor Variações no ganho de Corrente
• Quando a temperatura for de 25ºC (meio da curva), o ganho de corrente é 50 com 0,1 mA. Com o aumento da corrente de 0,1 mA para 10 mA, hFE aumenta para um máximo de 100. Depois ele diminui para menos de 20 a 200. Observe também o efeito da temperatura. Quando a temperatura diminui, o ganho de corrente é menor (a parte debaixo da curva). Por outro lado, quando a temperatura aumenta, hFE aumenta por quase toda a faixa de corrente (a parte de cima da curva). Transistores
• O transistor de junção bipolar (BJT) baseia-se em dois tipos de cargas: elétrons livres e lacunas. É por isso que ele é chamado de bipolar: o prefixo bi significa “dois”;
• Temos também o transistor de efeito de campo (FET). Este tipo de dispositivo é unipolar porque seu funcionamento depende apenas de um tipo de carga, pode ser elétrons livres ou lacunas. Em outras palavras, um FET tem portadores majoritários, mas não tem portadores minoritários;
• O FET é o dispositivo preferido para a maior parte das aplicações em chaveamento. Porque não existem portadores minoritários em um FET. Portanto, ele pode entrar em corte mais rápido visto que não há carga armazenada para ser retirada da área da junção; Transistores FETs
• Existem dois tipos de transistores unipolares: FETs e MOSFETs;
• A figura a mostra uma pastilha de semicondutor tipo n. O terminal inferior é
chamado de fonte (source), e o superior é chamado de dreno (drain). A tensão de alimentação VDD força os elétrons livres a circular da fonte para o dreno. Para fabricar um JFET, um fabricante difunde duas áreas de semicondutor tipo p em um semicondutor tipo n como mostra a Figura b Estas regiões p estão conectadas internamente para obter um único terminal externo simples chamado de porta (gate). Transistores FETs
• a porta tipo p e a fonte tipo n formam o diodo porta-fonte. Com um JFET, o diodo porta- fonte fica sempre com polarização reversa. Em virtude da polarização reversa, a corrente de porta IG é de aproximadamente zero, o que é equivalente dizer que o JFET tem uma resistência de entrada quase infinita;
• os elétrons que circulam da fonte para o dreno devem passar pelo
estreito canal entre as camadas de depleção. Quando a tensão da porta torna-se mais negativa, as camadas de depleção se expandem e o canal de condução torna- -se mais estreito. Quanto mais negativa for a tensão na porta, menor a corrente entre a fonte e o dreno. Transistores FETs
• O JEFT é um dispositivo controlado por tensão porque uma tensão na entrada controla uma corrente na saída. Em um JFET, a tensão porta-fonte VGS determina a corrente que circula entre a fonte e o dreno. Quando VGS é zero, circula a corrente máxima no dreno no JFET. É por isso que um JFET é citado como um dispositivo normalmente em condução. Por outro lado, se VGS é negativa o suficiente, as camadas de depleção se tocam e a corrente de dreno é cortada Transistores FETs
• Em (a) temos um JFET canal n porque o canal entre a fonte e o dreno é um semicondutor tipo n. A Figura mostra o símbolo esquemático para um JFET canal n ( entende-se n sempre com a associação de drenar corrente, ligado ao GND);
• Em (b) mostra um símbolo alternativo para um JFET canal n. Esse símbolo com a porta deslocada é preferido por muitos engenheiros e técnicos. A porta deslocada aponta para o final da fonte no dispositivo, uma vantagem definida em circuitos complexos de multiestágios; Transistores FETs
• Em (c) temos um JFET canal p. O símbolo esquemático para um JFET canal p, é similar ao do JFET canal n, exceto que a seta da porta aponta no sentido oposto. O funcionamento de um JFET canal p é complementar; isto é, todas as tensões e correntes são invertidas. Para polarizar um JFET canal p inversamente, a porta fica positiva em relação à fonte. Logo, VGS torna-se positivo. Transistores FETs
• A Figura em (a) mostra um JFET com tensões de polarizações normais. Neste
circuito, a tensão porta-fonte VGS é igual à tensão de alimentação da porta VGG, e a tensão dreno-fonte VDS é igual à tensão de alimentação do dreno VDD. Transistores FETs
• Se conectarmos a porta e o dreno em curto, como mostrado em (b) , obteremos a corrente
de dreno máxima porque VGS = 0. A Figura (c) mostra o gráfico da corrente de dreno ID versus tensão dreno-fonte VDS para esta condição de porta em curto. Note como a corrente aumenta rapidamente e depois fica na horizontal quando VDS torna-se maior que VP Transistores FETs
• Quando VDS aumenta, as camadas de depleção se expandem. Quando VDS = Vp, as
camadas de depleção quase se tocam. O canal de condução estreito então estrangula ou evita que a corrente aumente. É por isso que a corrente tem um limite superior de IDSS;
• A região ativa de um JFET é entre VP e VDS(máx). A tensão
mínima VP é chamada de tensão de estrangulamento ou tensão de constrição e a tensão máxima VDS(máx) é a tensão de ruptura;
• Entre o estrangulamento e a ruptura, o JFET funciona como
uma fonte de corrente de aproximadamente IDSS quando VGS = 0. Transistores FETs
• IDSS significa a corrente de dreno para a fonte com a porta em curto. Esse é o valor máximo de corrente de dreno que um JFET pode produzir. As folhas de dados de um JFET listam o valor de IDSS. Esse valor dado é um dos mais importantes do JFET e você deve sempre procurar primeiro por ele porque é o limite superior da corrente do JFET; Transistores FETs
• A tensão de estrangulamento separa as duas principais regiões do JFET. A região quase
horizontal é a região ativa. A parte quase vertical da curva de dreno abaixo do estrangulamento é chamada de região ôhmica. Quando operando na região ôhmica, um JFET é equivalente a um resistor com um valor aproximado de: Transistores FETs
• A Figura mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A curva de cima é sempre para VGS = 0, a condição de porta em curto. Neste exemplo, a tensão de estrangulamento é de 4 V e a tensão de ruptura é de 30 V. A curva imediatamente abaixo é para VGS = –1 V, a próxima para VGS = –2 V, e assim por diante. Como você pode notar, quanto mais negativa a tensão porta-fonte, menor a corrente de dreno, ou seja, maior o estrangulamento. Transistores FETs
• A parte debaixo da curva é importante. Observe que uma VGS de –4 V reduz a
corrente de dreno para quase zero. Essa tensão é chamada de tensão porta-fonte de corte e é representada por VGS(corte) nas folhas de dados. Nessa tensão de corte as camadas de depleção se tocam. Em consequência, o canal de condução desaparece. É por isso que a corrente de dreno é quase zero. Transistores FETs Transistores FETs
• A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico de ID versus VGS. Fazendo a leitura
dos valores de ID e VGS para cada curva de dreno no circuito, podemos traçar a curva abaixo. Observe que a curva não é linear porque a corrente aumenta mais rápido quando VGS aproxima de zero. Transistores FETs
• Todo JFET tem uma curva de transcondutância como o do gráfico.
Os pontos extremos da curva são VGS(corte) e IDSS. A equação para este gráfico é: Transistores FETs
• Em virtude da função elevada ao quadrado nesta equação, os JFETs são frequentemente
chamados de dispositivos quadráticos. A função quadrática produz a curva não linear;
• A Figura abaixo mostra uma curva de transcondutância normalizada. Normalizada significa
que o gráfico é traçado usando razões como ID/IDSS e VGS/VGS(corte) Transistores FETs
Na curva, o ponto de meio corte:
Transistores FETs – Polarização na Porta
Em(a) mostra a polarização da porta. A tensão negativa na porta de –VGG é aplicada na porta por um resistor de polarização RG. Isso estabelece uma corrente no dreno que é menor que IDSS. Quando a corrente do dreno circula por RD, ela estabelece uma tensão no dreno de: Transistores FETs – Polarização na região ôhmica • Quando polarizado na região ôhmica, o JFET é equivalente a uma resistência. Quando polarizado na região ativa, o JFET é equivalente a uma fonte de corrente; • A Figura em (c) mostra como polarizar um JFET na região ôhmica. O ponto superior da reta de carga CC tem uma corrente de saturação de dreno de:
• Quando um JFET está polarizado na região ôhmica, podemos substituí-lo por
uma resistência RDS como mostrado ao lado. Com esse circuito equivalente, podemos calcular a tensão no dreno. Quando RDS é muito menor que RD, a tensão no dreno é próxima de zero. Transistores FETs – Polarização na região ôhmica Transistores FETs – Métodos de Polarização - Autopolarização Transistores FETs – Métodos de Polarização – Por divisão de Tensão
• A Figura em (a) mostra um circuito com polarização por divisor de tensão, o divisor de tensão produz uma tensão que é uma fração da tensão de alimentação. Subtraindo a tensão porta-fonte, obtemos a tensão no resistor da fonte: Transistores FETs – Métodos de Polarização – Por divisão de Tensão
• Do circuito de divisor de tensão, a tensão aplicada na porta é dado por:
Transistores FETs – Métodos de Polarização – Por divisão de Tensão Transistores FETs – Métodos de Polarização – Por Fonte Dupla
• O circuito mostra a polarização da fonte com fonte
simétrica. A corrente no dreno é dada por: Transistores FETs – Resumo de Polarização Transistores FETs – Resumo de Polarização
