2023年8月8日から10日に米カリフォルニア州サンタクララで開催されたFlash Memory Summit 2023において、ULTRARAMが『最も革新的なフラッシュメモリ賞』(Most Innovative Flash Memory Award)を受賞した。 ULTRARAMは、アンチモン化ガリウム(GaSb)、ヒ化インジウム(InAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)などの化合物半導体とトリプルバリア共鳴トンネリングを利用した不揮発性メモリだ。 SSDと同様に不揮発性でありながら、DRAM(システムメモリ)の読み書き速度に匹敵するという。さらに、データの保持期間は推定1,000年とされているほか、少なくとも1,000万回の書き込み耐性があるとされている。また、消費電力は、20nmのDRAMと比較して100倍、SSDと比較して1,000倍低いとされている。 ULTRARAMの
